диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны и базовая станция

Формула изобретения

1. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:

объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201) и внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом, при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:

тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом; и

паз, расположенный на поверхности толстой пластины-накладки, при этом толстая пластина-накладка (204) контактирует с тонкой пластиной-накладкой (203), причем паз заполнен заполнителем (205) и заполнитель (205) сконфигурирован с возможностью формирования упругой деформации тонкой пластины-накладки (203), когда толстая пластина-накладка (204) покрывает тонкую пластину-накладку (203).

2. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.

3. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором, по меньшей мере, одна из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.

4. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором заполнитель (205) является пластмассовой или металлической пружиной.

5. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором:

толщина заполнителя (205) зависит от высоты паза на толстой пластине-накладке (204) и соотношения высоты между верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202) и объемным резонатором (201).

6. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.5, в котором:

высота диэлектрической резонансной колонны (202) является большей, меньшей или равной высоте от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора.

7. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором:

положение, где внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора (201) контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202), задается установочной колонной (206) или установочным пазом, расположенным на внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201).

8. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:

объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта электропроводящим материалом и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора; при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:

тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом.

9. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.8, в котором продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.

10. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по 8, в котором, по меньшей мере, одна поверхность из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.

11. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:

объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта электропроводящим материалом и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности до отверстия на одном конце; при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:

толстую пластину-накладку (204), покрывающую отверстие, причем нижняя поверхность толстой пластины-накладки (204) контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202), паз (207) расположен, по меньшей мере, на одной поверхности из нижней поверхности и верхней поверхности толстой пластины-накладки (204), и поверхность толстой пластины-накладки (204) покрыта проводящим материалом.

12. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.11, причем горизонтальным поперечным сечением паза (207) является круговое кольцо.

13. Базовая станция, содержащая диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны, который включает в себя диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, причем диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны содержит:

объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора, и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201) и внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом, при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:

тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом; и

паз, расположенный на поверхности толстой пластины-накладки, где толстая пластина-накладка (204) контактирует с тонкой пластиной-накладкой (203), причем паз заполнен заполнителем (205) и заполнитель (205) сконфигурирован с возможностью формирования упругой деформации тонкой пластины-накладки (203), когда толстая пластина-накладка (204) покрывает тонкую пластину-накладку (203).

14. Базовая станция по п.13, в которой продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.

15. Базовая станция по п.13, в которой, по меньшей мере, одна поверхность из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.

16. Базовая станция по п.13, в которой заполнитель (205) является пластмассовой или металлической пружиной.

17. Базовая станция по п.13, в которой:

толщина заполнителя (205) зависит от высоты паза на толстой пластине-накладке (204) и соотношения высоты между верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202) и объемным резонатором (201).

18. Базовая станция по п.17, в которой:

высота диэлектрической резонансной колонны (202) является большей, меньшей или равной высоте от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора.

Описание изобретения к патенту

Данная заявка испрашивает приоритет заявки на патент Китая № 201010276357.4, поданной в Патентное ведомство Китая 3 сентября 2010 и озаглавленной "TRANSVERSE MAGNETIC MODE DIELECTRIC RESONATOR, TRANSVERSE MAGNETIC MODE DIELECTRIC FILTER, AND BASE STATION", которая включена в документ путем ссылки.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение относится к резонатору, в частности - к диэлектрическому резонатору поперечной магнитной волны (TM: поперечная магнитная волна), диэлектрическому фильтру поперечной магнитной волны и базовой станции.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

С развитием технологии беспроводной связи система беспроводной связи предъявляет более высокие требования к высокочувствительной передаче, высокочувствительному приему и высокому качеству разговора. Фильтру в базовой станции необходимо достигать меньших вносимых потерь и лучшей характеристики подавления. Кроме того, в отношении фильтра является строгим требование уменьшения размера фильтра. Диэлектрический фильтр TM-волны может точно удовлетворять вышеупомянутому требованию. По сравнению с обычным металлическим коаксиальным фильтром того же объема он может иметь приблизительно 30%-ное повышение фактора качества (значения добротности Q). Диэлектрический фильтр TM-волны может составляться из нескольких диэлектрических резонаторов TM-волны, каскадно соединенных особым образом.

