светоизлучающий полупроводниковый диод миры

Классы МПК:H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
Патентообладатель(и):Васильев Михаил Александрович
Приоритеты:
подача заявки:
1992-07-22
публикация патента:

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к светоизлучающим полупроводниковым диодом. Сущность изобретения: в светоизлучающем полупроводниковым диоде Миры, содержащем два излучающих кристалла, размещенных под общим оптическим куполом-линзой, находящихся в одном корпусе и соединенных каждый с двумя внешними выводами, каждый вывод соединен с двумя излучающими кристаллами, причем излучающие кристаллы соединены в противоположной полярности. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД МИРЫ, содержащий два излучающих кристалла, размещенных под общим оптическим куполом-линзой, находящихся в одном корпусе и соединенных каждый с двумя внешними выводами, отличающийся тем, что каждый вывод соединен с двумя излучающими кристаллами, причем излучающие кристаллы соединены в противоположной полярности.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности излучающим свет в видимой части спектра диодам, содержащим два и более излучающих свет полупроводниковых кристалла, при протекании через них прямого тока.

Известен светодиод, состоящий из двух излучающих свет переменного цвета полупроводниковых кристаллов, находящихся под общим оптическим куполом-линзой, катоды которых внутри светодиода электрически соединены и имеют общий электрический вывод наружу корпуса, а их аноды имеют электрические выводы наружу корпуса, изолированные друг от друга.

Недостатками этого светодиода являются узкая область применения из-за наличия общего электрического вывода с одноименных полюсов полупроводниковых кристаллов наружу корпуса и ограничение величины приложения допустимого обратного напряжения.

Известен светоизлучающий диод, содержащий два последовательно электрически соединенных излучающих свет одного цвета однотипных полупроводниковых кристалла, находящихся под общим оптическим линейно вытянутым стеклянным куполом, под которым катод первого и анод второго излучающих свет полупроводниковых кристаллов электрически соединены внутри корпуса, а анод первого и катод второго полупроводниковых кристаллов этого светодиода имеют изолированные друг от друга электрические выводы наружу корпуса.

Недостатками этого светодиода являются ограниченная область применения из-за отсутствия общего электрического вывода наружу корпуса от места электрического соединения катода первого и анода второго излучающих свет полупроводниковых кристаллов и отсутствие возможности работать в цепях переменного напряжения.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является светодиод, содержащий два излучающих свет полупроводниковых кристаллов, электрические выводы которых имеют независимые друг от друга выходы наружу корпуса.

Недостатком этого светодиода является отсутствие возможности работать в цепях переменного тока из-за ограничения величины приложения допустимого обратного напряжения.

Возможность работы в цепях переменного тока достигается тем, что в светоизлучающем полупроводниковом диоде Миры, содержащем два излучающих кристалла, размещенных под общим оптическим куполом-линзой, находящихся в одном корпусе и соединенных каждый с двумя внешними выводами, каждый вывод соединен с двумя излучающими кристаллами, причем излучающие кристаллы включены в противоположной полярности.

Светоизлучающий полупроводниковый диод Миры, электрическая схема которого представлена на чертеже работает следующим образом.

При протекании через светодиод Миры номинального тока от вывода 1 к выводу 2 светоизлучающий полупроводниковый кристалл 3 излучает свет, так как протекающий через него прямой ток вызывает его свечение, а светоизлучающий полупроводниковый кристалл 4 свет не излучает, так как он оказался включенным встречно по отношению к направлению протекания тока, который вызывает у него образованиt тока обратного смещения. Величина падения напряжения на светодиоде Миры определяется величиной падения напряжения на светоизлучающем полупроводниковом кристалле 3.

При протекании через светодиод Миры номинального тока в направлении от вывода 2 к выводу 1 светоизлучающий полупроводниковый кристалл 4 излучает свет, так как уже через него протекает прямой ток, вызывая его свечение, а светоизлучающий полупроводниковый кристалл 3 свет не излучает, так как он теперь оказался включенным встречно по отношению к направлению тока, который вызывает у него возникновение тока обратного смещения. При этом величина падения напряжения на светоизлучающем полупроводниковом кристалле 4 определяет величину падения напряжения на светодиоде Миры.

Таким образом, благодаря встречно-параллельной схеме соединений излучающих свет полупроводниковых кристаллов 3 и 4 осуществляется двустороннее ограничение амплитуды полного размаха переменного напряжения и всегда сохраняется величина падения напряжения на светодиоде Миры на уровне обычного падения напряжения на светодиоде. Это позволяет при применении светодиода Миры не учитывать критерий максимальной величины допустимого обратного напряжения и эксплуатировать его в цепях переменного тока.

Предлагаемый светодиод может работать как в цепях постоянного, так и в цепях переменного токов, что позволяет ему иметь широкие области применения, сохраняя при этом компактность и технологичность его изготовления.

Класс H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

способ изготовления стекловидной композиции -  патент 2529443 (27.09.2014)
светоизлучающий прибор и способ его изготовления -  патент 2528604 (20.09.2014)
светодиодный модуль с пассивным светодиодом -  патент 2528559 (20.09.2014)
способ изготовления органического светоизлучающего диода -  патент 2528128 (10.09.2014)
ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах -  патент 2528112 (10.09.2014)
люминесцентный преобразователь для усиленного люминофором источника света, содержащий органические и неорганические люминофоры -  патент 2526809 (27.08.2014)
конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке -  патент 2526344 (20.08.2014)
осветительное устройство с сид и передающим основанием, включающим люминесцентный материал -  патент 2525834 (20.08.2014)
эффективное светоизлучающее устройство и способ изготовления такого устройства -  патент 2525620 (20.08.2014)
светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства -  патент 2525325 (10.08.2014)
Наверх