способ защиты p-n переходов на основе окиси титана
Классы МПК: | H01L21/316 из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов |
Автор(ы): | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU), Шангереева Бийке Алиевна (RU), Шангереева Суйкум Алиевна (RU) |
Патентообладатель(и): | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2013-01-09 публикация патента:
27.11.2014 |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным катодным распылением при температуре в печи 1100°С и температуре кристалла 700°С. Источником служит окись титана в виде порошка, несущим агентом служит галоген НВr. Расстояние между источником окиси титана и кристаллом 10 см. Толщина формируемой пленки =1,1±0,1 мкм.
Формула изобретения
Способ защиты р-n переходов на основе окиси титана, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи вакуумным катодным распылением при температуре 1100°С на основе окиси титана в виде порошка и температуры кристалла 700°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником и кристаллом 10 см, причем толщина пленки равна =1,1±0,1 мкм.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов.
Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоят в том, что поверхность р-n переходов защищают различными пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др. [1].
Основным недостатком этих способов является длительность процесса.
Целью изобретения является сокращение длительности процесса.
Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки.
Сущность способа заключается в том, что защита поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется на основе пленки вакуумным катодным распылением. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1100°С, а температура кристалла 700°С. Расстояние между источником окиси титана и кристаллом 10 см.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что защиту поверхности р-n переходов проводят с помощью порошка. Затем через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником и полупроводниковым кристаллом, и при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки =1,1±0,1 мкм.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами
ПРИМЕР 1: Процесс защиты поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны 1000°С, температура полупроводникового кристалла 700°С. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Расстояние между источником и кристаллом 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси титана медленно выдвигают из печи.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки =0,8±0,1 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1050°С.
Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристаллом 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =0,9±0,1 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1050°С.
Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристаллом 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =1,1±0,1 мкм.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1100°С.
Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристалла 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина защитной пленки =1,1±0,1 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности р-n переходов на основе порошка, где через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником и полупроводниковым кристаллом, и при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 327 с.
Класс H01L21/316 из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов