коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера

Классы МПК:G02B27/30 коллиматоры 
G02B27/09 формирование луча, например изменением площади поперечного сечения, не отнесенное к другим рубрикам
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Открытое акционерное общество "Красногорский завод имени С.А. Зверева" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2011-12-02
публикация патента:

Коллимирующая оптическая система может использоваться в оптико-электронных системах измерения расстояния, локации, наведения, связи, в которых используются полупроводниковые лазеры. Коллимирующая оптическая система содержит последовательно расположенные по ходу лучей объектив и две прямые призмы. Ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы перпендикулярно плоскости полупроводникового перехода. Преломляющие углы призм одинаковы и выбираются в пределах 20коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 42°, коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - углы падения пучков излучения на призмы и коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - преломляющие углы призм выбираются из соотношения: коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где n - показатель преломления материала призмы. Фокусное расстояние объектива F выбирается из соотношения коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - требуемая расходимость излучения; a|| - размер излучающей области полупроводникового лазера в плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода. Технический результат - снижение габаритов оптико-электронных приборов, в которых используется излучение полупроводниковых лазеров, при сохранении качества. 5 ил. коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

Формула изобретения

Коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей объектив и две прямые призмы, отличающаяся тем, что ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы перпендикулярно плоскости полупроводникового перехода, преломляющие углы призм одинаковы и выбираются в пределах 20÷42°, коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - углы падения пучков излучения на призмы; коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - преломляющие углы призм выбираются из соотношения

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где n - показатель преломления материала призмы,

a F - фокусное расстояние объектива выбирается из соотношения

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - требуемая расходимость излучения;

a|| - размер излучающей области полупроводникового лазера в плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к оптико-электронным системам измерения расстояния, локации, наведения, связи и другим устройствам, в которых используется излучение полупроводниковых лазеров.

Известны лазерные дальномеры [Абрамов А.И. и др. Разработка лазерных дальномеров-биноклей на Красногорском заводе им. С.А.Зверева // Оптический журнал, 2009. № 8. С.18-19], в которых для формирования пучка излучения полупроводникового лазера применяются объективы. Излучающей областью импульсного полупроводникового лазера является p-n переход, длина которого, a||~120коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 350 мкм [Справочник по лазерной технике. Перевод с немецкого В.Н.Белоусова. / Под ред. А.П.Напартовича. М.: Энергоатомиздат, 1991. С.138], при ширине перехода (aколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ) порядка нескольких микрон. Объектив дальномера проецирует изображение излучающей области в плоскость предмета, до которого измеряется расстояние.

Минимальные значения расходимости пучка излучения на выходе объектива дальномера по ортогональным координатам определяются по формуле

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где F - фокусное расстояние объектива.

Формула (1) справедлива, если F>>a|| , коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 , что обычно выполняется в оптических системах дальномеров.

Световой размер D||, коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 объектива дальномера, при отсутствии виньетирования излучения, определяется по формуле

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ||, коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - углы расходимости излучения лазера по ортогональным координатам.

Из-за различия размеров a || и aколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 поперечное сечение пучка излучения в плоскости объекта, до которого измеряется расстояние, представляет плоскую фигуру, симметричную относительно центра, границы фигуры, в общем случае, овал [Патент РФ № 2343413, МПК G01C 3/08, G01S 17/10, дата публикации 10.01.2009. Фиг.2], причем длина овала значительно больше его ширины. Для большинства оптико-электронных систем измерения расстояния, локации и т.п. желательно, чтобы границы указанного выше сечения были близки к окружности. Например, при неосесимметричном сечении пучка излучения дальномера возможно влияние помех за счет отражения излучения от предметов, расположенных ближе или дальше от плоскости объекта, что может приводить к ошибкам при измерении расстояния.

