заполненный резец из поликристаллического алмаза с высокой теплопроводностью

Формула изобретения

1. PDC-резец, который включает: подложку и алмазную пластину, прикрепленную к подложке, при этом алмазная пластина включает кристаллы алмаза и внедренное каталитическое связующее вещество, алмазная пластина также содержит лицевую поверхность с термическим каналом, где внедренное каталитическое связующее вещество было удалено, также образованным для дополнительного включения в термический канал материала, где материал является менее термически расширяющимся, чем каталитическое связующее вещество, и/или является более теплопроводным, чем каталитическое связующее вещество, и/или обладает меньшей теплоемкостью, чем каталитическое связующее вещество, материал вводится для частичного заполнения, по меньшей мере, некоторых промежуточных полостей, оставленных после удаления каталитического связующего вещества в термическом канале на требуемой глубине.

2. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал выбран из группы, состоящей из углерода, бора, молибдена, кубического нитрида бора, карбида бора и TiC_0.6.

3. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой кубический нитрид бора или компонент кубического нитрида бора.

4. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой элементарный материал, выбранный из группы: углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото.

5. PDC-резец по п.4, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из комбинации двух или большего количества элементарных материалов, перечисленных в п.4, или сплав, включающий один или несколько элементарных материалов, перечисленных в п.4.

6. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает щелочноземельный карбонат.

7. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает сульфат.

8. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает гидроксид.

9. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой оксид вольфрама.

10. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой карбид бора.

11. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой TiC_0,6.

12. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из одного из оксидов железа или двойного оксида.

13. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой интерметаллический материал.

14. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой керамический материал.

15. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством пропитывания.

16. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством горячего изостатического прессования.

17. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством криогенных способов и/или холодной прессовкой.

18. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством ионной имплантации.

19. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством одного из искрового плазменного спекания, спекания в электрическом поле или спекания пропусканием пульсирующего электрического тока.

20. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что требуемая глубина находится между 0,010 мм и 1,0 мм.

21. Способ изготовления PDC-резца, который включает удаление с лицевой поверхности алмазной пластины, прикрепленной к подложке, при этом алмазная пластина включает кристаллы алмаза и внедренное каталитическое связующее вещество, внедренного каталитического связующего вещества для образования термического канала; и введение материала в лицевую поверхность алмазной пластины, при этом введенный материал заполняет лицевую поверхность алмазной пластины для заполнения промежуточных полостей, оставленных после удаления каталитического связующего вещества, в термическом канале на заданную глубину, при этом материал является менее термически расширяющимся, чем каталитическое связующее вещество, и/или более теплопроводным, чем каталитическое связующее вещество, и/или обладает меньшей теплоемкостью, чем каталитическое связующее вещество.

22. Способ по п.21, отличающийся тем, что удаление включает выщелачивание внедренного каталитического вяжущего вещества из лицевой поверхности алмазной пластины.

23. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой кубический нитрид бора.

24. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой элементарный материал, выбранный из группы: углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото.

25. Способ по п.24, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из комбинации двух или большего количества элементарных материалов, перечисленных в п.24, или сплав, включающий один или несколько элементарных материалов, перечисленных в п.24.

26. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал включает щелочноземельный карбонат.

27. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал включает сульфат.

28. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал включает гидроксид.

29. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой оксид вольфрама.

30. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой карбид бора.

31. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой TiC_0,6.

32. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из одного из оксидов железа или двойного оксида.

33. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой интерметаллический материал.

34. Способ по п.21, отличающийся тем, что материал представляет собой керамический материал.

35. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение процесса пропитывания.

36. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение горячего изостатического прессования.

37. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение криогенных способов и/или процесса холодной прессовки.

38. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение ионной имплантации.

39. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение одного из искрового плазменного спекания, спекания в электрическом поле или спекания пропусканием пульсирующего электрического тока.

40. Способ по п.21, отличающийся тем, что требуемая глубина находится между 0,010 мм и 1,0 мм.

41. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает введение материала в термический канал способом, выбранным из группы, состоящей из ионной имплантации, искрового плазменного спекания и холодной прессовки.

42. Способ по п.21, отличающийся тем, что введение материала включает введение материала в термический канал криогенными способами и/или холодной прессовкой.

