коллиматор свч

Классы МПК:G01R29/10 диаграммы излучения антенн 
Автор(ы):, , , , ,
Патентообладатель(и):Казанский авиационный институт им.А.Н.Туполева
Приоритеты:
подача заявки:
1992-05-20
публикация патента:

Использование: для построения компактных антенных полигонов СВЧ-диапазона и проведения антенных измерений. Сущность изобретения: коллиматор содержит осесимметричную линзу 1, выполненную из однородного диэлектрика, тангенс угла потерь которого выбран в пределах 5коллиматор свч, патент № 2018854 10-3 ...5коллиматор свч, патент № 201885410-2 , облучатель 2 с осесимметричной диаграммой направленности шириной равной (0.4 ...2.1)2коллиматор свч, патент № 20188540 , где коллиматор свч, патент № 20188540 - угол раскрыва линзы, при этом толщина линзы tл выбрана из условия равенства затухания в центральной части линзы уровню поля на ее кромке и определяется соотношением: tл=коллиматор свч, патент № 2018854д/(коллиматор свч, патент № 2018854tgколлиматор свч, патент № 2018854)коллиматор свч, патент № 2018854ln[A(коллиматор свч, патент № 20188540коллиматор свч, патент № 2018854f(коллиматор свч, патент № 20188540)] , где коллиматор свч, патент № 2018854д - длина волны в диэлектрике; tgколлиматор свч, патент № 2018854 - тангенс угла потерь; A(коллиматор свч, патент № 20188540) - значение множителя амплитудного распределения линзы на ее кромке; f(коллиматор свч, патент № 20188540) - значение диаграммы направленности облучателя в направлении на кромку линзы. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

КОЛЛИМАТОР СВЧ, содержащий осесимметричную линзу, выполненную из однородного диэлектрика и облучатель с осесимметричной диаграммой направленности, установленной в фокусе линзы, отличающийся тем, что облучатель выполнен с шириной диаграммы направленности, равной (0,4...2,1) 2коллиматор свч, патент № 2018854o , где 2коллиматор свч, патент № 2018854o - угол раскрыва линзы, а линза выполнена из диэлектрика с потерями, причем значение тангенса угла потерь диэлектрика выбрано в пределах tg коллиматор свч, патент № 2018854 = 0,5коллиматор свч, патент № 201885410-3 - 5коллиматор свч, патент № 201885410-2 , толщина линзы выбрана равной

tл= коллиматор свч, патент № 2018854ln[A(коллиматор свч, патент № 20188540коллиматор свч, патент № 2018854f(коллиматор свч, патент № 20188540)],

где коллиматор свч, патент № 2018854д - длина волны в диэлектрике;

tg коллиматор свч, патент № 2018854 - тангенс угла потерь диэлектрика;

A(коллиматор свч, патент № 2018854o) - значение амплитудного множителя линзы на ее кромке;

f (коллиматор свч, патент № 2018854o) - значение диаграммы направленности облучателя на его кромке.

Описание изобретения к патенту

Изобретение касается антенных измерений и может быть использовано для построения компактных антенных полигонов СВЧ-диапазона.

Для уменьшения размеров антенного полигона используют коллиматоры, у которых вблизи от раскрыва формируется плоская волна, распространяющаяся перпендикулярно к раскрыву.

Известен коллиматор СВЧ, который содержит осесимметричную линзу (t = 20 мм), выполненную из однородного диэлектрика с малыми диэлектрическими потерями (фторопласт), и облучатель с осесимметричной диаграммой направленности, установленный в фокусе линзы.

Недостатком этого коллиматора является невысокий уровень электромагнитного поля в его рабочей зоне, обусловленный тем, что из-за требования однородности распределения электромагнитного поля в раскрыве коллиматора необходимо использовать облучатели с широкой диаграммой направленности. Широкий сектор облучения приводит к рассеянию значительной доли мощности вне коллиматора и как следствие - к низкому уровню поля в рабочей зоне антенного полигона.

