способ определения элементарного состава твердого тела
Классы МПК: | G01N23/22 измерением вторичной эмиссии H01J49/26 масс-спектрометры или разделительные трубки |
Автор(ы): | Макаренко Б.Н., Попов А.Б., Шергин А.П. |
Патентообладатель(и): | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Приоритеты: |
подача заявки:
1991-04-23 публикация патента:
30.07.1994 |
Использование: относится к аналитическому приборостроению, использующему масс-спектрометрию вторичных частиц, распыляемых при ионном облучении поверхности, для элементного анализа материалов. Благодаря высокой чувствительности масс-спектрометрия распыляемых частиц широко применяется в электронной и химической промышленности. Сущность изобретения заключается в том, что помимо ионизации распыляемых из материала частиц для их последующего анализа и измерения их масс-спектра измеряют также энергетические распределения анализируемых частиц. Это позволяет корректно определить долю атомов данного сорта, преобразованных в ионы, и рассчитать искомую концентрацию каждого компонента. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА ТВЕРДОГО ТЕЛА путем ионизации получаемых из материала вторичных частиц и измерения их масс-спектра, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса анализа материалов за счет устранения калибровки, перед измерением масс-спектра измеряют энергетические распределения анализируемых частиц, а искомую концентрацию Cx каждого компонента определяют из соотношенияCx=

где


Exmax и Eimax - максимальная энергия вторичных атомов данного сорта, x-го и i-го соответственно, Дж;
mx и mi - масса x-го и i-го элемента соответственно кг;




Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к аналитическому приборостроению, а именно к элементному анализу материалов, основанному на масс-спектрометрии вторичных частиц, распыляемых при ионном облучении поверхности. Масс-спектрометрия распыленных частиц широко применяется в электронной и химической промышленности, что связано в первую очередь с возможностью исследования изменений элементного состава материалов при их послойном анализе как вблизи поверхности, так и на границе раздела, а также в тонких пленках. Основное преимущество масс-спектрометрии вторичных частиц по сравнению с обратным резерфордовским рассеянием, электронной оже-спектроскопией и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией, которые также используются для послойного элементного анализа, связано с более высокой (на два-три порядка величины) чувствительностью к элементному составу. В настоящее время для анализа элементного состава материалов используется вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС). Метод ВИМС обладает рекордной относительной чувствительностью к элементному составу (10-8-10-6), но не является количественным из-за сильной зависимости выхода вторичных ионов от атомного номера и состава образца. Необходимость количественного анализа резко повысила интерес к сравнительно новому методу масс-спектрометрии нейтральных распыленных частиц, поскольку выход нейтральных атомов существенно менее чувствителен к матричным эффектам по сравнению с выходом ионов. Среди различных способов ионизации нейтральных распыленных частиц с целью их последующего масс-анализа наиболее развитым в настоящее время является способ ионизации частиц в плазме в/ч-разряда, предложенный Х. Окснером и В.Герхардом [1] и запантентованный в США [2]. С 1987 г. на базе этого метода выпускается единственная в мире промышленная установка INA-3 (ФРГ) [3] . Однако даже в случае масс-спектрометрии нейтральных частиц необходима калибровка с использованием стандартных образцов, поскольку без соответствующей коррекции прямые измерения выходов нейтральных частиц дают элементный состав с точностью до фактора 3. Концентрация компонента х в образце в установившемся режиме распыления определяется в [3] из соотношения:Cx=

Cx=



Exmax и Eimax - максимальная энергия вторичных атомов данного сорта, х-го и i-го соответственно;
mx и mi - масса х-го и i-го элемента соответственно;














Полное число атомов данного сорта Ni определяется путем интегрирования по всему телесному углу 2

Ni=






Если ставится задача определения относительного содержания элемента Сх, то надобность в измерении плотности тока j и размера области ионизации l отпадает и мы приходим к формуле
Cx=

Существенным признаком способа является измерение энергетических распределений атомов каждого сорта перед измерением масс-спектра, для того чтобы корректно определить эффективность преобразования их в ионы в объеме ионизации. Знание энергетических распределений необходимо, так как для атомов разных элементов и для одного и того же элемента, но в разных матрицах, энергоспектры могут существенным образом различаться, что и приводит в конечном счете (при отсутствии таких измерений) к ошибке до 300% и необходимости калибровки. Очевидно, что формула (4) для концентрации Сх может преобразоваться в (1) только при единственном условии, когда энергетические распределения разных компонентов полностью совпадают. Во всех остальных случаях формула (1) требует эмпирического определения коэффициентов Di. Покажем существенность отличий. Существенность отличий следует из того, что измерение энергораспределений для целей анализа элементного состава материалов не проводилось, а формула для расчета концентрации предложена авторами впервые. В ряде экспериментов, в том числе проводившихся с помощью способа [4] , выбранного в качестве прототипа, перед масс-анализом используются электростатические анализаторы. Однако используются они для фильтрации вторичных частиц по энергии и изменения их траектории, чтобы воспрепятствовать попаданию в масс-анализатор и детектор паразитных частиц и тем самым улучшить соотношение сигнал/фон. Пример реализации способа. Предлагаемый способ был реализован в макетном образце прибора, схема которого приведена в [5]. Источник позволяет получать пучки ионов с энергией 2-15 кэВ и плотность тока на образце 100 мкА/см2. При выбранных энергии и плотности тока ионов бомбардирующего пучка удовлетворяются условия эффективного распыления материала исследуемого образца, необходимые для проведения элементного анализа. Вторичные частицы анализируются по энергии в электростатическом анализаторе и фокусируются на вход 90-градусноого магнитного спектрометра с разрешением



Класс G01N23/22 измерением вторичной эмиссии
Класс H01J49/26 масс-спектрометры или разделительные трубки