Типичный диэлектрический резонатор TM-волны включает в себя диэлектрическую резонансную колонну и металлический объемный резонатор. Кроме того, верхняя и нижняя торцевые поверхности диэлектрической резонансной колонны должны плотно входить в верхнюю и нижнюю торцевые поверхности металлического объемного резонатора с тем, чтобы ток беспрепятственно тек через контактную поверхность между диэлектрической резонансной колонной и металлическим объемным резонатором, вследствие этого образуя хорошую токовую петлю. Кроме того, поскольку имеется значительный ток на контактной поверхности между верхней и нижней поверхностями диэлектрической резонансной колонны и металлическим объемным резонатором в резонаторе TM-волны, хороший контакт между двумя контактными поверхностями является существенным и важным. Вследствие этого, в процессе проектирования диэлектрического резонатора TM-волны необходимо обеспечить хороший контакт между контактными поверхностями и хорошую надежность конструкции по отношению к конструкции и/или процессу с тем, чтобы достигать хорошего значения Q и значения пассивной интермодуляции (PIM) резонатора TM-волны и устойчивой рабочей характеристики.

В традиционном диэлектрическом резонаторе нельзя достичь хорошего контакта между контактными поверхностями, или его сборка является сложной, или требуется процесс сварки для обеспечения контакта верхней и нижней торцевых поверхностей диэлектрической резонансной колонны с верхней и нижней торцевыми поверхностями металлического резонатора. Поскольку стоимость сварки является высокой и степень проработки процесса сварки серьезно влияет на выход изделия, необходимо строго контролировать процесс сварки. Кроме того, существование точки сварки может вести к нестабильной рабочей характеристике при вибрации диэлектрической резонансной колонны.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Варианты осуществления настоящего изобретения обеспечивают диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны и базовую станцию с тем, чтобы достичь хорошего контакта между контактными поверхностями и содействовать сборке.

Один аспект настоящего изобретения обеспечивает диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, который включает в себя объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), и внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом; причем диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно включает в себя:

тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), где поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом; и

паз, расположенный на поверхности толстой пластины-накладки (204), где толстая пластина-накладка (204) контактирует с тонкой пластиной-накладкой (203), где паз заполнен заполнителем (205), и заполнитель (205) выполнен с возможностью вызывать упругую деформацию тонкой пластины-накладки (203), когда толстая пластина-накладка (204) покрывает тонкую пластину-накладку (203).

Еще один аспект настоящего изобретения дополнительно обеспечивает диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, который включает в себя объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора;

диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно включает в себя:

тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), где поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом.

Следующий аспект настоящего изобретения дополнительно обеспечивает диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, который включает в себя объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом, и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности до отверстия на одном конце;

диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно включает в себя:

толстую пластину-накладку (204), покрывающую отверстие, где нижняя поверхность толстой пластины-накладки (204) контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202),

паз, расположенный на нижней поверхности и/или верхней поверхности толстой пластины-накладки (204), и поверхность толстой пластины-накладки (204) покрыта проводящим материалом.

Очередной аспект настоящего изобретения дополнительно обеспечивает диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны, который включает в себя диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, как описан выше.

Вариант осуществления настоящего изобретения дополнительно обеспечивает базовую станцию, которая включает в себя диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения.