Цель изобретения - увеличение уровня электромагнитного поля в рабочей зоне коллиматора без ухудшения однородности поля.

Для этого в устройстве, содержащем осесимметричную линзу, выполненную из однородного диэлектрика, и облучатель с осесимметричной диаграммой направленности, установленный в фокусе линзы, облучатель выполнен с шириной диаграммы направленности равной (0,4-2,1) 2 коллиматор свч, патент № 2018854o где 2 коллиматор свч, патент № 2018854o - угол раскрыва линзы, линза выполнена из диэлектрика с потерями, причем значение тангенса угла потерь выбрано в пределах 5х10-3-5х10-2, а толщина линзы tл выбрана из условия равенства затухания в центральной части линзы уровню поля на ее кромке и определяется соотношением

tл= коллиматор свч, патент № 2018854ln[A(коллиматор свч, патент № 20188540коллиматор свч, патент № 2018854f(коллиматор свч, патент № 20188540)], (1) где коллиматор свч, патент № 2018854д - длина волны в диэлектрике;

tg коллиматор свч, патент № 2018854 - тангенс угла потерь;

A (коллиматор свч, патент № 2018854o) - значение множителя амплитудного распределения линзы на ее кромке;

f (коллиматор свч, патент № 2018854o) - значение диаграммы направленности облучателя в направлении на кромку линзы.

Коллиматор СВЧ показан на фиг.1 и 2.

Он содержит диэлектрическую линзу 1, облучатель 2, поглощающий материал 3, металлический (экранирующий) корпус 4.

Коллиматор СВЧ работает следующим образом.

Облучателем 2 создается волна, падающая на линзу 1 и имеющая волновой фронт, близкий к сферическому в секторе коллиматор свч, патент № 2018854 коллиматор свч, патент № 2018854o (2 коллиматор свч, патент № 2018854o угол раскрыва линзы). После преломления в линзе 1 вблизи ее теневой поверхности формируется электромагнитное поле с почти синфазным распределением в плоскостях, перпендикулярных фокальной оси. Это поле должно, во-первых, иметь малые отклонения фазы коллиматор свч, патент № 2018854коллиматор свч, патент № 2018854 от постоянной величины, что достигается выбором облучателя (имеющего четко выраженный фазовый центр). Во-вторых, поле должно мало отличаться от однородного, т.е. плотность потока мощности в поперечных сечениях должна мало отличаться от постоянной величины. На выходе линзы поле должно быть близким к однородному, ширина ДН облучателя (2 коллиматор свч, патент № 20188540,5) должна быть по крайней мере больше угла раскрыва.

Расширение ДН облучателя приводит к уменьшению его коэффициента усиления и, следовательно, к уменьшению уровня поля в рабочей зоне коллиматора.

Ширина ДН облучателя выбирается равной (0,4-2,1)2 коллиматор свч, патент № 2018854o. При этом увеличивается спад поля к краям линзы, т.е. возрастает его неравномерность. Для компенсации этого эффекта линза выполнена из материала с заметными диэлектрическими потерями. Наличие потерь в диэлектрике ослабляет поле в центральной части в большей мере, чем на периферии линзы.

Варьируя диаграмму направленности облучателя, параметры линзы и затухание в материале, можно восстановить однородность поля, ухудшенную сужением ДН облучателя. Для этого должно выполняться условие равенства затухания в центре линзы уровню поля на ее краю, т.е.

f2(коллиматор свч, патент № 20188540)A2(коллиматор свч, патент № 20188540)= eколлиматор свч, патент № 2018854, (2) где fл - толщина линзы; коллиматор свч, патент № 2018854 - коэффициент затухания.

Таким образом наибольшая однородность поля будет, когда толщина линзы выбрана равной (1).

Существует множество значений толщины линзы, при которых можно обеспечить более равномерное поле за счет затухания в материале линзы. Однако при определенных значениях ширины ДН облучателя и тангенса угла потерь можно добиться увеличения уровня поля по сравнению с линзой без потерь.

Оптимальному значению соответствует ширина ДН облучателя, равная (при значениях 2 коллиматор свч, патент № 2018854o = 20-50о).