Описание изобретения к патенту

ЗАЯВКА НА ПРИОРИТЕТ

Данная заявка заявляет приоритет предварительной заявки на патент США № 61/164155, поданной 27 марта 2009 г., описания из которой ссылкой включаются в настоящее описание.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

Настоящее изобретение в целом относится к резцам из поликристаллического алмаза.

ПРЕДПОСЫЛКИ

Резцы из поликристаллического алмаза, также известные как вставки из поликристаллического алмазного композита (PDC), изготавливаются из синтетического алмаза или природных кристаллов алмаза, прикрепленных к подложке, которая изготавливается из карбида вольфрама. Процесс спекания, используемый для изготовления этих приспособлений, как правило, начинается с кристаллов алмаза высшего сорта для режущих инструментов. Кристаллы алмаза спекаются при температуре приблизительно 1400°С и давлении около 61 Кбар в присутствии жидкого металлического катализатора синтеза, как правило, кобальта, который выполняет функцию связующего вещества. Могут использоваться и другие катализаторы, включающие элементы VIII Группы (а также сплавы металлов VIII Группы), кремний, и другие сплавы, такие как карбонат магния. Температура 1400°С, как правило, поддерживается в течение приблизительно 5-10 минут. Затем систему охлаждают и в конце сбрасывают давление. Степень сжатия, а также скорости нагрева и охлаждения зависят от типа используемого оборудования (ленточный или кубический пресс), конкретного используемого катализатора и сорта используемых исходных кристаллов алмаза. Как правило, алмаз связывается с подложкой из карбида вольфрама в ходе того же высокотемпературного процесса под высоким давлением.

Обычно считается, что резцы PDC изнашиваются в соответствии с тремя основными режимами, которые характеризуются температурой на вершине резца (см. статьи Ortega, Glowka, "Studies of the Frictional Heating of Poly crystalline Diamond Compact Drag Tools During Rock Cutting", June 1982, и Ortega, Glowka, "Frictional Heating and Convective Cooling of Polycrystalline Diamond Drag Tools During Rock Cutting," Soc. of Petr. Eng. Journal, April 1984, описания из которых ссылкой включаются в настоящее описание). Ниже 750°С первостепенным режимом износа является выкрашивание спеченного алмаза. Выше 750°С режим износа изменяется от выкрашивания отдельных алмазных зерен к более жесткому режиму износа. Этот более жесткий режим износа вызывается 1) напряжениями, возникающими в результате перепада термического расширения между алмазом и остаточными металлическими включениями вдоль границ алмазных зерен, и 2) химической реакцией алмаза с кобальтом, превращающей алмаз обратно в графит при приближении к температуре 800°С.

Текущий уровень техники указывает способ увеличения срока службы резца путем удаления кобальтового катализатора из алмазной PDC-пластины на глубине менее 100 мкм или, возможно, между 100 мкм и 200 мкм или более, с использованием воздействия кислот. Кислота выщелачивает практически весь внедренный кобальт из лицевой поверхности алмазного слоя на требуемой глубине, оставляя промежуточные участки между кристаллами. Такая обработка подавляет вероятность перепада термического расширения между алмазом и металлом катализатора и повышает теплопроводность, по меньшей мере, в области глубины выщелачивания относительно лицевой поверхности алмазной пластины. Эти изделия известны специалистам в данной области как выщелоченные PDC и обладают признанными в промышленности эксплуатационными характеристиками, превосходящими характеристики невыщелоченных PDC. Кислоты, которые необходимы для осуществления процесса выщелачивания, могут быть агрессивными и трудными для безопасного обращения.

Считается, что выщелоченные PDC-резцы обладают улучшенными эксплуатационными характеристиками по сравнению с невыщелоченными резцами по нескольким причинам.

Первое: отсутствие внедренного кобальта в термическом канале, расположенном вдоль лицевой поверхности алмазной пластины, улучшает теплопередачу к буровому раствору через поверхность алмазной пластины и внутрь резца посредством наличия связывания алмазов друг с другом. Теплопередача по термическому каналу помогает поддерживать температуру на вершине резца ниже критической температуры, после достижения которой происходит отказ из-за выкрашивания алмаза. Это, по меньшей мере, частично, связано с отсутствием значительного перепада характеристик теплопроводности (для сравнения: теплопроводность алмаза - 2000 Вт/(м·К), теплопроводность кобальта - 60 Вт/(м·К)). Кроме того, после того как кобальт удаляется и замещается полостью в пустотах выщелоченного резца, полость (которая также обладает неудовлетворительными характеристиками рассеяния тепла), тем не менее, как оказывается, создает меньшие препятствия в отношении рассеяния тепла через связи между алмазами, чем, как показывает опыт, в присутствии внедренного кобальта. Это в некоторой степени объясняет, почему выщелоченные резцы функционируют лучше, чем невыщелоченные.

