преобразователь давления

Классы МПК:G01L9/04 резисторных тензометров 
Патентообладатель(и):Куролес Владимир Кириллович (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2012-09-21
публикация патента:

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при разработке полупроводниковых датчиков давления, выполненных по технологии МЭМС (микроэлектромеханические системы). Преобразователь давления содержит кремниевую мембрану с тензоизмерительным мостом, последовательно соединенным с транзистором, подключенными к источнику постоянного напряжения. Выходная диагональ тензомоста соединена с входом инструментального усилителя, выход которого подключен к первому входу усилителя коррекции температурной погрешности. Ко второму входу усилителя коррекции подключен сумматор, первые два входа которого соединены через резистор и диод со средними точками измерительного тензомоста. Третий вход через резистор подключен к источнику смещения напряжения сумматора. Техническим результатом является устранение температурной погрешности в преобразователе. 1 ил. преобразователь давления, патент № 2502970

преобразователь давления, патент № 2502970

Формула изобретения

Преобразователь давления, содержащий кремниевую мембрану с тензоизмерительным мостом, последовательно соединенным с транзистором, подключенными к источнику постоянного напряжения, причем выходная диагональ тензомоста соединена с входом инструментального усилителя, выход которого подключен к первому входу усилителя коррекции температурной погрешности, отличающийся тем, что ко второму входу усилителя коррекции подключен сумматор, первые два входа которого соединены через резистор и диод со средними точками измерительного тензомоста, а третий вход через резистор - с источником смещения напряжения сумматора.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при разработке полупроводниковых датчиков давления, выполненных по технологии МЭМС (микроэлектромеханические системы).

Известен преобразователь давления, который содержит мембрану из монокристаллического кремния, на которой сформированы 4 тензорезистора, которые включены в измерительный мост. Измерительный мост последовательно соединен с опорным резистором, и они подключены к источнику питания, управляемый вход которого подключен к дифференциальному усилителю. Вход этого усилителя соединен с выходом дополнительного моста, образованного последовательной цепочкой тензомоста с указанным резистором и делителем напряжения из двух дополнительных резисторов. В этом преобразователе тензорезисторы выполняют функции и измерителя давления, и измерителя температуры и нагревательного элемента. Последняя функция обеспечена регулировкой тока через измерительный мост такой, чтобы выходное напряжение дополнительного моста оставалось стабильным. При этом температура кристаллической мембраны также стабилизируется.

Такой преобразователь описан в журнале «Измерительная техника» № 11 за 1982 г., стр.35. Недостатком преобразователя является невозможность обеспечения термостабилизации в широком диапазоне температур.

Этот недостаток устранен в преобразователе по патенту RU № 2036445, который и принят за прототип. В этом преобразователе также измерительный мост включен в плечо дополнительного моста, вход которого соединен с выходом регулируемого источника питания. Отличие схемы от вышеописанной заключено в том, что кристаллическая мембрана не термостатируется, а напряжение питания измерительного моста регулируется так, что коэффициент термочувствительности коэффициента чувствительности (ТКЧ) по давлению уменьшается до 0. Это обеспечено положительной обратной связью с выхода дополнительного моста. При этом измерительный мост также несет информацию о температуре, кроме информации о давлении. Причем входное напряжение тензомоста слабо зависит от давления и сильно зависит от температуры. Это и используется для компенсации ухода 0.

Недостатком преобразователя-прототипа является необходимость определения ТКЧ каждого кристалла и настройка источника питания в соответствии с этим ТКЧ и температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) тензорезисторов.

Предлагаемое изобретение и направлено на устранение этого недостатка.

Частично этот недостаток устранен в преобразователе на базе кристалла, в котором на мембране, кроме тензомоста, выполнен транзистор, последовательно соединенный с тензомостом. Включение этой схемы на выход стабилизатора напряжения обеспечивает стабильный ток через тензомост. За счет этого исключается влияние на коэффициент передачи температуры (ТКЧпреобразователь давления, патент № 2502970 0). Однако при этом увеличивается погрешность от температуры ухода начального напряжения (уменьшили мультипликативную погрешность - увеличилась аддитивная и, наоборот, при смене источника напряжения на источник тока моста).

Целью предложенной схемы преобразователя давления является устранение температурной погрешности в преобразователе, выполненном на кристалле с тензомостом и стабилизатором тока.

Указанная цель достигается подключением к выходной диагонали измерительного тензомоста, кроме инструментального усилителя, который вычитает потенциалы выходной диагонали, также и сумматора этих потенциалов. Последний выполнен с помощью двух диодов, каждый из которых анодом соединен с соответствующим узлом выходной диагонали измерительного тензомоста, а катодами они подключены к резисторам сумматора так, что на выходе сумматора обеспечивается сумма потенциалов выходной диагонали моста. Кроме этого организован третий вход сумматора для начального смещения сумматора, и коэффициент передачи сумматора выполнен настраиваемым.

