способ травления монокристаллов танталата лития

Классы МПК:C30B33/10 в растворах или расплавах
C30B29/30 ниобаты; ванадаты; танталаты
Автор(ы):, , , , , ,
Патентообладатель(и):Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова
Приоритеты:
подача заявки:
1993-01-11
публикация патента:

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике. Обеспечивается возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а также исключается необходимость употребления дорогостоящих неактивных температуроустойчивых материалов таких, как платина, иридий, позволяющих удешевить процесс и повысить скорость травления. Сущность способа состоит в обработке монокристаллов танталата лития в гидротермальных условиях при 150 300°С и давлении не менее 50 атм, а в качестве травильного раствора используют водные растворы смеси одной из кислот H3PO4, HNO3 и одной из солей MeNO3, MeF, MeHF2, где Ме щелочной металл, или в водных растворах одной из солей MeNO3, MeF или MeHF2, или в водном растворе щелочи MeOH и соли MeNO3.

Формула изобретения

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, включающий обработку монокристаллов травильным раствором, отличающийся тем, что обработка проводится в гидротермальных условиях при 150 300oС и не менее 50 атм, а в качестве травильного раствора используют раствор следующего состава (Ме - щелочной металл), мас.

H3 PO4 20 60

MeNO3 20 60

H2O Остальное

или

HNO3 20 60

MeNO3 20 60

H2O Остальное

или

HNO3 10 60

MeF 10 60

H2O Остальное

или

HNO3 10 70

MeHF 10 70

H2O Остальное

или

MeNO3 10 70

MeF 10 70

H2O Остальное

или

MeNO3 10 70

MeHF 10 70

H2O Остальное

или

MeOH 20 60

MeNO3 20 80

H2O Остальное

или

MeHF > 10

H2O Остальное

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способу гидротермального метода травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов тантала лития размером более 15х15х3 мм, используемых в электронной технике.

Известен способ травления монокристаллов тантала лития [1] включающий травление в расплаве едкого калия при 360способ травления монокристаллов танталата лития, патент № 20406010,2оС.

Недостатком способа является невысокая экологичность, так как пары травителя попадают в атмосферу, и недостаточно высокая скорость травления.

Наиболее близким к изобретению является способ травления монокристаллов тантала лития [2] включающий механическую обработку и травление в растворе на основе фторсодержащего реагента. Подложку обрабатывают в травителе из КНF2 нагревом до 240оС.

Недостатком способа является низкая экологичность, так как при высоких температурах большое количество паров травителя попадает в атмосферу.

Преимущество предлагаемого способа гидротермального травления состоит в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2х10х10 мм (кристаллы не растворяются при травлении), а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивных температурно-устойчивых материалов, таких как платина, иридий.

Технический эффект заключается в экологически чистой методике гидротермального травления, позволяющей повысить скорость травления и удешевления процесса травления.

Способ реализуется следующим образом.

Образцы монокристаллов танталата лития со шлифованными матовыми поверхностями 15х15х3 мм помещают в автоклав в раствор травителя. Для приготовления травильного раствора используют реактивы марок ХЧ или ЧДА. Растворы готовят последовательно в отдельном боксе, разбавляют 90% Н3РО4 до 25% В другом 25 г NaNO3 растворяют в 50 г Н2О, т.е. приготовляют 25%-ный раствор NaNO3. Полученные растворы сливаются и перемешиваются при комнатной температуре. Полученный состав заливают в футерованный фторопластом автоклав периодического действия. Автоклав герметизируют и устанавливают в печь сопротивления, где его нагревают до 150-300оС при давлении не менее 50 атм. При более низких параметрах скорость травления резко падает. Более высокие параметры требуют создания более сложной аппаратуры. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травления поверхность образца становится прозрачной. Скорость травления равна 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 1. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% HNO3 и 10% RbNO3, нагревался до 250оС при давлении 300 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления равна 0,7 мкм/мин.

П р и м е р 2. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% HNO3 и 10% NaF, нагревался до 200оС при давлении 300 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления равна 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 3. Образец заливался водным раствором, содержащим 10% HNO3 и 20% KHF2, нагревался до 270оС при давлении 200 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления 1,0 мкм/мин.

П р и м е р 4. Образец заливался водным раствором, содержащим 10% LiNO3 и 20% NaF, и нагревался до 300оС при давлении 500 атм. В результате матовая поверхность становилась прозрачной. Скорость травления 0,6 мкм/мин.

П р и м е р 5. Образец заливался водным раствором, содержащим 45% NaNO3 и 10% KHF2, нагревался до 200оС при давлении 350 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 6. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% КОН и 25% КNO3, нагревался до 100оС при давлении 50 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления 0,8 мкм/мин.

П р и м е р 7. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% KHF2, и нагревался до 280оС при давлении 150 атм. В результате матовая поверхность становилась более прозрачной. Скорость травления 1,0 мкм/мин.

Класс C30B33/10 в растворах или расплавах

способ обработки оптических элементов из селенида цинка -  патент 2338014 (10.11.2008)
способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия -  патент 2319798 (20.03.2008)
способ полировки кристаллов хлорида серебра -  патент 2311499 (27.11.2007)
способ травления монокристаллов метаниобата лития -  патент 2039134 (09.07.1995)

Класс C30B29/30 ниобаты; ванадаты; танталаты

способ определения мольной доли li2o в монокристаллах linbo3 -  патент 2529668 (27.09.2014)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой -  патент 2485222 (20.06.2013)
сложный танталат редкоземельных элементов -  патент 2438983 (10.01.2012)
способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата -  патент 2413041 (27.02.2011)
способ поляризации монокристалла танталата лития -  патент 2382837 (27.02.2010)
способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации -  патент 2367730 (20.09.2009)
способ получения монокристаллов linbo3 и устройство для его осуществления -  патент 2330903 (10.08.2008)
устройство для выращивания монокристаллов оксидов тугоплавких металлов -  патент 2320790 (27.03.2008)
способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния -  патент 2296824 (10.04.2007)
Наверх