Второе: область, из которой удален кобальт, не проявляется как испытывающая разрыв связи из-за термического расширения кобальта. Это, по меньшей мере, частично связано с отсутствием значительных различий в характеристиках термического расширения (для сравнения: коэффициент термического расширения кобальта - 13 мкм/(м·К), коэффициент термического расширения алмаза - 1 мкм/(м·К)). Данный второй пункт, согласно общепринятым представлением, является ключевой причиной успешного применения выщелоченных PDC-резцов.

Третье: теплоемкость термического канала, расположенного вдоль лицевой поверхности алмазной пластины снижается, что приводит к значительному увеличению температуропроводности.

Невзирая на вышесказанное и преимущество технологии выщелачивания резцов на известном уровне техники существует потребность в модернизации посредством обеспечения PDC-резца, обладающего улучшенными термическими свойствами.

Даны ссылки на следующие документы, относящиеся к известному уровню техники: патенты США № № 4016736; 4124401; 4184079; 4605343; 4940180; 5078551; 5609926; 5769986; 5857889; 6779951; 6887144, 7635035; опубликованная заявка согласно РСТ № WO 01/79583; Wang, "A Study on the Oxidation Resistance of Sintered Poly crystalline Diamond with Dopants," Science and Technology of New Diamond, pp 437-439, 1990; Salvadori, "Metal Ion Mixing in Diamond," Surface and Coatings Technology, June 2000, p.375; Pu, "The Application of Ion Beam Implantation for Synthetic Diamond Surface Modification," IEEE Int. Conf. on Plasma Science, 1197; Weishart, "N-type Conductivity in High-fluence Siimplanted Diamond," Journal of Applied Physics, vol. 97, issue 10, 2005; Vankar, "Ion Irradiation Effects in Diamond and Diamond Like Carbon Thin Films," 1995; Deamaley, "The Modification of Material by Ion Implantation," Physics in Technology 14, 1983; Stock, "Characterization and Mechanical Properties of Ion-implanted Diamond Surfaces," Surface and Coatings Technology, vols. 146-147, 2001; "Modification of Diamond Single Crystals by Chromium Ion Implantation with Sacrificial Layers," Analytical and Bioanalytical Chemistry, vol.374, nos.7-8, 2002; описания из этих документов ссылкой включаются в настоящее описание.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ

Авторы изобретения уверены, что первичная причина отказа доступных на данный момент PDC-резцов связана не с несовместимостью свойств термического расширения кобальта по сравнению с алмазом, но с тем фактом, что PDC-резец, даже с выщелоченной алмазной пластиной, проявляет неудовлетворительную теплопроводность при отводе тепла от вершины алмаза на рабочую поверхность. Резец, сконструированный или обработанный для существенного улучшения теплопроводности, в особенности, с лицевой (рабочей) поверхности алмазной пластины (вдоль термического канала), согласно настоящему изобретению, превосходит не только традиционные PDC-резцы, но также и выщелоченные PDC-резцы. Улучшенная теплопроводность снижает риск 1) напряжений, возникающих в результате перепада термического расширения между алмазом и остаточными металлическими включениями вдоль границ алмазных зерен, и 2) химической реакции алмаза с кобальтом, превращающей алмаз обратно в графит.

В соответствии с осуществлением изобретения, предлагается способ для создания термически стабильной алмазной пластины для использования в PDC-резце. Способ включает повышение теплопроводности алмазной пластины посредством заполнения PDC-резца, где синтетический каталитический материал (такой как кобальт) удаляют на заданную глубину, менее термически расширяющимся, и/или более теплопроводным, и/или материалом с большей теплоемкостью. Другими словами, предлагаемый менее термически расширяющийся, и/или более теплопроводный материал, и/или материал с меньшей теплоемкостью заполняет промежуточные полости, оставленные удаленным материалом катализатора в алмазной пластине до требуемой глубины вдоль лицевой поверхности. Вышеуказанная требуемая глубина может, например, иметь величину между 0,010 мм и 1,0 мм.

