способ герметизации полупроводникового прибора
Классы МПК: | H01L21/26 воздействие волновым излучением или излучением частиц |
Автор(ы): | Нестеров М.Е., Павленко Д.Е. |
Патентообладатель(и): | Арендное предприятие "Кремний" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1990-08-06 публикация патента:
15.02.1994 |
Сущность изобретения: при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения: T1
0.9T2 , где T2 - температура размягчения пленки, кроме того, в качестве пленки используют фторопласт. 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Формула изобретения
1. СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий размещение прибора в пресс-форме, смыкание пресс-формы и подачу под давлением герметизирующей пластмассы в пресс-форму, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора, при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выраженияT1

где T2 - температура размягчения пленки. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пленки используют фторопласт.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации их в пластмассу. Известны способы герметизации полупроводниковых приборов в пластмассу литьем под давлением с помощью пресс-формы, состоящей из двух половин. Смыкание их образует формы корпусов полупроводниковых приборов, в которые загружают собранные элементы и впрыскивают расплавленную пластмассу. Недостатком этих способов является образование облоя, удаление которого требует дополнительных затрат. Особенно нежелателен облой на поверхности радиатора, находящейся в одной плоскости с гранью корпуса полупроводникового прибора, удаление которого снижает процент выхода годных из-за механических повреждений приборов. Известен способ герметизации полупроводниковых приборов, который предусматривает прижатие радиатора к поверхности формы. Данный способ, как и другие, не уменьшает вероятность образования облоя на поверхности радиатора из-за наличия микронеровностей и деформаций соприкасающихся поверхностей. Целью изобретения является уменьшение вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора. Это достигается тем, что при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру Т1 прессования определяют из выраженияТ1

Класс H01L21/26 воздействие волновым излучением или излучением частиц