система питания импульсной нагрузки от индуктивного накопителя

Классы МПК:H03K3/53 с использованием элементов, аккумулирующих энергию и разряжаемых через нагрузку с помощью переключающих устройств, управляемых внешним сигналом, и не содержащих цепи положительной обратной связи
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Додотченко Владислав Владимирович,
Николаев Анатолий Григорьевич,
Ткаченко Иван Иванович
Приоритеты:
подача заявки:
1992-04-17
публикация патента:

Использование: изобретение относится к импульсной технике и предназначено для питания импульсной нагрузки от разделенного на две разные секции индуктивного, преимущественно сверхпроводящего или криорезистивного, накопителя энергии, заряжаемого от трехфазного источника тока (ТИПТ) через дозирующий конденсатор и четырехплечный выпрямительный мост в режиме неизменной мощности за много периодов изменения напряжения источника. Сущность изобретения: с целью улучшения удельных энергетических показателей системы путем уменьшения установленной мощности ТИПТ за счет уменьшения несимметрии фазовых токов, увеличения коэффициента мощности упомянутого источника и коэффициента использования его по мощности, а также сокращения времени заряда индуктивного накопителя система содержит ТИПТ с тремя линейными выводами, индуктивный накопитель с двумя выводами и отводом от середины его обмотки, управляемый ключ, импульсную нагрузку, четыре вентиля, включенных по схеме однофазного четырехплечного выпрямительного моста, размыкающий коммутатор с двумя парами контактов и дозирующий конденсатор. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

1. СИСТЕМА ПИТАНИЯ ИМПУЛЬСНОЙ НАГРУЗКИ ОТ ИНДУКТИВНОГО НАКОПИТЕЛЯ, содержащая трехфазный источник переменного тока с тремя линейными выводами, индуктивный, преимущественно сверхпроводящий или криорезистивный, накопитель энергии с двумя выводами и отводом от середины его обмотки, к выводам которого через управляемый ключ подключена импульсная нагрузка, четыре вентиля, размыкающий коммутатор с двумя парами контактов, блокирующий вентиль, катод которого связан с катодом первого вентиля и через первую пару контактов размыкающего коммутатора - с первым выводом индуктивного накопителя, а анод - с анодом второго вентиля и через вторую пару контактов размыкающего коммутатора - с вторым выводом индуктивного накопителя, дозирующий конденсатор, отличающаяся тем, что, с целью улучщения ее удельных энергетических показателей путем уменьшения установленной мощности трехфазного источника переменного тока за счет уменьшения несимметрии фазовых токов, увеличения значения коэффициента мощности упомянутого источника и коэффициента использования его по мощности, а также сокращения времени заряда индуктивного накопителя, четыре вентиля включены по схеме однофазного четырехплечего выпрямительного моста, при этом анод первого вентиля соединен с третьим выводом трехфазного источника переменного тока и с катодом четвертого вентиля, анод которого связан с анодом второго вентиля, подключенного катодом к второму выводу трехфазного источника переменного тока и аноду третьего вентиля, связанного катодом с катодом первого вентиля, причем первый вывод трехфазного источника переменного тока через дозирующий конденсатор подключен к отводу от середины обмотки индуктивного накопителя.

2. Система по п.1, отличающаяся тем, что емкость C дозирующего конденсатора определяется выражением

система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540

где L - индуктивность индуктивного накопителя между его первым и вторым выводами;

f - частота изменения напряжений трехфазного источника;

система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 - добротность системы при заряде полуобмоток (секций) индуктивного накопителя через дозирующий конденсатор;

Rли - внутренне активное линейное сопротивление трехфазного источника переменного тока;

Rин - активное сопротивление индуктивного накопителя между его первым и вторым выводами;

Rв - среднее значение сопротивления одного вентиля выпрямительного моста в проводящем направлении;

Rк - активное сопротивление замкнутой пары контактов размыкающего коммутатора.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для питания импульсной нагрузки от разделенного на две равные секции индуктивного, преимущественно сверхпроводящего или криорезистивного, накопителя энергии (СПИН или КРИН), заряжаемого от трехфазного источника переменного тока (ТИПТ) через дозирующий конденсатор (ДК) и четырехплечный выпрямительный мост (ВМ) в режиме неизменной мощности за много периодов изменения напряжения источника.