Перспективным материалом для использования в данном приложении является кубический нитрид бора, который обладает теплопроводностью более 200 Вт/(м·К) (см. Nature, volume 337, January 26, 1989) и коэффициентом термического расширения 1,2 мкм/(м·К). Эти величины преимущественно сопоставимы и совместимы с термическими свойствами алмаза, и, кроме того, они превосходят свойства, которых можно достичь в соответствии с реализациями выщелоченных резцов на известном уровне техники.

Другие перспективные элементарные материалы для использования в данном приложении включают углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото. Могут использоваться сочетания этих элементов с другими элементами, а также сплавы, включающие один или несколько этих элементов. И снова, термические свойства этих перспективных материалов превосходят свойства внедренного катализатора или промежуточной полости, которые могут присутствовать в выщелоченных резцах.

В качестве альтернативы, материал может включать в себя щелочноземельные карбонаты, сульфаты, гидроксиды, оксид вольфрама, карбид бора, карбид титана, оксиды железа, двойные оксиды, интерметаллиды и керамики.

Материалы, выбираемые для использования в способе, могут быть тонкоизмельченными или подготовленными другими пригодными способами к нанесению на лицевую поверхность целевой алмазной пластины. Затем осуществляется обработка, которая приводит к миграции выбранного материала в алмазную пластину и, по меньшей мере, частичному заполнению промежуточных полостей, оставленных после удаления внедренного кобальтового катализатора. В связи с процессом, некоторое количество оставшегося внедренного синтетического каталитического материала (такого как кобальт) может, по меньшей мере, частично замещаться. Так или иначе, присутствие материала в алмазной пластине вдоль лицевой поверхности формирует термический канал, обладающий улучшенными, по сравнению с выщелоченными и невыщелоченными осуществлениями на известном уровне техники, термическими свойствами (такими как теплопроводность, термическое расширение или теплоемкость). Такой термический канал обеспечивает улучшение отвода тепла от вершины резца и снижение вероятности повреждения алмазного материала в алмазной пластине в ходе эксплуатации резца.

В одном из осуществлений обработка, применяемая для выполнения введения материала в алмазную пластину, включает пропиточную обработку.

В другом осуществлении обработка, применяемая для выполнения введения материала в алмазную пластину, включает обработку горячим изостатическим прессованием (HIP).

В другом осуществлении обработка, применяемая для выполнения введения материала в алмазную пластину, включает холодное прессование или криогенную обработку, или обе эти обработки в сочетании.

В другом осуществлении обработка, применяемая для выполнения введения материала в алмазную пластину, включает искровое плазменное спекание.

Для нанесения материала на лицевую поверхность целевой алмазной пластины может использоваться множество технологий, включая окраску, нанесение покрытия, вымачивание, окунание, плазменное осаждение из паровой фазы, химическое осаждение из паровой фазы и усиленное плазмой химическое осаждение из паровой фазы. Специалистам в данной области известны и другие способы. Следует учитывать, что некоторые способы, используемые для нанесения материала на лицевую поверхность алмазной пластины, могут дополнительно и одновременно содействовать друг другу в выполнении миграции материала внутрь алмазной пластины. Например, описанные выше способы осаждения, возможно, совместно с плазменными обработками и селективным нагреванием, могут приводить к миграции в алмазную пластину, по меньшей мере, для частичного заполнения промежуточных полостей, оставленных после удаления синтетического каталитического материала (такого как кобальт) в близкой к поверхности области алмазной пластины.

Материал может альтернативно наноситься и вводиться с использованием процесса ионной имплантации с подходящим уровнем энергии. В этом процессе выбранные частицы добавки (например, бора) имплантируются в лицевую поверхность целевой алмазной пластины на определенную глубину. Для обеспечения диффузии имплантированных частиц на большую глубину и/или для устранения возникающих в результате процесса имплантации дефектов в кристаллической структуре алмаза, может использоваться, возможно, необязательный процесс отжига.

Следует понимать, что в качестве альтернативы могут использоваться и другие механические или химические средства и процессы для нагнетания или миграции менее термически расширяющегося материала и/или более теплопроводного материала для заполнения выщелоченной алмазной пластины на заданную глубину.

