способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев многослойной среды

Классы МПК:G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский центр "Резонанс"
Приоритеты:
подача заявки:
1992-02-05
публикация патента:

Использование: в области измерения характеристик слоистых сред, для поверхностного зондирования слоистых структур земли, измерения характеристик слоистых покрытий. Сущность изобретения: способ измерения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев многослойной среды заключается в том, что в сторону многослойной среды под первым углом падения излучают n когорентных зондирующих сигналов на n частотах, принимают n первых зондирующих сигналов, отраженных от многослойной среды под углом, равным первому углу падения, производят преобразование во временную область принятых сигналов, выделяют пиковые временные составляющие во временном кепстре (измеряют времена выделенных пиковых составляющих первого кепстра), дополнительно в сторону многослойной среды под вторым углом падения излучают M вторых когерентных зондирующих сигналов на M частотах. Принимают M вторых зондирующих сигналов отраженных от многослойной среды под углом, равным второму углу падения, производят сачтотную фильтрацию вторых M принятых сигоналов, выделяют пиковые сачтотные состовляющие во втором кепстре (сачтотном спектре, измеряют сачтоты выделенных пиковых составляющих второго спектра (сачтотного спектра, по измеренным сачтотам выделенных пиковых составляющих определяют диэлектрические проницаемости и толщины слоев в соответствии с расчетными формулами. 6 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОНИЦАЕМОСТЕЙ И ТОЛЩИН СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНОЙ СРЕДЫ, заключающийся в том, что многослойную среду зондируют под первым углом падения когерентными сигналами на N частотах, а принимают N сигналов на N частотах, отраженных от многослойной среды под углом, равным первому углу, осуществляют преобразование принятых сигналов во временную область, выделяют пиковые временные составляющие во временном спектре, измеряют времена выделенных пиковых временных составляющих и определяют диэлектрические проницаемости и толщины слоев, отличающийся тем, что перед преобразованием принятых сигналов дополнительно осуществляют зондирование многослойной среды когерентными сигналами на M частотах под вторым углом падения, принимают M сигналов на M частотах под углом равным второму углу падения, а диэлектрические проницаемости и толщины слоев определяют по формулам

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

где способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 первый угол падения;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 второй угол падения;

K отношение диапазона частот M сигналов, осуществляющих зондирование под вторым углом падения, к диапазону частот N сигналов, осуществляющих зондирование под первым углом падения;

i номер слоя;

c скорость света в вакууме;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 частоты пиковых составляющих первого кепстра, соответствующего первому углу падения зондирующих сигналов;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 частоты пиковых составляющих второго кепстра, соответствующего второму углу падения зондирующих сигналов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к измерению характеристик слоистых сред и может быть использовано для подповерхностного зондирования слоистых структур Земли, измерения характеристик слоистых покрытий.

Известен способ зондирования слоистых сред, в котором используются импульсные зондирующие сигналы. В этом способе толщины слоев определяются по временной задержке сигналов, отраженных от границ раздела слоев.

Недостатком этого способа является то, что он не позволяет измерять диэлектрические проницаемости слоев. Неточное знание электродинамических параметров слоев приводит к неточному измерению толщин слоев.

Наиболее близким способом к изобретению является многочастотный способ измерения параметров слоистых сред, заключающийся в излучении в сторону многослойной среды N когерентных сигналов на N частотах, приеме N сигналов, отраженных от многослойной среды, преобразовании принятых сигналов во временную область, выделении пиковых частотных составляющих во временном спектре, измерении частот выделенных пиковых частотных составляющих и определении диэлектрических проницаемостей и толщин слоев в соответствии с расчетными формулами.

Недостатком этого способа является низкая точность измерения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев.

Целью предложенного способа является повышение точности измерения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев.

Это достигается тем, что в известном способе наряду с N первыми когерентными сигналами на N частотах дополнительно под другим углом падения к многослойной среде излучают М вторых когерентных сигналов на М частотах, принимают М вторых зондирующих сигналов, отраженных от многослойной среды под углом, равным второму углу падения, осуществляют частотную фильтрацию N первых и М вторых принятых сигналов, выделяют пиковые (импульсные) частотные составляющие (обусловленные отражениями зондирующих сигналов от границ раздела слоев) в первом и вторым полученных кепстрах/частотных спектрах. У выделенных импульсных составляющих измеряют частоты (кепстральное время) и после этого по измеренным значениям частот определяют диэлектрические проницаемости и толщины слоев в соответствии с расчетными формулами.