Целью изобретения является улучшение удельных энергетических показателей системы путем уменьшения установленной мощности трехфазного источника переменного тока за счет уменьшения несимметрии фазовых токов, увеличения коэффициента мощности упомянутого источника и коэффициента его использования по мощности и сокращение времени заряда индуктивного накопителя.

На чертеже приведена электрическая схема системы питания импульсной нагрузки от индуктивного накопителя.

Система питания импульсной нагрузки содержит трехфазный источник 1 переменного тока с тремя линейными выводами 2 - 4, индуктивный, преимущественно сверхпроводящий или криорезистивный, накопитель 5 энергии с двумя выводами 6, 7 и отводом 0 от середины его обмотки, к выводам 6 и 7 которого через управляемый ключ 8 подключена импульсная нагрузка 9, четыре вентиля 10 - 13, включенных по схеме четырехплечного выпрямительного моста 17 с положительным выходом, образованным точкой соединения катодов первого 10 и третьего 12 вентилей, отрицательным выходом, образованным точкой соединения анодов второго 11 и четвертого 13 вентилей, первым и вторым входами, образованными точкой соединения анода первого 10 и катода четвертого 13 вентилей и точкой соединения катода второго 11 и анода третьего 12 вентилей соответственно, размыкающий коммутатор с двумя парами контактов 14, 14", блокирующий вентиль 15, катод которого связан с положительным выходом выпрямительного моста (ВМ) 17, и через первую пару контактов 14 размыкающего коммутатора - с первым выводом 6 индуктивного накопителя 5, а анод - с отрицательным выходом ВМ 17 и через вторую пару контактов 14" - с вторым выводом 7 индуктивного накопителя 5, дозирующий конденсатор (ДК) 16, включенный между отводом 0 от середины обмотки индуктивного накопителя 5 и первым выводом 2 трехфазного источника 1, второй 3 и третий 4 выводы которого подключены к второму и первому входам выпрямительного моста 17 соответственно. При этом емкость С дозирующего конденсатора 16 определяется выражением

C = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540, (1) где L - индуктивность индуктивного накопителя (ИН) 5 между его первым 6 и вторым 7 выводами;

f - частота изменения напряжения трехфазного источника 1;

Q= система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540/(Rли+Rин/2+ Rв+ Rк) - добротность системы при заряде секций (полуобмоток) ИН 5 через ДК 16;

Rли - внутреннее активное линейное сопротивление трехфазного источника 1 переменного тока;

Rин - активное сопротивление ИН 5 между его выводами 6 и 7 (для СПИН Rин система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400, а для тороидального КРИН, алюминиевая обмотка которого охлаждается жидким или кипящим водородом Rин= L/система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L", где система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L"= L/Rин = 40-70 с - постоянная времени КРИН;

Rв - среднее сопротивление вентиля ВМ 17 в проводящем направлении;

Rк - активное сопротивление замкнутой пары контактов 14 или 14" размыкающего коммутатора.

Система питания импульсной нагрузки работает следующим образом.

Энергия трехфазного источника 1 переменного тока (ТИПТ) преобразуется вентилями выпрямительного моста (ВМ) 17 в энергию постоянного тока и периодически с частотой f источника 1 запасается в дозирующем конденсаторе (ДК) 16 и заряжаемом за много периодов (Т = 1/f) индуктивном накопителе (ИН) 5, а затем из него через управляемый замыкающий коммутатор (УЗК) 8 передается в импульсную нагрузку 9. Затем вновь производится заряд ИН 5 до требуемого тока (энергии) и его разряд на импульсную нагрузку 9 и далее процессы заряда-разряда повторяются циклически с частотой fли = 1/(tзк +система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540ли), где tзк - время заряда ИН 5 до максимального тока Iзт; система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540ли- время разряда ИН 5 на импульсную нагрузку 9. По окончании разряда ИН 5 на импульсную нагрузку 9 в обмотке этого накопителя может быть ненулевое значение тока Iзо, составляющего начальный ток заряда индуктивного накопителя 5.

Наличие в составе этой системы пяти вентилей 10 - 15 и трехточечное включение обмотки ИН 5 (секции которого имеют взаимоиндуктивную связь друг с другом с коэффициентом связи, близким к единице) к выпрямительному мосту 17 и ТИПТ 1 обуславливают циклическую реконфигурацию электрических цепей с трехфазным источником 1, в результате чего энергия источника 1 передается в двухсекционный индуктивный накопитель 5 одновременно электрическим и электромагнитным путями.