Из вышеупомянутых технических решений согласно вариантам осуществления изобретения можно видеть, что диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения имеет хорошую устойчивость конструкции, удобную сборку и строгую воспроизводимость, тем самым являясь подходящим для массового производства и имеющим хорошую согласованность с массовым производством.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Для более ясного иллюстрирования технических решений в вариантах осуществления настоящего изобретения или предшествующего уровня техники ниже кратко описываются сопроводительные чертежи, требуемые в описании вариантов осуществления или предшествующего уровня техники. Очевидно, сопроводительные чертежи в последующем описании иллюстрируют лишь некоторые варианты осуществления настоящего изобретения, и специалисты в данной области техники на основании этих чертежей могут получить другие чертежи без творческих усилий.

Фиг. 1 - схематичное представление конструкции диэлектрического резонатора TM-волны, согласно варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 2 - схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка контактирует с диэлектрической резонансной колонной, согласно варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 3 - схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка контактирует с диэлектрической резонансной колонной, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 4 - схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка контактирует с диэлектрической резонансной колонной, согласно следующему варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 5 - схематичное представление конструкции диэлектрического резонатора TM-волны согласно очередному варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 6a, 6b, 6c и 6d - схематичные представления конструкции диэлектрического резонатора магнитной волны на различных этапах процесса сборки диэлектрического резонатора магнитной волны согласно варианту осуществления настоящего изобретения; и

Фиг. 7 - схематичное представление конструкции диэлектрического резонатора TM-волны согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Технические решения в вариантах осуществления настоящего изобретения в дальнейшем описываются ясно и полностью со ссылкой на сопроводительные чертежи. Очевидно, что описанные варианты осуществления представляют лишь часть вариантов осуществления, а не все варианты осуществления. Все другие варианты осуществления, которые специалисты в данной области техники получают без творческих усилий на основании вариантов осуществления настоящего изобретения, находятся в рамках объема охраны настоящего изобретения.

Последующее описывает диэлектрические резонаторы поперечной магнитной волны, представленные вариантами осуществления настоящего изобретения. На Фиг. 1 описывается конструкция диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 1, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны включает в себя:

объемный резонатор 201 с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну 202, установленную в объемном резонаторе 201, где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201 и внутренняя поверхность объемного резонатора 201 покрыта проводящим материалом, где высота диэлектрической резонансной колонны 202 может быть больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце объемного резонатора 201; высота диэлектрической резонансной колонны 202 также может быть меньше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце объемного резонатора 201; высота диэлектрической резонансной колонны 202 также может быть равной высоте от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце объемного резонатора 201.

Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего изобретения проводящим материалом может быть проводящий металл, например золото, серебро и медь. В другом варианте осуществления настоящего изобретения проводящим материалом также может быть проводящий неметаллический материал.

Объемным резонатором 201 в варианте осуществления настоящего изобретения может быть металлический объемный резонатор.

В другом варианте осуществления настоящего изобретения верхняя торцевая поверхность и/или нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 могут покрываться проводящим материалом. Покрытие может осуществляться путем выполнения металлизационной обработки поверхности на верхней торцевой поверхности и/или нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны 202. Чтобы обеспечить эффективную сборку и обеспечить устойчивость диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны после сборки, в варианте осуществления настоящего изобретения, когда внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение, где внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, может задаваться установочной колонной 206, расположенной на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201 установочная колонна 206 может быть установлена в полой части диэлектрической резонансной колонны 202, горизонтальное поперечное сечение установочной колонной 206 может быть окружностью, и диаметр установочной колонной 206 является меньшим или равным диаметру полой части диэлектрической резонансной колонны 202. В другом варианте осуществления настоящего изобретения, если внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение контакта внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 может задавать установочный паз, расположенный на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201 диэлектрическая резонансная колонна 202 непосредственно устанавливается в установочный паз и диаметр установочного паза является большим или равным диаметру диэлектрической резонансной колонны 202. Горизонтальное поперечное сечение установочного паза может быть окружностью или концентрическим круговым кольцом.

