способ контроля параметров диэлектрика на металлическом основании
Классы МПК: | G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот |
Автор(ы): | Авдеев А.А., Коротин Б.Н., Писарев В.В., Тупикин В.Д., Усанов Д.А. |
Патентообладатель(и): | Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры, Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского |
Приоритеты: |
подача заявки:
1989-07-20 публикация патента:
15.05.1994 |
Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может использоваться для одновременного контроля в ходе технологического процесса двух параметров диэлектрических пленок на металлическом основании. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых величин. Способ контроля толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрика включает одновременное облучение исследуемого диэлектрика на металлическом основании излучением в СВЧ и ВЧ диапазонах, причем частоту ВЧ излучения выбирают из условия, что толщина схемы-слоя меньше толщины металлического основания, измерение изменений величин продетектированных сигналов на ВЧ и СВЧ в отсутствии диэлектрика на металлическом основании и в его присутствии и определение толщины и диэлектрической проницаемости по измеренным величинам по расчетным соотношениям. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИКА НА МЕТАЛЛИЧЕСКОМ ОСНОВАНИИ, включающий облучение исследуемого образца излучением СВЧ и ВЧ и измерение величин продетектированных сигналов, отраженных от образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения одновременного контроля толщины и величины диэлектрической проницаемости в широком диапазоне измеряемых значений, облучение в СВЧ- и ВЧ-диапазонах осуществляют одновременно, причем частоту ВЧ-излучения выбирают из условия обеспечения величины скин-слоя, меньшей толщины металлического основания, дополнительно измеряют величины продетектированных сигналов в отсутствии диэлектрика и в его присутствии определяют толщину и диэлектрическую проницаемость по соотношениямd=









где n - степень используемого полинома;
aij - коэффициенты полиномов, описывающих калибровочную совокупность значений диэлектрической проницаемости, как функции продетектированного сигнала и толщины;
bк - коэффициент полинома, описывающего калибровочную зависимость величины продетектированного сигнала от толщины;


Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, например, для одновременного контроля в ходе технологического процесса двух параметров толщины и диэлектрической проницаемости, диэлектрических пленок, наносимых на металлическое основание. Цель изобретения - обеспечение одновременного контроля толщины и величины диэлектрической проницаемости в широком диапазоне измеряемых значений. На чертеже приведена конструкция устройства, реализующего способ контроля параметров диэлектрика на металлическом основании. Устройство содержит корпус 1 измерительного датчика, диод 2 Ганна; детекторный СВЧ-диод 3, катушку 4 индуктивности ВЧ-генератора, настроечный поршень 5, фторопластовую заглушку 6. Способ осуществляется следующим образом. Измерительный датчик представляет собой волноводный СВЧ-генератор, собранный по схеме автодинного детектора. Поверх волновода вблизи переднего фланца расположена катушка индуктивности ВЧ-генератора, при этом ВЧ-генератор становится нечувствительный к толщине металлического основания. Толщину и диэлектрическую проницаемость определяют из соотношенийd=










n - степень используемого полинома,
aij - коэффициенты полиномов, описывающих калибровочную совокупность значения диэлектрической проницаемости, как функции продетектирования сигнала и толщины,
bк - коэффициенты полинома, описывающего калибровочную зависимость величины продетектированного сигнала от толщины,




d1=


Также проводятся измерения по всем остальным образцам и заполняется система уравнений
dq=


Методом наименьших квадратов вычисляются коэффициенты bк. Для определения коэффициентов aij сначала определяют коэффициенты Ci









где n= 5;

























Ci



Коэффициенты aij также находятся методом наименьших квадратов. После определения bк и aij калибровка измерительного датчика закончена и можно начинать измерение исследуемых образцов. Для этого определяют режимы работы по постоянному току на СВЧ и ВЧ присутствие и в отсутствие исследуемого образца, определяют изменения




Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот