накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов

Классы МПК:H05H13/00 Магнитные резонансные ускорители; циклотроны
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Объединенный институт ядерных исследований
Приоритеты:
подача заявки:
1990-11-29
публикация патента:

Использование: относится к ускорительной технике. Цель изобретения - получение интенсивных коротких сгустков многозарядных ионов. Сущность изобретения: накопитель содержит электромагнит с одной катушкой возбуждения постоянного тока, секторную магнитную структуру для удержания пучка ионов на дорожке, образованной внешним ярмом электромагнита, импульсную систему вывода частиц из накопителя, дуговой ионный источник открытого типа под положительным потенциалом относительно земли с вытягивающим электродом для извлечения ионов, генерируемых источником. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

НАКОПИТЕЛЬ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧНЫХ ТЯЖЕЛЫХ ИОНОВ, содержащий вакуумную камеру, расположенную в рабочем зазоре электромагнита с катушкой возбуждения постоянного тока, установленной на центральном сердечнике, секторную магнитную систему для удержания пучка на орбите накопителя, источник ионов и импульсную систему вывода частиц из накопителя, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности пучков ионов, источник ионов выполнен дуговым, при этом в его аноде выполнено отверстие для прохождения пучков, расположенное в медианной плоскости магнита, катод и антикатод расположены по разные стороны медианной плоскости, а ионный источник снабжен вытягивающим электродом.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к ускорительной технике, а именно к проблеме получения интенсивных сгустков тяжелых ионов с длительностью порядка микросекунд. Эта задача связана с трудностью, возникающей при заполнении накопительного кольца или синхротрона при инжекции пучков тяжелых ионов, когда требуется яркий источник ионов, высокая импульсная интенсивность пучка, поскольку эффективность инжекции существенно зависит от длительности сгустка ионов.

В ускорителях тяжелых ионов, например циклотронах, широко используется дуговой полный источник, позволяющий получать пучок высокой средней интенсивности (1013-1014 ч/с) многозарядных ионов (Z накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 8-10). Однако применение циклотрона в качестве инжектора накопителей тяжелых ионов с таким источником затруднительно из-за малоэффективного (10-6) захвата частиц на центральную орбиту накопителя, так как интенсивность пучка составит 107 - 108 частиц в кольце (в случае однооборотной инжекции).

В качестве прототипа рассматривается небольшое накопительное кольцо с параметрами: R = 1,8 м, BR = 0,2 Тм, куда инжектируются ионы Н2+, D2+, Н- с энергией 0,6 МэВ с помощью перезарядки частиц на газовом стриппере (С7F14). Период обращения ионов составляет ~ 0,3 мкс. Накопление тяжелых ионов в этой схеме практически невозможно из-за низкой эффективности перезарядки низкоэнергичных частиц на газовой мишени.

Целью изобретения является получение интенсивных коротких сгустков многозарядных ионов.

Цель достигается тем, что в известном накопителе ионов, содержащем электромагнит с одной катушкой возбуждения постоянного тока, установленной на центральном сердечнике, секторную магнитную структуру, образованную внешним ярмом электромагнита, и импульсную систему вывода частиц из накопителя, на центральной орбите дорожки накопителя установлен дуговой ионный источник открытого типа с осциллирующей дугой, состоящий из катода, располагаемого выше медианной плоскости (МП) накопителя, прямого либо косвенного накала, нагреваемого с помощью нити, и антикатода.

На фиг. 1 представлена схема накопителя; на фиг.2 - поперечное сечение электромагнита; на фиг.3 - источник ионов.

Накопитель содержит центральный сердечник 1 электромагнита, катушку 2 возбуждения, кольцевой полюс 3, секторные накладки 4, открытый дуговой ионный источник 5, катод 51, антикатод 52, конус-диафрагму 53, нить накала 54; вытягивающий электрод 6, импульсный дефлектор 7, фокусирующий канал 8, вакуумную камеру 9 накопителя.

Устройство работает следующим образом.

