способ обработки подложек

Формула изобретения

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК, включающий размещение подложек в рабочей камере и подачу в камеру пара в течение времени, необходимого для прогрева подложек до температуры пара, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и качества обработки за счет исключения образования затеков и пятен на поверхности подложек, после прогрева подложек до температуры пара его подачу в рабочую камеру прекращают, а затем воздействуют на подложки импульсом СВЧ-излучения.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для промывки и сушки фотошаблонных заготовок и полупроводниковых пластин.

Цель изобретения - повышение производительности процесса и качества обработки за счет исключения образования затеков и пятен на поверхности подложек.

На чертеже представлено устройство для промывки и сушки подложек, общий вид.

Предложенный способ реализуется в устройстве, содержащем камеру 1, внутри которой установлен держатель 2, связанный с крышкой 3, в которой размещен нагреватель 4 и выполнена вытяжная вентиляция 5. Кроме того, внутри камеры установлены кассета 6 и СВЧ-излучатель 7 (дополнительный нагреватель). Камера соединена с парообразователем 8 (паров воды) трубой 9, внутри которой размещена заслонка 10 с возможностью изменения положения. В парообразователе 8 предусмотрен предохранительный клапан 11 для " стравливания" избытка пара и нагреватель 12. Ведут групповую обработку, для чего в кассету 6 устанавливают подложки 13.

Предложенный способ реализуется следующим образом. В начале технологического процесса на держатель 2 устанавливают кассету 6 с подложками 13, подлежащими обработке. Крышку 3 закрывают и поворотом заслонки 10 обеспечивают подачу пара из парообразователя 8 в камеру 1. Пар, выходящий из парообразователя, вытесняет имеющуюся в камере газовую среду через вытяжную вентиляцию 5, а затем частично начинает выходить сам, заполняя всю камеру 1.

В начале процесса пар конденсируется на холодных подложках 13. Конденсат, стекая, дополнительно промывает их. По мере прогрева подложек конденсация пара прекращается, что свидетельствует о прогреве их до температуры пара (100^оС). Экспериментально установлено, что на это уходит 4 мин. По истечении этого времени прекращают подачу пара в камеру, для чего перекрывают заслонкой 10 трубу 9 и подают импульс СВЧ-излучения на подложки из расчета удельной мощности 2 Вт на см² (в конкретном случае при мощности СВЧ-нагревателя 200 Вт, частоте 2,25 ГГц и размере подложек 13 102х102 мм длительность импульса составляет 3-5 с).

В связи с тем, что подложки 13 в основном прогреты парами воды и дополнительно промыты ими, поверхность их достаточно чистая, и быстрое (практически мгновенное - в течение 3-5 с) их досушивание СВЧ-излучением исключает образование затеков на поверхности подложек и образование капель, а после сушки - следов высушенной жидкости на краях. Это позволяет повысить качество финишной очистки за счет повышения качества процесса сушки.

Таким образом, досушивание поверхности подложки импульсом СВЧ-излучения позволяет значительно сократить время нахождения капелек влаги на поверхности подложек и соответственно уменьшить вероятность образования затеков и пятен, которые могут оставить медленно высыхающие капельки жидкости. По истечении заданного времени (устанавливается экспериментально для каждого вида СВЧ-нагревателя и размеров обрабатываемых подложек) крышку 3 открывают и подложки 13 извлекают из камеры 1, остатки пара удаляются вентиляцией 5.