Под частотной фильтрацией понимается операция обратного преобразования Фурье от частотной зависимости принятого суммарного сигнала либо обратное преобразование Фурье от натурального логарифма квадрата амплитудного спектра принятого сигнала в соответствии с формулой [5]

Cs(q) способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 lnспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810S(способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810)способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810eiспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810qdспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 где Сs(q) кепстр;

q кепстральное время;

S (способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810) амплитудный спектр сигнала;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 частота. А также определение кепстров с помощью авторегрессивного анализа и по ковариационному и автокорреляционному алгоритмам [6]

На фиг.1 показана геометрическая интерпретация принимаемого сигнала; на фиг. 2 типичные частотные зависимости амплитуды и фазы принимаемого сигнала; на фиг. 3 полученный на модели вертикального зондирования двухслойной среды кепстр-частотный спектр принятого сигнала; на фиг.4 схема излучения и приема сигналов в общем случае; на фиг.5 схема устройства, реализующего способ; на фиг. 6 блок схема алгоритма выделения пиковых частотных составляющих, измерения частот и расчета диэлектрических проницаемостей и толщин слоев.

При вертикальном зондировании многослойной среды затухание сигнала в слоях при его распространении в обе стороны в общем случае определяется формулой:

Wзат e - j способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l (1) где способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l толщина слоя;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 комплексный коэффициент распространения.

Набег фазы сигнала при его распространении в слое (в обе стороны) определяется формулой:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 2способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810fспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810Reспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810l способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810l, (2) где f рабочая частота;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810- комплексная диэлектрическая проницаемость;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810- комплексная магнитная проницаемость;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 действительная часть способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810.

При изменении частоты излучения сигнала на способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 изменение фазы сигнала при его распространении в диэлектрическом слое в обе стороны определяется формулой:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, (3) где с скорость света в вакууме;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 относительная диэлектрическая проницаемость.

Геометрическое представление суммарного сигнала, получаемого при отражении зондирующего сигнала от трехслойной структуры, показано на фиг.1.

Как видно из фиг.1 при изменении частоты зондирующих сигналов на способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f формируется модулированный суммарный отраженный сигнал. Причем периоды модуляции определяются изменением набега фаз в каждом слое при изменении частоты. На фиг. 2 приведены характерные частотные зависимости амплитуды и фазы суммарного сигнала (для двухслойной структуры). Кепстральная обработка/частотная фильтрация [5] использующая частотную зависимость комплексного суммарного сигнала позволяет выделить в кепстре/частотном спектре пиковые составляющие, разности частот (кепстральных времен) между которыми в общем случае определяют произведения 2способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810liReспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810/c (i номер слоя) или произведения 2способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810lспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810/c в случае когда слои диэлектрические.

Частота импульса, обусловленного отражением сигналов от верхнего слоя слоистой структуры при вертикально зондировании, определяется формулой

t1= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, (4) где h средняя высота приемного и передающего устройств над поверхностью.

Частота i-го импульса определяется формулой

ti= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (h+ способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810l++ способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810li-1) (5)

Характерный вид кепстра/частотного спектра приведен на фиг.3.

Таким образом, известный способ позволяет определять толщины слоев при известных диэлектрических проницаемостях, либо диэлектрические проницаемости слоев при известных толщинах слоев. Однако известный способ не позволяет одновременно измерять и толщины и диэлектрические проницаемости слоев.

В предлагаемом способе используется дополнительное зондирование слоистой структуры под другим углом. Схема зондирования под двумя углами показана на фиг.4.

В соответствии с фиг.4 для трехслойной структуры можно записать следующие уравнения:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (6) В соответствии с законом Снелля имеем:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (7) где способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f1 полоса частота N сигналов, излучаемых под первым углом падения;

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f2 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f1 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 K полоса частот М сигналов, излучаемых под вторым углом падения;

hспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 средняя высота размещения передатчика и приемника при зондировании под углом способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810" способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810;

hспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 средняя высотаразмещения передатчика и приемника при зондировании под углом способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"" способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810.

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378102 диэлектрические проницаемости первого и второго слоев.

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l1, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l2 толщины первого и второго слоев.

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 углы падения и преломления в соответствии с фиг.4.