Также следует понимать, что процессы и способы, описанные здесь, применимы не только к резцу с алмазной пластиной, прикрепленной к подложке, но и отдельные тела алмазных пластин (которые затем могут прикрепляться к подложке, такой как карбид вольфрама).

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

Фигура 1 - иллюстрация PDC-резца традиционной конфигурации;

Фигура 2 - иллюстрация выщелоченного PDC-резца традиционной конфигурации;

Фигура 3 - иллюстрация PDC-резца, имеющего улучшенные термические свойства в сравнении с резцами по Фигурам 1 и 2;

Фигуры 4 и 5 - иллюстрации шаблонов нанесения материалов с улучшенными термическими свойствами на поверхность резца;

Фигура 6 - иллюстрация нанесения материала покрытия на резец в соответствии со способом изготовления;

Фигура 7 - иллюстрация выполнения этапа обработки в способе изготовления; и

Фигура 8 - иллюстрация механизма и процесса криогенной обработки.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЛЛЮСТРАЦИЙ

Производится отсылка к Фигуре 1, которая иллюстрирует PDC-резец 10 традиционной конфигурации. Следует отметить, что Фигура 1 не выполнена в каком-либо конкретном масштабе. Резец включает алмазную пластину 12, прикрепленную к подложке 14. Алмазная пластина 12 формируется из кристаллов алмаза (обозначаемых как «x»), спеченных при высокой температуре под высоким давлением в присутствии жидкого металлического катализатора (обозначаемого как « »), чаще кобальта. Представления в виде «x» и « » по существу иллюстративны и приводятся не для иллюстрации фактической кристаллографической структуры алмазной пластины, но для того, чтобы показать распределение кристаллов алмаза «x» и внедренного кобальтового связующего вещества « » в алмазной пластине 12 (содержание кобальта варьируется в пределах 3-12%). Подложка 14, как правило, формируется из карбида вольфрама. Следует учитывать, что включение подложки 14 необязательно (т.е. алмазная пластина может по желанию быть и отдельной).

Когда PDC-резец 10 используется в приложениях, связанных с резанием, он испытывает значительное воздействие теплоты. Наиболее часто теплота генерируется на кромке алмазной пластины (на рабочей поверхности), где осуществляется резание. Теплота, выделяющаяся в результате резания, излучается через алмазную пластину 12 и, возможно, через подложку 14. При повышенных температурах алмазная пластина 12 начинает отказывать из-за выкрашивания и других разрушающих действий, связанных с неблагоприятным влиянием теплоты на конфигурацию алмазной пластины.

Для решения этой проблемы известный уровень техники указывает на удаление внедренного кобальта из алмазной пластины PDC на глубине менее 100 мкм или, возможно, 100-200 мкм или более, используя воздействие кислот. Воздействие кислот выщелачивает практически весь внедренный кобальт из лицевой поверхности алмазного слоя на требуемой глубине. Выщелоченный PDC-резец 10 показан на Фигуре 2. И снова, следует отметить, что Фигура 2 не выполнена в каком-либо конкретном масштабе. Следует учитывать, однако, отсутствие внедренного металлического катализатора (обозначаемого как « ») поблизости от верхней поверхности алмазной пластины 12 (рабочей лицевой поверхности) в результате проведения операции выщелачивания. Глубина выщелачивания 16 определяет термический канал 18, который не столь жестко испытывает известные отличия в термических свойствах между алмазом и кобальтом, и поэтому, как показано, обеспечивает эксплуатационные характеристики, превосходящие традиционный PDC-резец, показанный на Фигуре 1.

Настоящее изобретение предусматривает PDC-резец, содержащий термический канал с термическими свойствами, которые превосходят термические свойства выщелоченного PDC-резца по Фигуре 2. Настоящее изобретение также предусматривает способ изготовления PDC-резца с усовершенствованным термическим каналом. Улучшенная теплопроводность снижает риск 1) напряжений, которые возникают в результате перепада термического расширения между алмазом и остаточными металлическими включениями вдоль границ алмазных зерен, и/или 2) химической реакции алмаза с кобальтом, которая превращает алмаз обратно в графит.

