способ генерации перепутанных поляритонов

Формула изобретения

Способ генерации перепутанных поляритонов, включающий взаимодействие инвертированной оптической среды с пробным импульсом света в условиях формирования модифицированного поляритонного спектра в виде смыкающихся дисперсионных кривых с характерным локальным минимумом на верхней дисперсионной ветви, отличающийся использованием дополнительного поля оптической накачки, которое позволяет поддерживать во времени требуемую инверсию на нижних атомных уровнях -схемы взаимодействия и определяет закон дисперсии поляритонов в виде



где _±= _ba± _ph;

Г_±=Г_at ± _ph;

- эффективная скорость атомной релаксации;

- эффективная отстройка;

- эффективный параметр взаимодействия, - частота Раби для связывающего перехода |a |с ; _ph - эффективная частота фотонного поля; _ba - разностная частота между уровнями |а и |b ; - частота отстройки поля накачки от резонанса; _i (i=a,b,c) характеризуют релаксационные процессы для атомов на соответствующих уровнях; _ph - скорость релаксационных процессов для поля в среде; g - константа атомно-оптического взаимодействия на переходе |b |с ; i - мнимая единица.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области генерации неклассических поляритонов и управления их групповыми скоростями, и может быть использовано для обработки квантовой информации.

Известен способ создания источника перепутанных фотонов [US Patent Application 20070291811 - Entangled Photon Source Application 20070291811 Filed on May 26, 2006. Published on December 20, 2007, http://www.patentstorm.us/applications/20070291811/claims.html]. Способ основан на использовании нелинейных параметрических преобразований в кристалле ВВО, при котором фотон поля оптической накачки, поступающий на вход кристалла, разваливается на два производных фотона с ортогональными поляризациями. Известен также способ генерации неклассических фотонов с использованием сверхтекучего состояния поляритонов в микрорезонаторах [«Massive parallel generation of nonclassical photons via polaritonic superfluid to mott- insulator quantum phase transition», патент США 20100258746, Yun-Chung Na (Palo Alto, CA, US), Yoshihisa Yamamoto (Stanford, CA, US), http://www.faqs.org/patents/app/20100258746]. Способ основан на использовании фазового перехода от сверхтекучего состояния поляритонного газа к состоянию Мотт-инсулятора, при котором происходит формирование пар перепутанных по поляризации фотонов.

Недостатки данных способов состоят в том, что они не позволяют описать фундаментальную физику процессов генерации перепутанных фотонов внутри среды, когда они находятся в связанном с возбуждениями среды поляритонном состоянии.

Наиболее близким к предполагаемому способу является использование взаимодействия инвертированной оптической среды с пробным импульсом света и получение модифицированного спектра поляритонов в виде смыкающихся дисперсионных кривых с характерным локальным минимумом на верхней дисперсионной ветви, вблизи которого могут формироваться поляритоны с отрицательными значениями групповых скоростей [Железняков В.В., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В. // УФН. 1989. Т.159. № 2. С.193].

Недостатки работы заключаются в невозможности практического наблюдения эффекта модификации спектра из-за нестационарности происходящих в двухуровневой модели процессов и отсутствии анализа корреляционных свойств формируемых поляритонов, что не позволяет проследить генерацию перепутанных пар в системе.

Задача, решаемая изобретением, - обеспечение возможностей разработки и создания источника коррелированных пар поляритонов, формируемых и распространяющихся в противоположных направлениях внутри твердотельных оптических сред.

Предлагаемая задача решается тем, что в способе генерации перепутанных поляритонов, включающем взаимодействие инвертированной оптической среды с пробным импульсом света в условиях формирования модифицированного поляритонного спектра в виде смыкающихся дисперсионных кривых с характерным локальным минимумом на верхней дисперсионной ветви, использование дополнительного поля оптической накачки позволяет поддерживать во времени требуемую инверсию на нижних атомных уровнях -схемы взаимодействия и определяет закон дисперсии поляритонов в виде:

где _±= _ba± _ph, Г_±=Г_at± _ph;

атомной релаксации, - эффективная отстройка, эффективный параметр взаимодействия, - частота Раби для связывающего перехода | |с , _ph - эффективная частота фотонного поля, _ba - разностная частота между уровнями | и |b , - частота отстройки поля накачки от резонанса, _i (i= ,b,c) характеризуют релаксационные процессы для атомов на соответствующих уровнях, _ph - скорость релаксационных процессов для поля в среде, g - константа атомно-оптического взаимодействия на переходе |b |с , i - мнимая единица.

Технически наблюдение спектра вида (1) возможно при использовании -схемы взаимодействия с одним пробным E_p и полем накачки E_c в допированном атомами ⁵⁹Pr кристалле Y₂SiO₅ (Фиг.1) при выполнении двух физических условий: сильной связи, когда _c< и рамановского предела работы схемы при _c<D. Возникающий на верхней поляритонной ветви локальный минимум приводит к распространению в среде светлого поляритона с отрицательным значением групповой скорости в точке k₁ на Фиг.2а, где - волновой вектор пробного поля. При этом в среде существует второй - темный поляритон той же энергии, но распространяющийся с положительной групповой скоростью для точки k₂ в противоположном к первому направлении. Возникающая пара поляритонов характеризуется наличием сильных неклассических фазовых корреляций - перепутывания между светлыми и темными поляритонами при выполнении условия: (на Фиг.2,б), где корреляционные параметры имеют вид:

Здесь ² определяет дисперсию соответствующей величины, а сами параметры X_i,k и Y_i,k задаются следующими выражениями:

которые описывают квадратуры для пары светлый Ф_1,k и темный Ф_2,k, поляритоны со своими бозонными операторами уничтожения:

где f_k, ; a_k, ; b_k, - соответственно операторы уничтожения и рождения для фотонов пробного поля и атомов на уровнях |a и |b в k-й моде, а коэффициенты µ, (аналогично коэффициентам Хопфилда) определяют частичный вклад фотонной и атомной составляющих в формирование поляритона, удовлетворяя при этом условию µ²- ²=1.

Пример реализации способа.

В качестве рабочей среды использовали допированный атомами ⁵⁹Pr кристалл Y₂SiO₅ , -схема взаимодействия для которого представлена на Фиг.1, а параметры взаимодействия составляли: длина рабочей области в кристалле L_eff=9 мм, относительная концентрация 0.007% атомов ⁵⁹Pr в среде, величина расщепления между подуровнями | и |b _ba=6.4·10⁷ с^-1, скорость релаксации на оптическом переходе Г_{at c}=1.47·10⁷ с^-1, интенсивность поля накачки I_p=0.96 Вт·см^-2, частота отстройки поля накачки от резонанса =6·10⁴ с^-1, величина атомно-оптической константы связи g=2.8·10⁷ с^-1. При выбранных параметрах в среде допированого кристалла происходит формирование перепутанных поляритонов вблизи точки k₁ на Фиг.2.