Также включаются тонкая пластина-накладка 203, покрывающая отверстие объемного резонатора 201, и толстая пластина-накладка 204, покрывающая тонкую пластину-накладку 203, где поверхности тонкой пластины-накладки 203 и толстой пластины-накладки 204 покрыты проводящим материалом. В варианте осуществления настоящего изобретения толстая пластина-накладка может быть толстой металлической пластиной-накладкой и тонкая пластина-накладка может быть тонкой металлической пластиной-накладкой. Паз расположен на поверхности толстой пластины-накладки 204, контактирующей с тонкой пластиной-накладкой 203, и паз заполняется заполнителем 205, и заполнитель 205 сконфигурирован с возможностью вызывать упругую деформацию тонкой пластины-накладки 203, когда толстая пластина-накладка 204 покрывает тонкую пластину-накладку 203. Таким образом, тонкая пластина-накладка 203 плотно контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, вследствие этого достигая хорошей проводимости в контактной части между тонкой пластиной-накладкой 203 и диэлектрической резонансной колонной 202; кроме того, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 плотно контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201, вследствие этого достигая хорошей проводимости в контактной части между внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201 и диэлектрической резонансной колонной 202.

Толщина заполнителя 205 может зависеть от высоты паза на толстой пластине-накладке 204 и соотношения высоты между верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 и объемным резонатором 201. Например, если паз на толстой пластине-накладке 204 имеет некоторую высоту, если верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 находится выше объемного резонатора 201, толщина заполнителя 205 может быть меньшей или равной или большей высоты паза на толстой пластине-накладке 204; если верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 ниже объемного резонатора 201, толщина заполнителя 205 должна быть больше высоты паза на толстой пластине-накладке 204; и если верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 находится на одном уровне с верхней поверхностью объемного резонатора 201, толщина заполнителя 205 может быть больше высоты паза на толстой пластине-накладке 204. Заполнитель в вариантах осуществления настоящего изобретения может быть любым объектом, который может подвергаться сжатию и может заполнять паз на толстой пластине-накладке 204. Материал заполнителя может быть пластмассовой или металлической пружиной, или может быть воздушным или безвоздушным, таким как аэрированный заполнитель.

Продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, может быть прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией, и т.д. Конечно, варианты осуществления настоящего изобретения не исключают возможность, что продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, имеет неправильную форму. На Фиг. 2 показано схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, в варианте осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 2, продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, является прямоугольным. На Фиг. 3 показано схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, в другом варианте осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 3, продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, является дугой окружности. На Фиг. 4 показано схематичное представление продольного сечения участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, в очередном варианте осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 4, продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, является перевернутой трапецией.

В варианте осуществления настоящего изобретения тонкая пластина-накладка 203 может покрывать отверстие объемного резонатора 201 с фиксацией посредством винтов; и толстая пластина-накладка 204 также может покрывать тонкую пластину-накладку 203 с фиксацией посредством винтов. Конечно, варианты осуществления настоящего изобретения не исключают возможность, что тонкая пластина-накладка 203 с фиксацией покрывает отверстие объемного резонатора 201 другими способами, или что толстая пластина-накладка 204 с фиксацией покрывает тонкую пластину-накладку 203 другими способами, например, толстая пластина-накладка, тонкая пластина-накладка и объемный резонатор фиксируются вместе посредством винтов.

Можно заметить из вышеупомянутого, что варианты осуществления могут использовать тонкую пластину-накладку для покрытия объемного резонатора, и затем использовать толстую пластину-накладку для покрытия тонкой пластины-накладки, и паз выполняется на поверхности толстой пластины-накладки, где толстая пластина-накладка контактирует с тонкой пластиной-накладкой, и паз заполнен заполнителем, таким образом, заполнитель может вызвать упругую деформацию тонкой пластины-накладки, когда толстая пластина-накладка покрывает тонкую пластину-накладку. Таким образом, тонкая пластина-накладка плотно контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны плотно контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора и используемый диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны может получать хорошее значение Q и значение PIM. Кроме того, каждый компонент в диэлектрическом резонаторе поперечной магнитной волны в вариантах осуществления может соединяться средствами, отличными от сварки, поэтому диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны имеет не только хорошую устойчивость конструкции, но также и удобную сборку, и строгую реализуемость, тем самым являясь подходящим для массового производства и имеющим хорошую согласованность с массовым производством.