Относительно Фигуры 3, PDC-резец 20 согласно настоящему изобретению включает алмазную пластину 22, закрепленную на подложке 24. Алмазная пластина 22 формируется из кристаллов алмаза (обозначаемых как «x»), спеченных при высокой температуре под высоким давлением в присутствии жидкого металлического катализатора (обозначаемого как « »), чаще кобальта. Представления в виде «x» и « » по существу иллюстративны и приводятся не для иллюстрации фактической кристаллографической структуры алмазной пластины, но для того, чтобы показать распределение кристаллов алмаза «x» и внедренного кобальтового связующего вещества « » в алмазной пластине. Подложка 24, как правило, формируется из карбида вольфрама и не является обязательной (т.е. алмазная пластина может по желанию быть и отдельной).

PDC-резец 20 также включает, в связи с его рабочей лицевой поверхностью, термический канал 28, в котором находится менее термически расширяющийся, и/или более теплопроводный материал, и/или материал с меньшей теплоемкостью (обозначаемый как «*» и называемый в данном описании «материал»). Исходным является выщелоченный PDC-резец, показанный на Фигуре 2, а материал (обозначаемый как «*») вводится, например, путем наплавления, нагнетания, миграции и/или имплантации в лицевую поверхность для заполнения промежуточных полостей, оставленных после удаления кобальтового каталитического синтетического материала на требуемой глубине 26. Представления в виде «x», « » и «*» по существу иллюстративны и представляются не для иллюстрации фактической кристаллографической структуры алмазной пластины, но для того, чтобы показать распределение материала «*», присутствующего в термическом канале 28, относительно кристаллов алмаза «x» и внедренного кобальтового связующего вещества « » алмазной пластины 22. Термический канал 28 определяется глубиной 26, на которую материал распространяется относительно лицевой (рабочей) поверхности, или верхней поверхности, алмазной пластины. Присутствие материала на глубине 26 обеспечивает термический канал 28, термические свойства которого превосходят термические свойства канала 18 (Фигура 2), который обеспечивается исключительно путем выщелачивания внедренного кобальта из алмазной пластины. Улучшенная теплопроводность канала 28 снижает риск 1) напряжений, которые возникают в результате перепада термического расширения между алмазом и остаточными металлическими включениями вдоль границ алмазных зерен, и/или 2) химической реакции алмаза с кобальтом, которая превращает алмаз обратно в графит.

В данном приложении материал, например, замещает кобальтовое связующее вещество, выщелоченное из алмазной пластинки на глубину 26. Глубина 26 может находиться, например, в интервале 0,010-1,0 мм.

В результате температуропроводность (соотношение теплопроводности и объемной теплоемкости) термического канала 28 возрастает. Этого можно достичь путем увеличения числителя в указанном соотношении (например, посредством присутствия материала с более высокой теплопроводностью), или снижения в нем знаменателя (например, посредством присутствия материала с более низкой удельной теплоемкостью), или путем сочетания увеличения числителя и снижения знаменателя. Следует отметить, что выщелачивание кобальтового связующего вещества приводит к возрастанию теплопроводности на около 2%, в то время как теплоемкость снижается на около 63%, что приводит к результирующему возрастанию температуропроводности на около 43%. Эти данные в некоторой степени объясняют преимущество выщелоченной алмазной пластины (см. Фигуру 2). Заполнение выщелоченного резца материалом, как обсуждено выше, предназначается для обеспечения еще большего улучшения (возрастания) температуропроводности, где выбранный материал вносит вклад в эффективное увеличение числителя и/или снижение знаменателя в соотношении для температуропроводности термического канала 28.

Материал может быть применен ко всей верхней поверхности (лицевой поверхности) алмазной пластины 22 (см. Фигуру 4) или к верхней поверхности алмазной пластины 22 в соответствии с требуемым шаблоном (см. Фигуру 5). Шаблон, выбранный для введения материала, может способствовать более эффективному канализированию тепла от вершины резца по рабочей поверхности алмазной пластины. Этот шаблон может обеспечиваться и определяться путем использования традиционных методов трафаретов. В одном из иллюстративных осуществлений материал, который предусматривается в соответствии с шаблоном, показанным на Фигуре 5, включает несколько радиально расходящихся областей, включающих материал, заполненный на требуемой глубине.

Перспективным материалом для использовании в данном приложении является кубический нитрид бора, который обладает теплопроводностью более 200 Вт/(м·К) (см. Nature, volume 337, January 26, 1989) и коэффициентом температурного расширения 1,2 мкм/(м·К). Эти термические свойства сопоставимы и совместимы с термическими свойствами алмаза и являются улучшенными относительно термических свойств внутренних полостей (которые имели бы отношение к делу в случае резца с выщелоченным кобальтом по Фигуре 2). Улучшенные термические и механические эксплуатационные характеристики термического канала 28 могут наблюдаться на опыте при использовании кубического нитрида бора в качестве покрытия или наплавляемого материала, поддерживающего нагнетание, миграцию и/или введение компонента бора в алмазную пластину для заполнения промежуточных полостей, оставленных выщелачиванием синтетического каталитического материала (таким как кобальт) на требуемую глубину.

