способ герметизации полупроводникового прибора

Классы МПК:H01L21/26 воздействие волновым излучением или излучением частиц
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Арендное предприятие "Кремний"
Приоритеты:
подача заявки:
1990-08-06
публикация патента:

Сущность изобретения: при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения: T1способ герметизации полупроводникового прибора, патент № 2007782 0.9T2 , где T2 - температура размягчения пленки, кроме того, в качестве пленки используют фторопласт. 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Формула изобретения

1. СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий размещение прибора в пресс-форме, смыкание пресс-формы и подачу под давлением герметизирующей пластмассы в пресс-форму, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора, при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения

T1 способ герметизации полупроводникового прибора, патент № 2007782 0,9 T2,

где T2 - температура размягчения пленки.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пленки используют фторопласт.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации их в пластмассу.

Известны способы герметизации полупроводниковых приборов в пластмассу литьем под давлением с помощью пресс-формы, состоящей из двух половин. Смыкание их образует формы корпусов полупроводниковых приборов, в которые загружают собранные элементы и впрыскивают расплавленную пластмассу.

Недостатком этих способов является образование облоя, удаление которого требует дополнительных затрат. Особенно нежелателен облой на поверхности радиатора, находящейся в одной плоскости с гранью корпуса полупроводникового прибора, удаление которого снижает процент выхода годных из-за механических повреждений приборов.

Известен способ герметизации полупроводниковых приборов, который предусматривает прижатие радиатора к поверхности формы.

Данный способ, как и другие, не уменьшает вероятность образования облоя на поверхности радиатора из-за наличия микронеровностей и деформаций соприкасающихся поверхностей.

Целью изобретения является уменьшение вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора.

Это достигается тем, что при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру Т1 прессования определяют из выражения

Т1 способ герметизации полупроводникового прибора, патент № 2007782 0,9 Т2, где Т2 - температура размягчения пленки.

Кроме того, в качестве пленки используют фторопласт.

Процесс герметизации поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 - изображена загрузка п/п прибора в пресс-форму; на фиг. 2 - накладывание пленки; на фиг. 3 - герметизация; на фиг. 4 - размыкание пресс-формы, снятие прибора и пленки.

При смыкании пресс-формы 1 знак 3 прижимает радиатор 2 п/п прибора к пленке 4, которая уплотняет зазоры, образуемые шероховатостью поверхностей и препятствует проникновению расплавленной пластмассы 6 на вскрываемую поверхность 5. Кроме того, пластичная пленка 4 устраняет зазор между смыкаемыми поверхностями пресс-формы, возникающий из-за погрешности изготовления, износа и температурного влияния и препятствует проникновению пластмассы 6 на поверхности радиатора и среза, чем уменьшает износ пресс-формы.

Из испытанных пленок наиболее удовлетворительные результаты были получены при использовании таких пленок, в составе которых используется фторопласт. При этом температура прессования корректировалась в зависимости от температуры размягчения пленки, но не ниже обеспечения необходимой текучести герметизирующей пластмассы.

При использовании данного способа уменьшается или вообще отпадает необходимость механического удаления облоя и повышается в результате этого процента выхода годных приборов. (56) Заявка Японии N 60-76130, кл. Н 01 L 21/48, 1985.

Заявка Японии N 58-54498, кл. Н 01 L 22/48, 1983.

Класс H01L21/26 воздействие волновым излучением или излучением частиц

способ формирования объектов на поверхности материалов фокусированным ионным пучком -  патент 2457573 (27.07.2012)
способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов -  патент 2435247 (27.11.2011)
способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке -  патент 2341847 (20.12.2008)
способ создания пространственно-объемной структуры -  патент 2302054 (27.06.2007)
способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур -  патент 2183882 (20.06.2002)
способ снижения времени выключения тиристоров -  патент 2152107 (27.06.2000)
способ модификации поверхности твердого тела -  патент 2151444 (20.06.2000)
способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления -  патент 2133520 (20.07.1999)
способ изготовления полупроводниковых структур -  патент 2087049 (10.08.1997)
способ гидрооптической обработки поверхности деталей из диэлектрических материалов и устройство для его осуществления -  патент 2071141 (27.12.1996)
Наверх