На Фиг. 5 описывается конструкция диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 5, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны включает в себя:

объемный резонатор 201 с отверстием на одном конце и диэлектрическую резонансную колонну 202, установленную в объемном резонаторе 201, где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201, и внутренняя поверхность объемного резонатора 201 покрыта проводящим материалом, где высота диэлектрической резонансной колонны 202 больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце объемного резонатора 201.

В очередном варианте осуществления настоящего изобретения верхняя торцевая поверхность и/или нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 покрыта проводящим материалом. Чтобы обеспечить эффективную сборку и обеспечить устойчивость диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны после сборки, в варианте осуществления настоящего изобретения, если внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение контакта внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 может задаваться установочной колонной 206, расположенной на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201 установочная колонна может быть установлена в полой части диэлектрической резонансной колонны 202, горизонтальное поперечное сечение установочной колонны может быть окружностью и диаметр установочной колонны меньше или равен диаметру полой части диэлектрической резонансной колонны 202. В очередном варианте осуществления настоящего изобретения, если внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение, где внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, может задаваться установочным пазом, расположенным на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201 диэлектрическую резонансную колонну 202 устанавливают в установочный паз и диаметр установочного паза больше или равен диаметру диэлектрической резонансной колонны 202. Горизонтальное поперечное сечение установочного паза может быть окружностью или концентрическим круговым кольцом.

Также включаются тонкая пластина-накладка 203, покрывающая отверстие объемного резонатора 201, и толстая пластина-накладка 204, покрывающая тонкую пластину-накладку 203, где поверхности тонкой пластины-накладки 203 и толстой пластины-накладки 204 покрыты проводящим материалом. Поскольку высота диэлектрической резонансной колонны 202 больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце объемного резонатора 201, верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 выше объемного резонатора 201. Если толстую пластину-накладку 204 используют для покрытия тонкой пластины-накладки 203, тонкая пластина-накладка 203 плотно контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, достигая вследствие этого хорошей проводимости в контактной части между тонкой пластиной-накладкой 203 и диэлектрической резонансной колонной 202; кроме того, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 плотно контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201, вследствие этого достигая хорошей проводимости в контактной части между нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 и внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201.

Продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка 203 контактирует с диэлектрической резонансной колонной 202, может быть прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией, и т.д.

В варианте осуществления настоящего изобретения тонкая пластина-накладка 203 может покрывать отверстие объемного резонатора 201 с фиксацией посредством винтов; и толстая пластина-накладка 204 также может покрывать тонкую пластину-накладку 203 с фиксацией посредством винтов. Конечно, варианты осуществления настоящего изобретения не исключают возможность, что тонкая пластина-накладка 203 с фиксацией покрывает отверстие объемного резонатора 201 другими способами, или что толстая пластина-накладка 204 с фиксацией покрывает тонкую пластину-накладку 203 другим образом, например, толстая пластина-накладка, тонкая пластина-накладка и объемный резонатор скрепляются вместе винтами.

Можно видеть из вышеупомянутого, что варианты осуществления могут использовать тонкую пластину-накладку, чтобы покрывать объемный резонатор, и затем использовать толстую пластину-накладку, чтобы покрывать тонкую пластину-накладку, где высота диэлектрической резонансной колонны больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора до отверстия на одном конце, так что верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны выше объемного резонатора. Если толстую пластину-накладку используют для покрытия тонкой пластины-накладки, тонкая пластина-накладка плотно контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны плотно контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора и используемый диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны может получать хорошее значение Q и значение PIM. Кроме того, каждый компонент в диэлектрическом резонаторе поперечной магнитной волны в вариантах осуществления может соединяться средствами, отличными от сварки, таким образом, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны имеет не только хорошую устойчивость конструкции, но также и удобную сборку, и строгую реализуемость, тем самым являясь подходящим для массового производства и имеющим хорошую согласованность с массовым производством.