Компенсация температурного ухода «0» (начального смещения) обеспечивается вычитанием выходных напряжений инструментального усилителя и описанного сумматора, реализованным на операционном усилителе, входами подключенным к выходам инструментального усилителя и сумматора. Настройка коэффициента передачи сумматора производится из условия: преобразователь давления, патент № 2502970 , при которой давление определяется формулой:

преобразователь давления, патент № 2502970

где

u1 - выходное напряжение инструментального усилителя,

K p - коэффициент его передачи по давлению, а

Kt - коэффициент температурной зависимости u1 .

u2 - выходное напряжение сумматора,

преобразователь давления, патент № 2502970 - его коэффициент передачи по давлению, а

преобразователь давления, патент № 2502970 - его коэффициент температурной зависимости.

Для предложенной схемы характерна нижеследующая зависимость:

преобразователь давления, патент № 2502970

преобразователь давления, патент № 2502970

Причем преобразователь давления, патент № 2502970 , а преобразователь давления, патент № 2502970 , откуда следует

преобразователь давления, патент № 2502970

Из этих уравнений и следует формула для вычисления давления. Коэффициенты преобразователь давления, патент № 2502970 , преобразователь давления, патент № 2502970 определяются при единичном коэффициенте передачи сумматора, а затем он устанавливается равным преобразователь давления, патент № 2502970 .

На рисунке 1 обозначено:

1 - тензометрированный кристалл с транзистором, который обеспечивает существенное уменьшение ТКЧ,

2 - инструментальный усилитель,

3 - сумматор потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2,

4 - операционный усилитель.

Преобразователь реализует функцию уменьшения температурной погрешности ухода «0» за счет применения сумматора потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2. При воздействии на кристалл давления, потенциал преобразователь давления, патент № 2502970 1 уменьшается, а преобразователь давления, патент № 2502970 2 - увеличивается. Инструментальный усилитель вычисляет разность этих потенциалов и усиливает ее. Поэтому этот канал является чувствительным к давлению. При воздействии температуры все резисторы тензомоста увеличиваются и поэтому потенциалы преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2 изменяются почти одинаково. Поэтому этот канал от температуры зависит слабо. Его температурная зависимость определяется только начальным смещением и входным напряжением моста, которое изменяется с температурой так, что ток через мост остается постоянным. Однако будучи усиленным инструментальным усилителем, разность потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2 становится существенной.

Канал сумматора, наоборот, при воздействии на кристалл давлением, сумма потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2 не изменяется или изменяется очень слабо. При воздействии же температуры сумма потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2 удваивается и является существенно зависимой от температуры, поскольку при этом изменяется напряжение моста.

Можно считать, что этот канал несет информацию о температуре тензомоста, его сигнал и компенсирует уход «0» на выходе инструментального усилителя. Так, для ЧЭД5, выпускаемых. Технологическим центром МИЭТ (Зеленоград), соотношение преобразователь давления, патент № 2502970 , а соотношение преобразователь давления, патент № 2502970 , что и позволяет применить эту схему, не уменьшая чувствительности по давлению.

Если сравнивать предложенную схему со схемами коррекции, основанными на измерении температуры кристалла с помощью размещаемых на кристалле тензорезисторов (как это делается в НИИФИ г.Пенза), то можно отметить следующее: терморезистор несет информацию о температуре мембраны, однако тензорезисторы имеют температуру, отличную от температуры терморезистора. Тогда как в предложенной схеме измеряется средняя температура всех четырех тензорезисторов с помощью суммирования потенциалов преобразователь давления, патент № 2502970 1 и преобразователь давления, патент № 2502970 2. В схемах НИИФИ достигается термокоррекция в узком диапазоне температур, в предложенной схеме - в более широком диапазоне температур. Причем термокоррекция предложенная не требует применения контроллеров, а реализуется на операционных усилителях (смотри, например, статью Е. Слива «Коррекция по температуре измерительных преобразователей физических величин на базе микроконтроллера MSP 430 F149 фирмы Texas Instrument», в Интернете catalog.qaw.ru).

Влияние сумматора на потенциалы моста в данной схеме исключено за счет применения диодов и существенно меньших сопротивлений моста, чем входные сопротивления сумматора. Следует также отметить, что предложенная схема термокоррекции выполнит свою функцию при ее применении для коррекции температуры преобразователей полупроводниковых, у которых на мембране размещен только тензомост без транзистора. При этом необходимо только тензомост питать стабильным током, подключая его к стабилизатору тока. Тогда его ТКЧ стремится к 0, а увеличение смещения «0» компенсирует предложенная схема на основе сумматора потенциалов средних точек тензомоста.

Тем самым показано ее широкое применение, а новизна заключена в измерении изменения суммы потенциалов средних точек тензорезисторного моста, реализованное сумматором и двумя диодами.

Класс G01L9/04 резисторных тензометров 

высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2526788 (27.08.2014)
датчик давления -  патент 2523754 (20.07.2014)
датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы для прецизионных измерений -  патент 2516375 (20.05.2014)
способ измерения давления и интеллектуальный датчик давления на его основе -  патент 2515079 (10.05.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2512142 (10.04.2014)
высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2507491 (20.02.2014)
датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром -  патент 2507490 (20.02.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2505791 (27.01.2014)
способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2498250 (10.11.2013)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2498249 (10.11.2013)
Наверх