эмиттерный повторитель

Формула изобретения

ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый и второй биполярные транзисторы, имеющие разную структуру, источник тока и отражатель тока, вход и выход которого соединены соответственно с коллектором первого и эмиттером второго биполярных транзисторов, а вывод питания - с первой шиной питания, база второго биполярного транзистора через источник тока соединена с второй шиной питания и коллектором второго биполярного транзистора, при этом база первого и эмиттер второго биполярных транзисторов являются соответственно входом и выходом эмиттерного повторителя, отличающийся тем, что введены третий, четвертый и пятый биполярные транзисторы, имеющие структуру второго биполярного транзистора, причем база второго биполярного транзистора соединена с коллектором и базой третьего биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с базой и коллектором четвертого биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к эмиттерам первого и пятого биполярных транзисторов, при этом база пятого биполярного транзистора соединена с эмиттером второго биполярного транзистора, а коллектор - с второй шиной питания.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в электронных схемах различного назначения.

Цель изобретения - расширение диапазона тока в нагрузке.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя.

Устройство содержит биполярные транзисторы 1 и 2, отражатель 3 тока, источник 4 тока и биполярные транзисторы 5, 6 и 7.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом.

При появлении на входе схемы, например, положительной полуволны транзисторы 1 и 7 закрываются, ток источника 4 поступает в базу транзистора 2, который усиливается и передается в нагрузку. При отрицательной полуволне транзисторы 1 и 7 открыты, транзистор 2 закрывается и коллекторный ток транзистора 1 поступает на вход отражателя 3 тока, который передает его в нагрузку.

У известного устройства максимальный отрицательный ток нагрузки ограничен значением

I_н.мах = I_о К_отр где I_н.мах - максимальный отрицательный ток нагрузки;

I_о - ток источника 4 тока;

К_отр - коэффициент передачи тока отражателя 3 тока.

У предлагаемого устройства отрицательный ток нагрузки ограничен только параметрами транзисторов 1 и 7 и имеет большую величину.