Поскольку диэлектрический резонатор магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения не нуждается в процессе сварки, он является простым для сборки. На Фиг. 6 представлена конструкция диэлектрического резонатора магнитной волны на различных этапах процесса сборки диэлектрического резонатора магнитной волны согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

Как показано на Фиг. 6A, диэлектрическую резонансную колонну 202 устанавливают в объемном резонаторе 201, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора, и контактная часть между нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 и внутренней нижней поверхностью объемного резонатора задается установочной колонной.

Как показано на Фиг. 6B, диэлектрическую резонансную колонну 202 устанавливают в объемном резонаторе 201, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора, и тонкая пластина-накладка 203 покрывает отверстие объемного резонатора 201. Конкретно, тонкая пластина-накладка 203 может покрывать отверстие объемного резонатора 201 с фиксацией посредством винтов. На фигуре чертежа показано, что верхняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 выше объемного резонатора 201.

Как показано на Фиг. 6C, диэлектрическую резонансную колонну 202 устанавливают в объемном резонаторе 201, нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора, тонкая пластина-накладка 203 покрывает отверстие объемного резонатора 201, толстая пластина-накладка 204 покрывает тонкую пластину-накладку 203, и паз, расположенный на поверхности, где толстая пластина-накладка 204 контактирует с тонкой пластиной-накладкой 203, заполнен заполнителем 205. Конкретно, толстая пластина-накладка 204 может покрывать тонкую пластину-накладку 203 с фиксацией посредством винтов.

На Фиг. 6D представлена конструкция собранного диэлектрического резонатора магнитной волны.

Как можно видеть из описания Фиг. 6, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения не требует сложного процесса (например, сварки), таким образом, является простым для сборки.

На Фиг. 7 представлена конструкция диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 7, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны включает в себя:

объемный резонатор 201 с отверстием на одном конце и диэлектрическую резонансную колонну 202, установленную в объемном резонаторе 201, где нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201, и высота диэлектрической резонансной колонны 202 больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 до отверстия на одном конце резонатора 201.

В другом варианте осуществления настоящего изобретения верхняя торцевая поверхность и/или нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 покрыта проводящим материалом. Чтобы обеспечить эффективную сборку и обеспечить устойчивость диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны после сборки, в варианте осуществления настоящего изобретения, если внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение контакта внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 может задаваться посредством установочной колонны, расположенной на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201 установочная колонна может быть установлена в полую часть диэлектрической резонансной колонны 202, горизонтальное поперечное сечение установочной колонны может быть окружностью, и диаметр установочной колонны является меньшим или равным диаметру полой части диэлектрической резонансной колонны 202. В очередном варианте осуществления настоящего изобретения, когда внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора 201 контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, положение контакта внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201 с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 может задаваться посредством установочного паза, расположенного на внутренней нижней поверхности объемного резонатора 201. При установке диэлектрической резонансной колонны 202 в объемном резонаторе 201, диэлектрическую резонансную колонну 202 устанавливают в установочный паз, и диаметр установочного паза больше или равен диаметру диэлектрической резонансной колонны 202. Горизонтальное поперечное сечение установочного паза может быть окружностью или концентрическим круговым кольцом.

