измерительный шпиндель датчика

Классы МПК:G01L9/04 резисторных тензометров 
G01B7/16 для измерения деформации твердых тел, например проволочными тензометрами
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Львовский политехнический институт (UA)
Приоритеты:
подача заявки:
1991-11-25
публикация патента:

Использование: для измерения динамического или статического давления в контрольно-измерительной технике. Цель: повышение точности измерения динамического давления. Сущность изобретения: тензометрический датчик динамического давления (ДД) состоит из цилиндрического корпуса, к которому жестко присоединена круглая мембрана, к которой под углом измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 жестко присоединены две зеркально-симметричные балки с тензорезисторами. Одним концом балки закреплены в корпусе, а другим на мембране на расстоянии r от ее центра. При этом величина r связана с углом a зависимостью измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 где l длина балки; R радиус мембраны. Воздействие давления вызывает прогиб мембраны, а вместе с тем прогиб балок с тензорезисторами, что влечет появление выходного сигнала в измерительной цепи ДД. Положительный эффект: повышение точности измерения динамического давления, которое проявляется в низкой нелинейности характеристики ДД, и повышение динамической чувствительности ДД. 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Формула изобретения

ТЕНЗОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДИНАМИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащий цилиндрический корпус, круглую мембрану, связанную с упругой балкой, несущей тензорезисторы, отличающийся тем, что в датчик введена вторая балка с тензорезисторами, расположенная зеркально симметрично относительно первой балки, при этом обе балки одним концом жестко закреплены в корпусе, а другим непосредственно на мембране и расположены по отношению к плоскости мембраны под определенным углом измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 причем точки крепления балок к мембране находятся на расстоянии r от ее центра, а величина r определяется из зависимости

измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781

где a угол наклона балки к плоскости мембраны;

R радиус мембраны;

l длина балки.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения динамического или статического давления, усилия, перемещения.

Известен преобразователь давления, содержащий корпус с мембраной, связанной через шток с консольной балкой с полупроводниковыми тензорезисторами [1]

Воздействие давления вызывает прогиб мембраны и через шток передается на консольную балку с тензорезисторами.

Недостатком этого преобразователя является неудовлетворительная точность измерения динамического давления, что выражается слабой чувствительностью, гистерезисом, невоспроизводимостью и нелинейностью характеристики преобразователя давления. Кроме того, шток вместе с балкой и мембраной образует трехмассовую упругую систему, что обуславливает низкие динамические показатели.

Наиболее близким к предлагаемому является тензометрический датчик [2]

Датчик состоит из цилиндрического корпуса с мембраной и крышкой. К мембране посредством передаточного звена присоединена консольная балка. Передаточное звено представляет собой упругий элемент в виде полукруга, переходящего в прямолинейный участок, конец которого присоединен к мембране. Полукруг передаточного звена сопряжен с консольной балкой и таким образом образует вместе с ней целостную однопрофильную конструкцию.

Прогиб мембраны от воздействия давления передается на консольную балку с тензорезисторами.

Существенным недостатком этого датчика являются низкие динамические качества, которые обусловлены наличием в конструкции датчика передаточного звена между мембраной и балкой, что снижает точность измерения.

Целью изобретения является повышение точности измерения динамического давления.

Цель достигается тем, что в известный тензометрический датчик давления, содержащий цилиндрический корпус, круглую мембрану, связанную с упругой балкой, несущей тензорезисторы, согласно изобретению введена вторая балка с тензорезисторами, расположенная зеркально-симметрично относительно первой, при этом обе балки одним концом жестко закреплены в корпусе, а другим концом непосредственно (без передаточного звена) жестко присоединены к мембране и расположены по отношению к ее плоскости под определенным углом измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781, причем точки крепления балок к мембране находятся на расстоянии r от ее центра и величина r связана с углом измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 зависимостью

r измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 где R радиус мембраны;

l длина балки.

Расположенные на балках четыре (по два на каждой) полупроводниковых тензорезистора в измерительной цепи датчика соединены в полный мост.

Воздействие давления вызывает прогиб мембраны и вместе с тем прогиб балок с тензорезисторами, что влечет появление выходного измерительного сигнала в измерительной цепи датчика.

На фиг. 1 представлена принципиальная конструкция датчика давления; на фиг. 2 схема деформации упругих элементов с действующими при этом силами; на фиг. 3 схема деформации балки; на фиг. 4 схема деформации мембраны с действующими при этом усилиями.

Предлагаемый тензометрический датчик динамического давления состоит из цилиндрического корпуса 1 с мембраной 2, упругочувствительного узла (УЧУ) в виде двух одинаковых балок 3 равного сечения с тензорезисторами 4 и токовыводами 5 (фиг. 1).

УЧУ представляет собой осесимметричную конструкцию, где балки 3 одним концом закреплены в корпусе 1, а другим жестко присоединены к мембране 2. Балки 3 по отношению к плоскости мембраны 2 находятся под определенным углом измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781, а точки их крепления к мембране 2 расположены на определенном расстоянии r от ее центра. При этом величины r и измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781 связаны зависимостью

r измерительный шпиндель датчика, патент № 2040781

Воздействие давления вызывает прогиб мембраны 2 и вместе с тем прогиб балок 3 с тензорезисторами 4, для влечет появление выходного измерительного сигнала в измерительной цепи датчика.

Круглая мембрана 2 жестко защемлена по контуру, а тензорезисторы 4 в измерительной цепи датчика соединены в полный мост.

Мембрана 2 изготовлена из материала с высокими упругими свойствами, например сплава 44НХТЮ. Балки 3 изготовлены из материала, например, типа ковар. В качестве тензорезисторов 4 могут быть использованы, например, тензорезисторы типа "Кремнистор".

Класс G01L9/04 резисторных тензометров 

высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2526788 (27.08.2014)
датчик давления -  патент 2523754 (20.07.2014)
датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы для прецизионных измерений -  патент 2516375 (20.05.2014)
способ измерения давления и интеллектуальный датчик давления на его основе -  патент 2515079 (10.05.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2512142 (10.04.2014)
высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2507491 (20.02.2014)
датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром -  патент 2507490 (20.02.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2505791 (27.01.2014)
преобразователь давления -  патент 2502970 (27.12.2013)
способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2498250 (10.11.2013)

Класс G01B7/16 для измерения деформации твердых тел, например проволочными тензометрами

способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика -  патент 2528242 (10.09.2014)
способ измерения деформаций объектов из немагнитных материалов и установка для его осуществления -  патент 2518616 (10.06.2014)
способ изготовления датчиков для контроля циклических деформаций -  патент 2507478 (20.02.2014)
способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика -  патент 2507477 (20.02.2014)
способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика -  патент 2507476 (20.02.2014)
способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика -  патент 2507475 (20.02.2014)
способ электромагнитной дефектоскопии в многоколонных скважинах и электромагнитный скважинный дефектоскоп -  патент 2507393 (20.02.2014)
способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика -  патент 2506534 (10.02.2014)
наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор (варианты) -  патент 2505782 (27.01.2014)
стенд для градуировки тензоэлементов -  патент 2500983 (10.12.2013)
Наверх