2 коллиматор свч, патент № 20188540,5= 2 коллиматор свч, патент № 2018854o (0,595-0,629) , (3) а уровень поля на краю линзы, равный затуханию в центральной ее части

eколлиматор свч, патент № 2018854=cosmколлиматор свч, патент № 20188540=0,374...0,405

(4)

При выполнении линзы из материала без потерь ширина ДН облучателя должна быть большей. Сравнение плотностей потока мощности для линзы без потерь, но с более широкой ДН и линзы с потерями, но более узкой ДН облучателя показывает, что результирующий эффект состоит в увеличении плотности потока мощности при наличии потерь. Наличие потерь дает эффект увеличения плотности потока мощности в 2,4-1,7 раза.

Положительный эффект сохраняется и при более узких ДН облучателя. Однако из-за возрастания фазовой ошибки излученного поля в направлениях, удаленных от нормали, выбирать уровень облучения краев линзы менее коллиматор свч, патент № 2018854 -10 дБ нецелесообразно. Кроме того, "выигрыш" в этом случае снижается и составляет при уровне -10 дБ величину порядка 1,7-1,09, при тех же параметрах 2 коллиматор свч, патент № 2018854o. Ширина ДН облучателя при этом выбирается равной (0,38-0,4)2коллиматор свч, патент № 2018854o.

Увеличение уровня сигнала при выполнении линзы из материала с потерями в действительности будет значительно большим, так как из-за влияния амплитудного множителя, не равного единице (как это принималось выше), ширина ДН облучателя в прототипе не будет равной 2 коллиматор свч, патент № 2018854o, а значительно большей (близкой к 180о).

Устройство может быть реализовано следующим образом. Необходимое значение потерь достигается применением в качестве диэлектрика материала с умеренными потерями, например пенополиуретана. В зависимости от марки значение коллиматор свч, патент № 2018854 для них составляет от 1,05 до 1,2-1,4, а tgколлиматор свч, патент № 2018854 = 10-3-10-2. Линза может выполняться с преломляющей освещенной и плоской теневой поверхностью или двоякопреломляющей. Облучатель может быть выполнен в виде синфазного рупора с импедансными стенками (канавками). Требуемое значение ширины ДН 15-35о легко достижимо.

Кроме того, коллиматор СВЧ улучшает равномерность поля в рабочей зоне коллиматора без связи со свойствами облучателя. В линзе существуют многократно отраженные волны от обеих преломляющих поверхностей. Складываясь с прошедшей волной, они вызывают осцилляцию амплитудного распределения поля.

Таким образом, амплитуда осцилляций оказывается меньшей (для оптимального случая коллиматор свч, патент № 2018854 в 2,5 раза, для случая с уровнем поля на краю - 10 дБ, соответственно в 10 раз).

Класс G01R29/10 диаграммы излучения антенн 

способ измерения характеристик диаграммы направленности активной/пассивной фазированной антенной решетки -  патент 2526891 (27.08.2014)
способ встроенного контроля характеристик активной фазированной антенной решетки -  патент 2511032 (10.04.2014)
способ определения поляризационных характеристик антенн -  патент 2509316 (10.03.2014)
способ измерения пеленгационных ошибок систем антенна-обтекатель самолета с установленной на нем бортовой радиолокационной станцией -  патент 2465611 (27.10.2012)
устройство подвеса радиолокационного объекта -  патент 2456625 (20.07.2012)
измеритель пеленгационных характеристик систем антенна - обтекатель -  патент 2442181 (10.02.2012)

компактный полигон для измерения характеристик различных антенных систем -  патент 2421744 (20.06.2011)
устройство крепления эталонного радиолокационного отражателя в виде металлической сферы -  патент 2400763 (27.09.2010)
способ измерения коэффициента усиления антенны радиолокационной станции -  патент 2382370 (20.02.2010)
способ измерения эффективной площади рассеяния объектов и радиолокационный комплекс для его осуществления -  патент 2371730 (27.10.2009)
Наверх