микрополосковая линия передачи

Формула изобретения

МИКРОПОЛОСКОВАЯ ЛИНИЯ ПЕРЕДАЧИ, содержащая элемент подавления высших типов волн в виде резистивных полосок, расположенных параллельно центральному проводнику у боковых граней диэлектрической подложки, отличающаяся тем, что, с целью увеличения широкополосности, резистивные полоски размещены внутри диэлектрической подложки в плоскости, параллельной ее основаниям.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано при конструировании СВЧ-схем на микрополосковых линиях.

Известно устройство для подавления высших мод в микрополосковой линии, представляющее собой отрезок микрополосковой линии с резистивными включениями в виде тонких резистивных полосок, находящимися непосредственно на верхней грани диэлектрической подложки микрополосковой линии и имеющими электрический контакт с экраном микрополосковой линии.

Недостатком этого устройства является то, что при определенных размерах центрального проводника микрополосковой линии оно является узкополосным, так как эффективно подавляет только "экранные" моды экранированной микрополосковой линии (ЭМПЛ) и практически никакого влияния не оказывает на "подложечные" моды.

Целью изобретения является увеличение широкополосности ЭМПЛ.

Это достигается тем, что в микрополосковой линии передачи, содержащей элемент подавления высших типов волн в виде резистивных полосок, расположенных параллельно центральному проводнику у боковых граней диэлектрической подложки, резистивные полоски размещены внутри диэлектрической подложки, в плоскости параллельной ее основаниям. Это дает возможность эффективно подавлять не только "экранные" моды в ЭМПЛ, но и моды "подложечного" типа, поле которых в основном сконцентрировано в диэлектрической подложке.

На фиг. 1 и 2 изображена микрополосковая линия с элементом подавления высших типов волн.

Диэлектрическая подложка отрезка микрополоcковой линии является двуслойной, состоящей из верхнего слоя 1 и нижнего слоя 2. На верхнем слое 1 размещен центральный проводник 3 микрополосковой линии. На нижний слой 2 нанесено резистивное покрытие 4, представляющее собой две тонкие резистивные полоски, размещенные вблизи боковых стенок микрополосковой линии параллельно ее центральному проводнику.

Устройство работает следующим образом.

Волны высших типов, имеющие поперечные составляющие магнитного поля большой интенсивности, внутри диэлектрической подложки вблизи боковых стенок микрополосковой линии возбуждают продольные токи проводимости в резистивных слоях, что и обеспечивает ослабление этих волн. В то же время у основной квази-Т волны микрополосковой линии поперечная составляющая магнитного поля имеет максимум в центре волновода, значит при распространении этой волны токи проводимости в узких резистивных полосках, размещенных вблизи боковых стенок, практически не возбуждаются, поэтому такое покрытие не влияет на условия распространения основной волны в экранированной микрополосковой линии и не приводит к ее ослаблению.

Ширина резистивных полосок при этом выбирается не меньше, _в/2, чтобы обеспечить значительное ослабление высших волн (_в- длина волны первого после основной высшего типа в микрополосковой линии). Оптимальной следует считать ширину полоски (0,8-1) _в .

Расстояние между резистивными полосками и проекцией центрального проводника на плоскость полосок должна быть больше _max, чтобы не произошло значительного подавления основной волны микрополосковой линии. ( _max - длина волны, соответствующая нижней частоте рабочего диапазона устройства подавления). Оптимальным следует признать расстояние, равное 1,5 _max.

Величина поверхностного сопротивления резистивного покрытия выбирается такой, чтобы обеспечить эффективное подавление волн высших типов. Оптимальной следует считать величину поверхностного сопротивления резистивного покрытия 50-100 Ом/ .

Резистивные полоски, размещенные внутри диэлектрической подложки ЭМПЛ в плоскости, параллельной ее основаниям, параллельно центральному проводнику вблизи боковых граней подложки, обеспечивают эффективное подавление всех волн высших типов, включая волны "подложечного" типа, и увеличивают широкополосность микрополосковой линии.