Для коррекции формы сечения пучка излучения предложены различные технические решения. Наиболее близким аналогом к заявляемому решению является коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера [Патент РФ № 2101743, МПК G02B 27/30, дата публикации 10.01.1998], содержащая последовательно расположенные по ходу лучей объектив и группу призм. Ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы параллельно плоскости полупроводникового перехода, преломляющие углы призм выбираются в пределах 25коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 40°, угловое увеличение Г группы призм выбирается из следующего соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 и коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 || - углы расходимости излучения полупроводникового лазера в плоскостях, перпендикулярной и параллельной плоскости полупроводникового перехода соответственно, передняя фокальная плоскость объектива смещена относительно предметной плоскости на расстояние коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 0, определяемое соотношением:

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где a|| и a коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - размеры тела свечения полупроводникового лазера в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода соответственно, а продольная сферическая аберрация коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 (U)объектива выбирается из следующего соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где U - апертурный угол объектива;

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 0 - расстояние от передней фокальной плоскости объектива до предметной плоскости;

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - угол расходимости излучения полупроводникового лазера по уровню 0,5 в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода.

Рассматриваемая оптическая система обеспечивает формирование осесимметричного пучка излучения, при этом, как следует из фиг.1 вышеуказанного патента РФ № 2101743, левые преломляющие грани призм 4 и 5 перпендикулярны оптической оси объектива. Размер сечения пучка излучения в плоскости, перпендикулярной преломляющим граням призм, после прохождения пучка излучения через призмы уменьшится, т.е. расходимость пучка увеличится (угловое увеличение Гколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 1). Таким образом, минимальную расходимость пучка излучения после всей оптической системы (при Г=1) можно определить по формуле (1); при этом F - фокусное расстояние объектива, состоящего из линз 2 и 3.

Оценим габариты оптической системы по техническому решению патента РФ № 2101743 применительно к дальномеру-биноклю ЛДБ 7×40, рассмотренному в статье [Абрамов А.И. и др. Разработка лазерных дальномеров-биноклей на Красногорском заводе им. С.А.Зверева // Оптический журнал, 2009. № 8. С.19]. Расходимость пучка излучения на выходе объектива дальномера составляет порядка 8' и, как указано в этой статье на странице 21, для обеспечения возможности измерения расстояния до малоразмерного предмета необходимо повысить угловое разрешение дальномера, т.е уменьшить расходимость пучка излучения. У лазера типа SPL90-3 фирмы OSRAM, использованного в дальномере-бинокле, длина излучающей области равна 200 мкм [OSRAM Optpo Semiconductors. Product Catalog. 2004]. Расчет по формуле (1) показывает, что при уменьшении расходимости в два раза (до 4'), потребуется объектив с фокусным расстоянием порядка 170 мм. Расходимость излучения лазера составляет (25×11)° и при вычислении по формуле (2) световой диаметр объектива Dколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 70 мм (для расходимости 25°). Объектив с такими габаритами неприемлем для размещения в малогабаритных приборах типа бинокля.

Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является создание системы, формирующей осесимметричный пучок лазерного излучения, с требуемой расходимостью, от полупроводникового лазера при минимальных габаритах коллимирующей оптической системы.

Технический результат заключается в снижении габаритов оптико-электронных приборов, в которых используется излучение полупроводниковых лазеров, при сохранении качества.

Указанный технический результат достигается с помощью коллимирующей оптической системы для полупроводникового лазера, содержащей последовательно расположенные по ходу лучей объектив и две прямые призмы, в отличие от известного ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы перпендикулярно плоскости полупроводникового перехода, а преломляющие углы призм одинаковы и выбираются в пределах 20коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 42°, причем коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - углы падения пучков излучения на призмы и коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - преломляющие углы призм выбираются из соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где n - показатель преломления материала призмы, а F - фокусное расстояние объектива выбирается из соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

где коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 -требуемая расходимость излучения на выходе объектива,

a|| - размер излучающей области полупроводникового лазера в плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода.

На фиг.1 изображена функциональная схема устройства (вид сверху), на фиг.2 показан вид устройства сбоку. Фиг.3-5 поясняют принцип изменения расходимости пучка излучения при прохождении пучка излучения через призму.