Рассматривая электромагнитные процессы в этой существенно нелинейной системе, будем считать, что линейные напряжения U23, U34 и U42 сдвинуты на электрический (эл.) угол 120 град, и отсчет времени заряда ИН 5 начинается с нулевого значения возрастающего линейного напряжения U23 ТИПТ 1, а добротность системы Q > 10.

При выполнении соотношения (1), наличии в индуктивном накопителе 5 начального тока Iзо, электромагнитной (взаимоиндуктивной) связи секций ИН 5 с коэффициентом связи, равным единице (что характерно для тороидальных конструкций СПИН или КРИН) для первого положительного полупериода линейного напряжения U23 (когда потенциал вывода 2 выше потенциала вывода 3 ТИПТ 1) и со сдвигом на 60 эл.град. для первого отрицательного полупериода линейного напряжения U42 (когда потенциал вывода 2 ТИПТ 1 выше потенциала вывода 4), происходит квазирезонансный заряд нижней (по чертежу) секции ИН 5 через ДК 16 по цепям: источник 1 - вывод 2 - ДК 16 - отвод 0 - нижняя секция ИН 5 - вывод 7 - замкнутая пара контактов 14" управляемого размыкающего коммутатора (УРК) - вентиль 11 ВМ 17 - вывод 3 - источник 1 и источник 1 - вывод 2 - ДК 16 - отвод 0 - нижняя секция ИН 5 - вывод 7 - замкнутая пара контактов 14" УРК - вентиль 13 ВМ 17 - вывод 4 - источник 1 током

iC1= система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 sin система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t + система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 sin (система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t- 240система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540),

который достигнет своего максимального значения Iст1 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315403,46 Uтл/( система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L) при система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 t = 120о, где Uтл - амплитуда линейного напряжения ТИПТ 1; система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 = 2система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 f - круговая частота изменения линейных напряжений ТИПТ 1; t - время, а ДК 16 при система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 t = 120о зарядится до максимального напряжения Uст1система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 CC1 dt = 1,50 Uтл. Максимальный ток Iст1 по определенному ниже закону суммируется с начальным током Iзо заряда ИН 5, и полученный ток iз заряда индуктивного накопителя 5 замыкается через блокирующий вентиль 15 со сравнительно малым сопротивлением по цепи: нижняя секция ИН 5 - вывод 7 - пара контактов 14" УРК - вентиль 15 - пара контактов 14 УРК - вывод 6 - верхняя секция ИН 5 и сохраняется практически неизменным до следующего приращения тока Iст1". При этом приращение максимального тока Iст1 во всем индуктивном накопителе 5 уменьшается в два раза, так как индуктивность одной секции ИН 5 L/2 в два раза меньше индуктивности L всего индуктивного накопителя из-за взаимоиндуктивной связи его в нижней и верхней секциях с коэффициентом связи, равным единице, для тороидального СПИН или КРИН.

При первом отрицательном полупериоде изменения линейного напряжения U23 ТИПТ 1 и со сдвигом на 60 эл.град. при первом положительном полупериоде изменения линейного напряжения U42 линейные напряжения U23 и U42 ТИПТ 1 соединяются последовательно-согласно с напряжением Uст1 = 1,5 Uтл на ДК 16 и происходит подзаряд верхней секции ИН 5 по цепям: источник 1 - вывод 3 - вентиль 12 - пара контактов 14 УРК - вывод 6 - верхняя секция ИН 5 - отвод 0 - ДК 16 - вывод 2 - источник 1 и источник 1 - вывод 4 - вентиль 10 - пара контактов 14 УРК - вывод 6 - верхняя секция ИН 5 - отвод 0 - ДК 16 - вывод 2 - источник 1 током

iсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315403,50 sinсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t + 3,50 sin (система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t - 240система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540)система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 который достигает своего максимального значения

Iсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 6,06 Uтл eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 / (система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L) система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 5,68 Uтл/(система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L) при система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 t = 300о и добротности системы Qсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 203154020, а ДК 16 при система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 t = 300озарядится до максимального напряжения

Uсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 iсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 dtсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 1,75 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 1,5 Uтл система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540

система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315401+ eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540/система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315402[1-1/(4Q2)]система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 2,56 Uтл обратной полярности при Qсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 203154020. Максимальный ток Iст1" по определенному закону суммируется с предыдущим током iз заряда ИН 5 и, замыкаясь по описанной выше цепи через блокирующий вентиль 15, приращение тока Iст1" уменьшается во всем ИН 5 в два раза до величины Iст1"/2 и сохраняется практически неизменным до следующего приращения тока ILт1.