Также включаются толстая пластина-накладка 204, покрывающая отверстие объемного резонатора 201, где поверхность толстой пластины-накладки 204 покрыта проводящим материалом. Нижняя поверхность толстой пластины-накладки 204 контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, и паз 207 расположен на нижней поверхности и/или верхней поверхности толстой пластины-накладки 204. На Фиг. 7 показано, что паз расположен на нижней поверхности толстой пластины-накладки 204. Горизонтальное поперечное сечение паза 207 может быть круговым кольцом. Паз может быть таким, что толщина толстой пластины-накладки 204 на участке паза меньше толщины контактной части между толстой пластиной-накладкой 204 и диэлектрической резонансной колонной 202. Посредством этого участок паза в толстой пластине-накладке 204 может создавать деформацию продольного изгиба, и создается достаточная упругая сила, чтобы вызвать хороший контакт нижней поверхности толстой пластины-накладки 204 с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202, вследствие этого достигая хорошей проводимости в контактной части между толстой пластиной-накладкой 204 и диэлектрической резонансной колонной 202; кроме того, нижнюю торцевую поверхность диэлектрической резонансной колонны 202 заставляют хорошо контактировать с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201, вследствие этого достигая хорошей проводимости в контактной части между нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202 и внутренней нижней поверхностью объемного резонатора 201.

Если паз расположен на нижней поверхности и верхней поверхности толстой пластины-накладки 204, участок паза может создавать более значительную деформацию продольного изгиба и большую упругую силу, посредством этого дополнительно обеспечивая хороший контакт между нижней поверхностью толстой пластины-накладки 204 и верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны 202. В варианте осуществления настоящего изобретения паз, расположенный на верхней поверхности, и паз, расположенный на нижней поверхности, могут иметь симметричное распределение.

Можно заметить из вышеупомянутого, что толстая пластина-накладка, покрывающая отверстие объемного резонатора, в вариантах осуществления непосредственно контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны и высота диэлектрической резонансной колонны больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора до отверстия на одном конце, вследствие этого обеспечивая плотное прилегание нижней поверхности толстой пластины-накладки к верхней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны. Кроме того, паз располагают на нижней поверхности толстой пластины-накладки так, что толщина толстой пластины-накладки на участке паза меньше толщины контактной части между толстой пластиной-накладкой и диэлектрической резонансной колонной, и что участок паза толстой пластины-накладки может создавать деформацию продольного изгиба, чтобы создавать достаточную упругую силу для принуждения нижней поверхности толстой пластины-накладки хорошо контактировать с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны. В очередном варианте осуществления настоящего изобретения паз также располагают на верхней поверхности толстой пластины-накладки так, что участок паза может создавать более значительную деформацию продольного изгиба и более большую упругую силу, тем самым дополнительно обеспечивая хороший контакт между нижней поверхностью толстой пластины-накладки и верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны и хорошую устойчивость конструкции диэлектрического резонатора поперечной магнитной волны. Кроме того, каждый компонент в диэлектрическом резонаторе поперечной магнитной волны в вариантах осуществления может соединяться средствами, отличными от сварки, таким образом, диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны имеет не только хорошую устойчивость конструкции, но также и удобную сборку, и строгую реализуемость, тем самым является подходящим для массового производства и имеет хорошую согласованность с массовым производством.

Вариант осуществления настоящего изобретения дополнительно обеспечивает диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны, который включает в себя диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения. В соответствии с различными рабочими характеристиками, требуемыми для диэлектрического фильтра поперечной магнитной волны, различное количество диэлектрических резонаторов поперечной магнитной волны, соединенных каскадно различным образом, может быть выбрано для получения диэлектрического фильтра поперечной магнитной волны с требуемой характеристикой. Конкретный режим получения может относиться к традиционному режиму предшествующего уровня техники, и данное изобретение не является ограничением для этого.

Вариант осуществления настоящего изобретения дополнительно обеспечивает базовую станцию, которая включает в себя диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны согласно вариантам осуществления настоящего изобретения, и диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны конкретно размещается в части антенной системы базовой станции.

Хотя принцип и реализация настоящего изобретения описаны подробно со ссылкой на примерные варианты осуществления в документе, описание вышеупомянутых вариантов осуществления используется просто для помощи пониманию способа и идеи настоящего изобретения. Кроме того, специалисты в данной области техники могут вносить некоторые изменения по отношению к реализации и применимости согласно идее настоящего изобретения. В качестве итога, описание не должно рассматриваться ограничительно для данного изобретения.