Коллимирующая оптическая система (фиг.1, 2) содержит полупроводниковый лазер 1, объектив 2, первую призму 3 и вторую призму 4. Излучающая область лазера 1 расположена в фокальной плоскости объектива 2. Далее, на оптической оси объектива 2 установлена первая призма 3 и последовательно с ней - вторая призма 4. Обе призмы - прямые, их перпендикулярные сечения параллельны между собой и параллельны наибольшей стороне p-n перехода лазера. Ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы перпендикулярно плоскости полупроводникового перехода. Углы между преломляющими гранями призм 3 и 4 выполнены одинаковыми по величине, в пределах 20коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 42°. Призмы изготовлены из одного и того же оптического материала, например из оптического стекла марки ТФ10. Входные грани призм установлены по отношению к падающему на них пучку таким образом, что на выходе каждой призмы ось пучка перпендикулярна выходной грани призмы.

На фиг.3 проиллюстрировано прохождение пучка оптического излучения (линейный размер сечения пучка L1) через призму с углом при вершине коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 . Геометрическая ось пучка излучения ориентирована под углом коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 относительно нормали к входной грани призмы. При условии выполнения формулы (6) ось пучка излучения будет ориентирована под углом 90° к выходной грани призмы, линейный размер сечения пучка излучения на выходе призмы составит L2.

В качестве примера на фиг.4 показана зависимость коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 (коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ) для оптического стекла марки ЛК6 (n=1,47) и оптического стекла марки ТФ10 (n=1,806). Практически все распространенные марки оптических стекол имеют показатели преломления в диапазоне между указанными выше значениями. Таким образом, для призмы с известными параметрами коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 и n однозначно определяется угол коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 , при котором ось пучка излучения составляет угол 90° относительно нормали к выходной грани призмы.

Угловое увеличение призмы Г

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

Графики Г(коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ) для указанных выше марок стекол приведены на фиг.5.

Из рисунка следует, что параметр Г может достигать значения 0,2 и менее, т.е. призма позволяет уменьшить расходимость пучка оптического излучения до пяти раз (по одной координате). Максимальный угол при вершине призмы ограничен значением угла полного внутреннего отражения (для стекла марки ЛК6 ~42°), а при углах менее 20° параметр Г составит, для различных марок стекол, 0,85коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 0,9 и уменьшение расходимости на выходе призмы будет незначительно. Поэтому угол коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 для практически применяемых марок оптических стекол, как следует из фиг.4, следует выбирать в диапазоне от 20° до 42°, в отличие от прототипа, где этот угол выбирается в пределах 25° до 40°.

Поскольку пучок оптического излучения после призмы изменяет направление распространения, в устройстве, показанном на фиг.1, последовательно с первой призмой 3 установлена вторая призма 4, изготовленная из того же материала и с таким же углом при вершине. При этом оси пучков излучения на входе и выходе системы из призм 3 и 4 будут параллельны, что удобно при компоновке оптических приборов. Угловое увеличение двух призм в схеме фиг.1 составит Г2, где Г - угловое увеличение одной призмы.

Оценить габариты рассматриваемого устройства целесообразно при тех же исходных данных, которые использованы при анализе прототипа: длина излучающей области лазера 200 мкм, расходимость излучения лазера (25×11)°. Если принять фокусное расстояние объектива 2 равным 35 мм, то расходимость пучка излучения по координате, параллельной наибольшей стороне p-n перехода лазера, по формуле (1):

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 - значение расходимости пучка излучения на входе первой призмы в плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода.

Для получения после призменной системы расходимости 4' необходимо, чтобы угловое увеличение двух призм составило 0,2, для этого угловое увеличение одной призмы должно быть коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 . Параметр Г определяется по формуле (7). Как следует из графиков, приведенных на фиг.4, для стекла марки ТФ10 угол при вершине призмы коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 32°, соответственно из фиг.3 угол коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 65°.