При первом отрицательном полупериоде изменения линейного напряжения U34 (когда потенциал вывода 4 выше потенциала вывода 3) происходит подзаряд всего ИН 5 по цепи: источник 1 - вывод 4 - вентиль 10 - пара контактов 14 УРК - вывод 6 - ИН 5 - вывод 7 - пара контактов 14 - вентиль 11 - вывод 3 - источник 1 током iL1 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 [Uтл/(система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L )] sin ( система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t-120o-90o), который достигает своего максимального значения ILт1система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540Uтл/(система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 L) при система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t = 420о. Этот максимальный ток ILт1 суммируется по определенному ниже закону с током iз во всей обмотке ИН 5 и полученный ток замыкается по описанной выше цепи через блокирующий вентиль 15 и сохраняется практически неизменным до следующего приращения тока Iст2.

И так далее в течение шести периодов изменения линейных напряжений ТИПТ 1, в течение которых максимальное приращение тока в нижней и верхней секциях ИН 5 Iстi и Iстi" и максимальное напряжение заряда ДК 16 Uстi и Uстi" возрастают, насыщаясь в конце 6-го периода изменения линейного напряжения U42, когда наступает установившийся режим заряда индуктивного накопителя 5, где i = 2,3,4,5 и 6 - номер отсчитываемого периода.

В установившемся режиме заряда нижней и верхней секций индуктивного накопителя 5 (i > 6) ток подзаряда нижней Iст и верхней Iст" секций ИН 5 при добротности системы Q = 20 определяется следующим выражением:

iC= iсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540sin система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t + sin (система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540t - 240система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540)система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540, (2) где Uстсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 Uсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 0,5 (2 Uтл+ Uст) 1,5система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315401+ eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540/2 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 5,85 Uтл максимальное напряжение заряда и подзаряда ДК 16, а максимальный ток подзаряда нижней Iст и верхней Iст" секций ИН 5 в каждом последующем периоде (i > 6) определяется при Q = 20 соотношением:

Iст= Iсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 eсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540(0,866 +0,866) = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540. (3) Максимальные приращения тока Iст и I"ст1 в нижней и верхней секциях ИН 5 замыкаются через блокирующий вентиль 15, уменьшаются в два раза до Iст/2 = Iст"/2 и по определенному ниже закону суммируются с предыдущим током iз заряда индуктивного накопителя 5, который тоже по описанной выше цепи замыкается через блокирующий вентиль 15 и сохраняется практически неизменным до следующего приращения токов I, Iст и Uст", причем ток I подзаряда всего ИН 5 от линейного напряжения U34 в любом периоде (от i = 1 до i = nк = ftзк, где tзк - время заряда ИН 5 до максимального тока Iзт) неизменен.

Как следует из закона сохранения энергии и баланса энергии, в системе при заряде ИН 5 в установившемся режиме текущий ток iз подзаряда ИН 5 от начального тока Iзо до тока iз за время tз определяется выражением

iзсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540, (4) где k = Iзо/Iзт - относительный начальный ток заряда индуктивного накопителя 5, нормированный по максимальному току Iзт его заряда.

Как следует из выражения (4), максимальный ток заряда индуктивного накопителя 5 достигается в конце цикла его заряда за время tзк и находится по выражению

iзтсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540, (5) а в прототипе по авт.св. N 1677849 - по выражению Iзтпр система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315404,4 Uсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 / (система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540) . Поэтому при одинаковых в сопоставляемых системах амплитуде линейного напряжения Uтл ТИПТ 1, частоте f и круговой частоте система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540=2система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540f изменение напряжений ТИПТ 1, индуктивности L всего ИН 5, относительном начальном токе k = Iзо/Iзт заряда ИН 5 и максимальном токе Iзтпр = Iзт заряда индуктивного накопителя 5 отношение времен заряда ИН 5 в предложенной системе и в прототипе (индекс Пр) определяется при добротности системы Q=20 соотношением:

t*зк= tзк/tзкпр система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540+ система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540. (6) Например, для f = 50 Гц и tзкпр = 4 с время заряда индуктивного накопителя 5 предложенной системы tзксистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,110 tзкпр приблизительно в 9 раз меньше, чем в прототипе.

