датчик давления

Классы МПК:G01L9/04 резисторных тензометров 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Институт теоретической и прикладной механики СО РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1982-08-10
публикация патента:

Использование: изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения давления газовых и жидких сред, например, в системах контроля газовых и нефтяных трубопроводов. Сущность изобретения: максимальное повышение чувствительности датчика достигается тем, что активные тензорезисторы 3 наклеены на цилиндрической поверхности упругого элемента 1 под углом 63° 26" к образующей цилиндра и размещены относительно друг друга произвольно. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий упругий элемент в виде полого тонкостенного цилиндра, выполненного заодно с присоединительным штуцером, и активные и компенсационные тензорезисторы, наклеенные на наружной поверхности цилиндра, отличающийся тем, что в нем активные тензорезисторы расположены под углом 63o26"К образующей цилиндра, при этом относительно друг друга ориентированы произвольно.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения давления газовых и жидких сред, например, в системах контроля газовых и нефтяных трубопроводов.

Известен тензорезисторный датчик давления, содержащий упругий элемент в виде тонкостенного полого цилиндра с активными тензорезисторами, наклеенными вдоль образующей цилиндра, и со сферическим основанием чувствительного элемента [1].

Недостатком этого датчика является невысокая чувствительность.

Наиболее близким техническим решением к предложенному является датчик давления, содержащий упругий элемент в виде цилиндра с наклеенными на наружной поверхности вдоль образующих цилиндра тензорезисторами [2].

В датчиках данного типа не реализуется возможность максимального повышения чувствительности из-за нерационального расположения тензорезисторов, как активных, так и компенсационных.

Задачей предлагаемого технического решения является максимальное повышение чувствительности датчика.

Поставленная задача достигается тем, что активные тензорезисторы наклеены на цилиндрической поверхности упругого элемента под углом 62о26" к образующей цилиндра и размещены относительно друг друга произвольно.

На чертеже представлена конструкция датчика.

Датчик содержит упругий элемент 1 в виде полого тонкостенного цилиндра, выполненного заодно с присоединительным резьбовым штуцером 2. На наружной цилиндрической поверхности полой части упругого элемента 1 наклеены, например, два активных тензорезистора 3 под углом 63о26" к образующей цилиндра, при этом между собой тензорезисторы расположены произвольно. На сплошной донной части упругого элемента 1 наклеены компенсационные тензорезисторы 4 произвольной ориентации.

Тензорезисторы 3 и 4 электрически соединены в измерительный мост. Датчик защищен кожухом 5 с электрическим разъемом 6.

Датчик работает следующим образом.

Давление среды Р подается в полость упругого элемента 1, и под его воздействием на поверхности цилиндра возникает напряженное состояние. Возникает осевое датчик давления, патент № 2032157о (вдоль образующей) и окружное датчик давления, патент № 2032157t (поперек образующей) напряжения. Для тонкостенного цилиндра справедливо выражение:

датчик давления, патент № 2032157o = датчик давления, патент № 2032157 ; датчик давления, патент № 2032157t = датчик давления, патент № 2032157 где D - наружный диаметр цилиндра,

датчик давления, патент № 2032157 - толщина стенки,

Р - давление среды.

Векторная сумма напряжений на поверхности цилиндра (эквивалентное напряжение)

датчик давления, патент № 2032157экв = датчик давления, патент № 2032157 = датчик давления, патент № 2032157 а направление вектора эквивалентного напряжения к вектору осевого напряжения (образующей цилиндра) будет равно

датчик давления, патент № 2032157=arctg датчик давления, патент № 2032157 = arctg2=63датчик давления, патент № 203215726датчик давления, патент № 2032157

Таким образом, тензорезисторы, наклеенные под расчетным углом к образующей цилиндра, будут испытывать напряжение в датчик давления, патент № 2032157 раз больше, чем тензорезисторы, наклеенные вдоль образующей, как это выполнено в прототипе. Иными словами, при прочих равных условиях чувствительность датчика давления повышается в датчик давления, патент № 2032157 раз по сравнению с известными.

Класс G01L9/04 резисторных тензометров 

высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2526788 (27.08.2014)
датчик давления -  патент 2523754 (20.07.2014)
датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы для прецизионных измерений -  патент 2516375 (20.05.2014)
способ измерения давления и интеллектуальный датчик давления на его основе -  патент 2515079 (10.05.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2512142 (10.04.2014)
высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2507491 (20.02.2014)
датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром -  патент 2507490 (20.02.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2505791 (27.01.2014)
преобразователь давления -  патент 2502970 (27.12.2013)
способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2498250 (10.11.2013)
Наверх