Другие перспективные элементы для использования в данном приложении включают углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото. В качестве материала могут использоваться сочетания этих элементов с другими элементами, а также сплавы, включающие один или несколько указанных элементов. И снова, каждый такой материал обладает термическими свойствами, сопоставимыми и совместимыми с термическими свойствами алмаза и, будучи внедренным в алмазную пластину, может представлять улучшение термических свойств относительно термических свойств промежуточных полостей (которые имели бы отношение к делу в резце с выщелоченным кобальтом по Фигуре 2).

Другой перспективный материал для использования в данном приложении, в альтернативном варианте, включает один или несколько щелочноземельных карбонатов, таких как Li₂СО₃, NaCO ₃, MgCO₃, SrCO₃, К₂СО ₃ и т.п.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает один или несколько сульфатов, таких как Na₂SO₄ , MgSO₄, CaSO₄ и т.п.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает один или несколько гидроксидов, таких как Mg(OH)₂, Ca(OH)₂ и т.п.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает оксид вольфрама (WO₃).

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает карбид бора (В₄С).

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает TiC_0,6.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает один или несколько оксидов железа или двойных оксидов, таких как FеТiO₃, Fе₂, SiO₄, Y₃Fе₅O₁₂, Fe ₅O₁₂ и т.п.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает один или несколько интерметаллических материалов.

Другой перспективный материал для использования в данном приложении альтернативно включает один или несколько керамических материалов.

Для изготовления PDC-резца 20 может использоваться множество различных способов.

В первом способе покрытие из материала 30 (также называемого «материалом термического канала») наносится на лицевую поверхность алмазного резца 22, который был подвергнут выщелачиванию каталитического вяжущего вещества на глубину 16 (как показано пунктирной линией). Это показано на Фигуре 6. Для нанесения материала на лицевую поверхность целевой алмазной пластины может использоваться множество способов: окраска, нанесение покрытия, вымачивание, окунание, плазменное осаждение из паровой фазы, химическое осаждение из паровой фазы, а также усиленное плазмой химическое осаждение из паровой фазы.

Затем производится обработка, которая приводит к соединению материала 30 (или отдельных компонентов, входящих в его состав) для заполнения полостей, оставленных выщелачиванием каталитического материала (такого как кобальт) в области 32, близкой к поверхности алмазной пластины и образующей термический канал 28. Это показано на Фигуре 7. В случае необходимости, непрореагировавший материал может быть удален.

В одном из осуществлений используемая обработка включает обработку пропитыванием. Процессы обработки пропитыванием описаны в опубликованных заявках на патент США № 2008/0240879 и № 2009/0032169, описания из которых ссылкой включаются в настоящее описание. Указанные процессы пропитывания описаны в связи с выполнением миграции кобальта в подложки из карбида вольфрама, но, как предполагается, уместны также и для совершения введения или миграции материала (или компонентов материала) на требуемую глубину относительно лицевой поверхности алмазной пластины. В связи с этим, введенный материал (или компоненты материала) заполняет промежуточные полости, оставленные синтетическим каталитическим материалом (таким как кобальт) в области 32, близкой к поверхности алмазной пластины.

В другом осуществлении используемая обработка включает обработку горячим изостатическим прессованием (HIP). Принцип действия и характеристики HIP-обработки хорошо известны специалистам в данной области. Данный процесс подвергает компонент воздействию повышенной температуры и изостатическому газовому давлению в герметизирующей оболочке высокого давления. Повышенная температура и изостатическое газовое давление, как предполагается, пригодны для выполнения введения материала (или отдельных компонентов материала) в лицевую поверхность алмазной пластины. В предпочтительном варианте использования данного способа подложка из карбида вольфрама и часть алмазного слоя, ближайшего к подложке из карбида вольфрама, могут быть усилены или маскированы для предотвращения обработки этих областей с сохранением обработки рабочей поверхности алмазного слоя. В случае использования кобальтового катализатора в качестве связующего вещества и кубического нитрида бора - в качестве материала, при температуре 750°С кобальт расширяется со скоростью, которая позволяет материалу из кубического нитрида бора (или его компоненту элементарный бор) диффундировать и заполнять внутренние поры под действием изостатического давления.