Выражения (4) - (6) получены при резонансном режиме заряда секций ИН 5 через ДК 16, а при отсутствии резонанса в системе они примут вид

iзсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 5,25 Uсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540/система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 , Iзтсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 5,25 Uтлсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540/(система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540) и t*зк= tзк/tзкпрсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540(4,4/5,25)2=0,700 соответственно.

Видно, что заряд секционированного ИН 5 в резонансном режиме осуществляется большим током и из-за этого время заряда индуктивного накопителя 5 сокращается.

Как следует из выражения (4), установившийся процесс заряда индуктивного накопителя 5 будет протекать в режиме неизменной средней за период потребляемой от трехфазного источника 1 переменного тока мощности.

Идеальный коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности, под которым, как принято, понимается отношение средней за период мощности Рср источника 1 типа трехфазного трансформатора к его максимальной мощности Рт, составляет величину Кинсрт система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 Киит (1-0,75/6) = 0,91система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,875 = 0,795, где Киит = 0,91 - идеальный коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности при симметричной нагрузке и равномерном использовании всех его трех фаз по мощности. Для сравнения у прототипа идеальный коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности в 1,31 раз меньше, чем в предложенной системе, и составляет Кпитрсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540Кпит(1-2/6)= 0,91 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,667 = 0,607, что объясняется большей неравномерностью нагрузки фаз по мощности, в два раза меньшей, чем в предложенной системе, идеальным коэффициентом использования линий 2-3 и 4-2 ТИПТ 1 по мощности при заряде ДК, а также отсутствием наложения токов линий ТИПТ 1 при заряде секций ИН 5, что оптимальным образом осуществляется в предложенной системе.

Коэффициент мощности ТИПТ 1 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540m(1-0,75/6) = 0,854, где система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540m= 0,97-0,98 - максимальный коэффициент мощности ТИПТ 1 при симметричной нагрузке и равномерном использовании его фаз по мощности. Для сравнения в прототипе по тем же причинам коэффициент мощности ТИПТ 1 приблизительно в 1,3 раза меньше и составляет система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540прсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540m (1-2/6) = 0,650.

При определении емкости С дозирующего конденсатора 16 по выражению (1) КПД заряда верхней или нижней секции индуктивного накопителя 5 определяется выведенным нами соотношением:

система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540, (7) где система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540L= L/(Rли+Rин/2+Rв+Rк) - постоянная времени системы; k = Iзо/Iзт - относительный начальный ток заряда ИН 5; система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540= 2система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540f; остальные обозначения такие же, как и в выражении (1). Например, для реальной добротности системы Q система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 203154020 КПД заряда нижней и верхней секций ИН 5 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,99.

Для сравнения в прототипе КПД заряда ДК система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зепрсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 0,98, КПД заряда верхней и нижней секций ИН 5 через ДК система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зLпрсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,99 и общий КПД заряда ИН 5 система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зпрсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540(система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зепр+система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зLпр)/2 = 0,985.

Практический коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности, под которым, как принято, понимается отношение средней зарядной мощности последующих (кроме первого) зарядов индуктивного накопителя 5 Рзср=L(Iзт2 - Iзо2)/(2tзк) = LIзт2(1-k2)/(2tзк) к максимальной мощности Рт трехфазного источника 1, определяется следующим очевидным выражением:

Kип= система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 = Kипсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540зсистема питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 0,795система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,854система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,99 = 0,674. (8) Для сравнения в прототипе практический коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности в 1,74 раз меньше и составляет Киппр = (Кин система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540з) пр система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 0,607система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,65система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,985 = 0,388.

Максимальная установленная мощность трехфазного источника 1 переменного тока Рт = Рзсрип тем меньше, чем больше практический коэффициент использования ТИПТ 1 по мощности Кип и составляет Рт = 1,48 Рзср. Для сравнения в прототипе максимальная установленная мощность ТИПТ 1 в 1,74 раза больше и составляет при той же средней мощности заряда ИН Рзcр величину Ртпрзcриппр = =2,58 Рзср.