Электроны, эмиттируемые катодом, попадают в разряд через диафрагму 53 в верхней части камеры, служащей анодом, доходят до антикатода, находящегося под тем же потенциалом, возвращаются обратно, совершая колебания по оси разряда. В месте расположения диафрагмы или конуса осуществляется подача рабочего газа. Ионный источник 5 находится под положительным потенциалом V относительно земли. Образованные в разряде ионы с зарядом Z извлекаются из источника с помощью вытягивающего электрода 6 под потенциалом земли. Совершив оборот по дорожке накопителя, частицы при подходе к источнику теряют энергию, оказываясь в разряде, извлекаясь затем в последующий оборот. Если исключить возможные потери ионов пучка на перезарядку на газе камеры накопителя или в плазме дуги источника, на орбите будут накапливаться, удерживаться ионы, генерируемые непрерывно работающим ионным источником. Возможно накопление интенсивных пучков высокозарядных ионов, например с Zнакопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 12, интенсивность которых обычно менее 1 мкА.

Предельное количество частиц пучка (Nпред), удерживаемых на дорожке накопителя, определяется кулоновским сдвигом частоты бетатронных (аксиальных) колебаний накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 до резонансного значения:

Nпред= накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 , где накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352, накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 - относительные скорость и энергия частиц;

ro = 1,5 накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 201735210-16 Z2я - классический радиус иона (Z - заряд, Ая - масса);

A = накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 - адмиттанс накопителя, а - полуапертура камеры накопителя (аксиальная); R - радиус накопления; F накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 1 - фактор огибающей пучка (F накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 1). Рассматриваемая трехсекторная структура накопителя характеризуется следующими параметрами: уровень среднего магнитного поля накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 = 3 кГс; Bнакопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 = 2 аГс; Вх = 4 кГс (поле в долине и холме соответственно); BR = 1,2 кгсм; частоты бетатронных колебаний накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352r = 1,06, накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352z = 0,33, флаттер магнитного поля F1 = 0,11; угол спиральности накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 = 0; накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 = накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352z = 0,17. Последнее определяет сдвиг частоты аксиальных колебаний до резонансного значения 2 накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352z= 1. Это линейный параметрический резонанс, усугубляемый при наличии первой гармоники магнитного поля h1 и ее производной g1 = dh1/dr. Можно ожидать, что максимальный рост амплитуды вертикальных колебаний за оборот накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 Az = накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 Rg1Zo/накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 составит ~1 мм, что не описано при апертуре 2а накопитель низкоэнергетичных тяжелых ионов, патент № 2017352 10 см. К примеру, для ионов с Ая = 80, Z = 8, извлекаемых из источника с потенциалом V = 70 кВ, предельное количество частиц составит более 1010 или ток пучка 1,0 мА. После завершения цикла накопления ионов, продолжительность которого выбирается в зависимости от эффективности получения в дуговом источнике иона данного элемента с требуемым зарядом (1-10 мс), включается импульсный дефлектор и пучок накопленных ионов в течение одного оборота (1-3 мкс) выводится с дорожки из камеры накопителя, фокусируясь в рассеянном магнитном поле с помощью электростатического либо магнитного накала в ионопровод для транспортировки и инжекции в постускоритель.

Класс H05H13/00 Магнитные резонансные ускорители; циклотроны

система производства изотопов и циклотрон -  патент 2526190 (20.08.2014)
система производства изотопов и циклотрон, имеющий уменьшенные магнитные поля рассеяния -  патент 2521829 (10.07.2014)
способ проведения облучения злокачественных опухолей поджелудочной железы пучком адронов -  патент 2491107 (27.08.2013)
способ проведения облучения злокачественных опухолей желудка пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2424012 (20.07.2011)
способ проведения облучения злокачественных опухолей пищевода пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2423157 (10.07.2011)
способ проведения облучения злокачественных опухолей молочной железы пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2423156 (10.07.2011)
способ проведения облучения злокачественных опухолей трахеи пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2423155 (10.07.2011)
способ проведения облучения злокачественных опухолей легких пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2420332 (10.06.2011)
способ проведения облучения злокачественных опухолей печени пучком адронов и устройство для его осуществления -  патент 2417804 (10.05.2011)
способ конструирования высокочастотного резонатора, в частности, для использования в циклотроне, высокочастотный резонатор, выполненный таким способом, и циклотрон, в котором применяется такой резонатор -  патент 2412559 (20.02.2011)
Наверх