способ получения материала из искусственного графита
Классы МПК: | C01B31/04 графит |
Автор(ы): | Преображенский А.Я. |
Патентообладатель(и): | Институт физики высоких давлений им.Л.Ф.Верещагина РАН |
Приоритеты: |
подача заявки:
1991-01-17 публикация патента:
30.03.1994 |
Сущность изобретения: искусственный графит спектральной чистоты изготавливают в виде блока, окружают оболочкой из порошкообразной окиси магния с соотношением размеров оболочки и блока в пределах от 2 : 1 до 3 : 1 и подвергают действию вначале давления 1,0 - 2,5 ГПа, а затем температуры 2000 - 2500 С в течение 4 - 6 мин. Изобретение позволяет получить материал из искусственного графита с объемной массой превышающей 2.00 г/см3 , и высокой упорядоченностью макроструктуры. 1 табл.
Рисунок 1
Формула изобретения
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ ИСКУССТВЕННОГО ГРАФИТА , включающий теpмообpаботку гpафита пpи давлении, отличающийся тем, что, с целью увеличения объемного веса и упоpядочения макpостpуктуpы получаемого матеpиала, гpафит изготавливают в виде блока, окpужают его боковую повеpхность оболочкой из поpошка оксида магния пpи соотношении внешнего диаметpа оболочки к наибольшему попеpечному pазмеpу блока 2 : 1 - 3 : 1 и подвеpгают воздействию давления 1,0 - 2,5 ГПа с последующим поышением темпеpатуpы до 2000 - 2500оС.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области производства углеграфитовых материалов и может быть использовано при создании элементов конструкций, в качестве сырья для получения алмазов и др. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ получения материала из искусственного графита марки МГ-ОСЧ путем термообработки его в интервале 500оС < Т < 2000оС при давлениях 4,0 ГПa < Р < 8,0 ГПа. Недостатком данного способа является то, что он не приводит к упорядочению жесткой макроструктуры искусственного графита и позволяет, по оценке, повысить плотность по сравнению с исходной 1,65-1,70 г/см3 не более чем до 1,8-2,0 г/см3. Целью изобретения является увеличение объемной массы упорядочение макроструктуры. Поставленная цель достигается тем, что способ включает термообработку искусственного графита при 2000-2500оС под давлением 1,0-2,5 ГПа в течение 4-6 мин. Отличительная особенность способа состоит в том, что искусственный графит изготавливают в виде блока, окружают оболочкой из порошкообразной окиси магния с соотношением размеров оболочки и блока в пределах от 2: 1 до 3: 1 и подвергают действию вначале давления 1,0-2,5 ГПа, а затем температуры 2000-2500оС в течение 4-6 мин. С учетом высоких температур, применяемых в данном способе, вводятся поправки Р(Т) к начальным Ро значениям давления (1,0 ГПа и 2,5 ГПа), вычисленные на основе линейной экстраполяции данных измерений до 1500оС: на нижнем пределе давления +0,4 ГПа (для 2000оС) и +0,5 ГПа (для 2500оС) и на верхнем пределе давления +1,0 ГПа (для 2000оС) и 1,3 ГПа (для 2500оС). Р(Т) = Ро + Р(Т). Проведение процесса под давлением менее 1,4 ГПа и 4 мин приводит к пониженным значениям (менее 2,00 г/см3) объемной массы, а под давлением более 3,8 ГПа и 6 мин - характеристики материала практически не нарастают, но происходит деформация камеры высокого давления. Термообработка при температуре менее 2000оС и соотношении размеров оболочки и блока искусственного графита меньше 2: 1 не обеспечивает постоянства режима термообработки в течение времени и достижения величины объемной массы, превышающей 2,00 г/см3, а при температуре более 2500оС и соотношении размеров оболочки и блока большем 3: 1 нецелесообразна по экономическим соображениям. Отличие предлагаемого способа с точки зрения физико-химии процесса основывается на связи упорядочения и уплотнения макроструктуры с высокотемпературной очисткой поверхностей кристаллитов графита от углеродкислородных комплексов, удалением в процессе десорбции комплексов неупорядоченного углерода и, как следствие, активированием поверхностных углеродных валентностей, способных к миграции, взаимонасыщению и образованию межкристаллитных связей. Давление в этих процессах является параметром, способствующим ориентационной перестройке и упорядочению во взаимном расположении кристаллитов, обладающих высокой анизотропией кристаллической решетки. Использованная в данном способе камера высокого давления типа наковальни с лункой проницаема для летучих веществ, десорбирующихся с поверхностей графита, оболочки и выделяющихся за пределы камеры в результате истечения под действием разницы температур в 2000-2500оС и давлений (по оценке, давление в порах графита может достигать в момент достижения рабочей температуры