Используя уравнения (6) и (7), а также введя обозначения

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378102= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810,

х1 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l1, x2 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 l2, a"1 t"2-t"1, a1"" (t2""-t1"")/K, a"2 t"3-t"1, a2"" (t3""-t1"")/K, y1"= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, y"2 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, y1"" способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 y2"" способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810, b1

sin способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810"способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 b2 sin способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810""способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 запишем систему уравнений:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (8)

Преобразуем систему уравнений (8)

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (9)

Поскольку X1= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 и cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 сделаем следующие преобразования:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101-способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101-способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

b21- способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810x22 b22+ способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810x22 0

x2= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

b22(1-cos2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810) bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101-способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

-b22+b22cos2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810+b21- способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cos2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 0

cos2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

x1= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

Таким образом:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810l1= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810l2= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

Можно показать, что для случая многослойной среды справедлива следующая формула:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810li= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (10) где i номер слоя.

Перепишем систему уравнений (8) в другом виде

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (11)

Найдем выражения для определения

cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101-способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810cos2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 b22sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

b21-bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810+bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 b22sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810b22- способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101-способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

Найдем выражение для определения способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378102. Из системы уравнений (11) имеем:

sinyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 sinyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 cosyспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 тогда

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 После возведения последнего уравнения в квадрат, получим:

bспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378101- способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 b22sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

b12(a2"" a1"")2 b12 (a2" a1")2 cos2 y2" b22(a2"" a1"")2способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 sin2y2" b12(a2"" a1"")2 b12(a2"-a1")2 + b12(a2"- a1")sin2y2" b22(a2""

a1"")2 sin2y2"

sin2yспособ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 20378102= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810

Можно показать, что для случая многослойной среды справедлива следующая формула:

способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810i= способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 (12)

Формулы (10) и (12) позволяют по измеренным частотам выделенных импульсных составляющих кепстров/частотных спектров рассчитывать диэлектрические проницаемости и толщины слоев.

Предлагаемый способ реализуется с помощью устройства, схема которого показана на фиг.5 (один из вариантов реализации).

Устройство работает следующим образом. Передающее устройство 1 формирует N зондирующих сигналов на N частотах в диапазоне способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f1 и М зондирующих сигналов на М частотах в диапазоне способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 f2, которые излучаются в сторону многослойной среды с помощью передающей антенны 2. Отраженные под первым углом N зондирующих сигналов принимаются приемной антенной 3 и приемным устройством 4, отраженные под вторым углом М зондирующих сигналов принимаются приемной антенной 5 и приемным устройством 6.

С приемного устройства 4 квадратурные составляющие, полученные для каждого из N первых зондирующих сигналов, поступают в процессор 7 быстрого преобразования Фурье, в котором формируются сигналы S1.Sn, соответствующие кепстральным составляющим/составляющим первого чостотного спектра.

С приемного устройства 5 квадратурные составляющие, полученные для каждого из М вторых зондирующих сигналов, поступают в процессор 8 быстрого преобразования Фурье, в котором формируются сигналы U1.Umсоответствующие кепстральным составляющим/составляющим второго частотного спектра. Сигналы S1.Sn и U1.Um поступают в вычислительное устройство 9, в котором из поступающих сигналов выделяются сигналы, превышающие пороговые уровни, измеряются частоты выделенных сигналов и производится расчет способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810i и способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 li.

Блок-схема алгоритма обработки сигналов в вычислительном устройстве 9 приведена на фиг.6. На выходах блоков сравнения сигналов с пороговыми уровнями формируются в зависимости от превышений порогов нулевые или единичные сигналы для всех частотных фильтров в порядке возрастания номеров. Блоки определения частот (номеров частотных фильтров) в зависимости от уровня (0 или 1) входных сигналов определяют в порядке возрастания частоты (номера частотных фильтров) пиковых частотных составляющих. Блок суммирования определяет количество пиковых частотных составляющих. В блоке формульного расчета определяются значения способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810i и способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин   слоев многослойной среды, патент № 2037810 li.

Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
контрольное устройство миллиметрового диапазона -  патент 2521781 (10.07.2014)
система и способ досмотра субъекта -  патент 2517779 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и энергии активации примесных центров полупроводниковых слоев -  патент 2516238 (20.05.2014)
антенна-аппликатор и устройство для определения температурных изменений внутренних тканей биологического объекта путем одновременного неинвазивного измерения яркостной температуры внутренних тканей на разных глубинах -  патент 2510236 (27.03.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле -  патент 2507506 (20.02.2014)
способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления -  патент 2507505 (20.02.2014)
Наверх