В другом осуществлении используемая обработка включает обработку холодным прессованием или криогенную обработку. Фигура 8 иллюстрирует осуществление этой обработки, где материал, покрывающий верхнюю поверхность алмазной пластины, выдерживается в камере с жидким азотом в течение выбранного периода времени и в вакуумной среде. Для поддержания подложки из карбида вольфрама и обеспечения некоторой защиты от повреждения подложки из карбида вольфрама и/или связи алмазной пластины под действием экстремально низкой температуры в камере с жидким азотом используется подогреваемый корпус. Низкая температура и давление вакуума, как предполагается, ускоряют введение материала (или отдельных компонентов, входящих в его состав) в лицевую поверхность алмазной пластины. В предпочтительном варианте осуществления данного способа тонкоизмельченные частицы материала (или отдельных компонентов, входящих в его состав) могут впрессовываться в поверхность алмазного слоя поршневым механизмом для дополнительного влияния на вхождение материала (или компонентов материала) в алмазный слой.

В другом осуществлении используемая обработка включает искровое плазменное спекание, или спекание под действием электрического поля, или спекание под действием импульсного электрического тока. Подробности, касающиеся этих процессов, известны средним специалистам в данной области (см., например, статью Shen, "Spark Plasma Sintering Assisted Diamond Formation From Carbon Nanotubes At Very Low Pressure," 2006 Nanotechnology 17 pages 2187-2191 (2206), описание из которой ссылкой включается в настоящее описание). Применение в технологии спекания импульсного тока приводит к локальному нагреву с высокими скоростями, где теплота ускоряет миграцию материала (или компонентов материала) в и для заполнения свободных промежуточных пор, оставленных выщелачиванием лицевой поверхности алмазной пластины.

В другом способе используемые для нанесения покрытия на лицевую поверхность алмазной пластины способы плазменного осаждения из паровой фазы, химического осаждения из паровой фазы и усиленного плазмой химического осаждения из паровой фазы обеспечивают некоторое проникновение материала в алмазную пластину для заполнения промежуточных полостей, оставшихся после выщелачивания синтетического каталитического материала (такого как кобальт). Материал нагревается до температуры, достаточно высокой для его испарения и последующей конденсации при температуре ниже предыдущей, но выше 750°С. При нагревании до температуры выше 750°С пары материала (компонентов материала) диффундируют и заполняют внутренние поры, оставленные после выщелачивания лицевой поверхности алмазной пластинки.

В другом способе нанесение покрытия из материала не производится. Вместо этого материал выбирается таким образом, чтобы он в наибольшей степени был пригоден для ионной имплантации. Предпочтителен выбор в качестве наиболее перспективных кандидатов для ионной имплантации бора или фосфора (или других известных донорных или акцепторных добавок), поскольку использование частиц таких добавок хорошо известно из области производства полупроводниковых интегральных схем. PDC-резец, показанный на Фигуре 2, помещается в камеру для ионной имплантации, и ионы выбранного типа, включающие материал, с высокой энергией имплантируются в него для заполнения с целью замещения выщелоченного синтетического каталитического материала (такого как кобальт). Вслед за имплантацией может производиться тепловая обработка отжигом для дальнейшей диффузии частиц добавки и/или восстановления повреждений кристаллической структуры алмаза, возникающих в результате имплантации.

Также следует понимать, что в качестве альтернативы для нагнетания или миграции материала (или компонентов материала) для заполнения пространства, занимаемого удаленным синтетическим каталитическим материалом (таким как кобальт) могут использоваться и другие механические или химические средства и процессы переноса.

Также следует понимать, что процесс, способ и готовое изделие применимо не только для резца с алмазной пластиной, прикрепленной к подложке, но и для отдельных тел алмазных пластин (которые затем могут прикрепляться к такой подложке, как подложка из карбида вольфрама). Таким образом, описанные выше способы могут применяться лишь к алмазной пластине (в отсутствие опорной подложки из карбида вольфрама).

Выше описаны и проиллюстрированы варианты осуществления данного изобретения. Изобретение не ограничивается описанными вариантами его осуществления.