Когда индуктивный накопитель 5 зарядится до заданного максимального тока Iзт, не показанный на чертеже блок управления системой замыкает управляемый замыкающий коммутатор 8, например типа тиристорного ключа или управляемого разрядника, и размыкает две пары контактов 14 и 14" управляемого размыкающего коммутатора (УРК).

В результате этого ИН 5 разряжается на импульсную нагрузку 9 током ip, изменяющимся в процессе разряда от максимального Iро = Iзт (в начале разряда) до конечного значения ip = I = Iзо (в конце разряда) за время система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540пи. Когда ток разряда ИН 5 достигает заданного конечного значения ip = I = Iзо, блок управления системой замыкает две пары контактов 14 и 14" УРК, оставшийся в индуктивном накопителе 5 ток Iрк = Iзо замыкается через блокирующий вентиль 15 и происходит следующий цикл заряда индуктивного накопителя 5 от начального Iзо до максимального Iзт тока и последующий его разряд на импульсную нагрузку 9. И так далее циклически с частотой fпи = 1/(tзк + система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540пи).

Так как трехфазный источник 1 переменного тока типа трехфазного трансформатора с удельной массой система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и является самым тяжелым агрегатом системы и его масса mи, составляющая приблизительно 0,8-0,85 от массы mпс системы, пропорциональна максимальной установленной мощности ТИПТ 1 mи = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540иРт =система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и 1,48 Рзср в рассматриваемой системе с массой mпс = =mи/0,8 = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и 1,48 Рзср/0,8, а в прототипе mипр = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и Ртпр = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и 2,58 Рзсе с массой mпр = = mипр(0,85 = система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540и 2,58 Рзср /0,85, то такие важнейшие удельные энергетические показатели предложенной системы, как удельная энергия Wет = Епи /mпс система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 2031540 Iзт2 (1 - k2) /(2 mлс) и удельная мощность Wрт = Рзср/mпс LIзт2 (1-k2)/(2tзкmпс) будут в 1,65 раза лучше (больше), чем в прототипе WЕтпр = Епи/mпрLIзт2 (1-k2)/(2mпр) и Wртпрзср/mпр=LIзт2(1-k2)/(2tзкпрmпр) при одинаковых для сопоставления систем энергии импульса питания нагрузки 9 Епи и средней зарядной мощности индуктивного накопителя 5 Рзср(W/WEтпр = Wрт/Wрт.пр = mпр/mпс = =(2,58система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,8)/(1,48система питания импульсной нагрузки от индуктивного   накопителя, патент № 20315400,85)=1,65.

Следовательно, удельные энергетические показатели предложенной системы улучшаются по сравнению с базовой системой-прототипом в 1,65 раз путем уменьшения максимальной установленной мощности трехфазного источника 1 тока в 1,74 раза за счет уменьшения несимметрии фазовых токов ТИПТ 1, увеличения коэффициента мощности упомянутого источника 1 в 1,31 раза и увеличения практического коэффициента использования его по мощности в 1,74 раза, а время заряда индуктивного накопителя сокращается в 9 раз.

Класс H03K3/53 с использованием элементов, аккумулирующих энергию и разряжаемых через нагрузку с помощью переключающих устройств, управляемых внешним сигналом, и не содержащих цепи положительной обратной связи

способ и устройство обезвреживания противодесантных мин и подводных роботов разведчиков -  патент 2525328 (10.08.2014)
аппарат и способы оптической эмиссионной спектроскопии -  патент 2512889 (10.04.2014)
электроискровой генератор энергии -  патент 2510130 (20.03.2014)
электрический генератор -  патент 2505916 (27.01.2014)
система для зарядки конденсатора, цифровой управляющий модуль и изолированный модуль получения данных для такой системы -  патент 2502182 (20.12.2013)
способ синхронизации многомодульного генератора импульсов напряжения -  патент 2501158 (10.12.2013)
способ заряда емкостного накопителя электрической энергии и устройства его осуществления (варианты) -  патент 2497273 (27.10.2013)
генератор импульсов напряжения -  патент 2477918 (20.03.2013)
способ получения электрической энергии от маломощных источников электропитания -  патент 2474042 (27.01.2013)
устройство для защиты емкостного накопителя энергии -  патент 2474024 (27.01.2013)
Наверх