Линейный размер сечения пучка излучения после объектива 2 (фиг.1), по формуле (2), D1 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 2·35·tg5,5°коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 7 мм. После прохождения излучения через призмы 3 и 4 этот размер увеличится примерно в 5 раз, т.е. составит порядка 35 мм. С учетом технологических допусков можно принять линейный размер бокового ребра призмы 4 по координате, лежащей в плоскости чертежа фиг.1, равным 50 мм.

По второй координате (фиг.2) размер излучающей области лазера составляет 10 микрон [OSRAM Optpo Semiconductors. Product Catalog. 2004], соответствующие расчеты дают значения Dколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 1коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 1', D2коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 16 мм. После прохождения излучения через призмы 3 и 4 этот размер практически не увеличится (по этой координате призмы эквивалентны плоскопараллельным пластинкам) и можно принять размер ребра призмы 4 по координате, лежащей в плоскости чертежа фиг.2, равным 20 мм.

Как видно из сравнения габаритов оптической системы, показанных на фиг.1 и 2, с габаритами прототипа (при тех же выходных характеристиках), последние значительно больше, например у прототипа диаметр выходного зрачка объектива, как было рассчитано выше, не менее 70 мм (площадь более 38 см 2), а у предлагаемого устройства - 20×50 мм2 (площадь 10 см2). Общая длина оптической схемы от излучающей области лазера до выходного ребра призмы 4 (фиг.1) составит порядка 105 мм, у прототипа этот размер, как было определено выше, 170 мм.

Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет существенно уменьшить габариты оптико-электронного прибора и получить заявленный технический результат.

Коллимирующая оптическая система работает следующим образом. Расходящийся пучок излучения полупроводникового лазера преобразуется объективом в слабо расходящийся световой пучок (20×1)'. Далее пучок излучения пройдет через первую и вторую призмы и расходимость на выходе по одной координате составит: коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ||2=коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 ||1·Г2коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 20'·0,2=4', а по второй координате не изменится, т.к. для этой координаты призмы эквивалентны плоскопараллельным пластинкам.

В результате на выходе коллимирующей оптической системы будет сформирован пучок излучения с расходимостью порядка (4×1)'. Для достижения осевой симметрии излучающую область лазера необходимо сместить относительно фокальной плоскости объектива. При удалении излучающей области лазера на расстояние z от фокальной плоскости линейный размер пятна излучения в этой плоскости составит

коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605

Расшифровки обозначений aколлимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 , коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, патент № 2481605 и их числовые значения приведены выше.

Расчет показывает, что для приведенных выше числовых значений параметров смещение z составит порядка 0,15 мм, при этом расходимость излучения по второй координате практически не изменится. В результате на выходе призм будет сформирован осесимметричный световой пучок с расходимостью ~4' по обеим координатам.

На практике выставка положения излучающей области лазера относительно фокальной плоскости объектива производится в процессе настройки оптического канала формирования пучка излучения, поэтому включение соотношения (10) в формулу изобретения нецелесообразно.

Таким образом, в результате предложенного решения решается задача формирования осесимметричного пучка лазерного излучения от полупроводникового лазера, с требуемой расходимостью, при обеспечении технического результата - снижении габаритов оптико-электронных приборов, в которых используется излучение полупроводниковых лазеров.

Класс G02B27/30 коллиматоры 

объектив коллиматора -  патент 2517760 (27.05.2014)
автоколлимационное теневое устройство -  патент 2497165 (27.10.2013)
автоколлимационное углоизмерительное устройство -  патент 2491586 (27.08.2013)
коллиматор -  патент 2489744 (10.08.2013)
инфракрасный коллиматор -  патент 2470335 (20.12.2012)
видеоавтоколлиматор -  патент 2455668 (10.07.2012)
коллиматор для настройки многоканальной телевизионной системы -  патент 2413267 (27.02.2011)
оптическая система для полупроводниковых лазеров -  патент 2390811 (27.05.2010)
автоколлиматор для измерения угла скручивания -  патент 2384812 (20.03.2010)
автоколлиматор для измерения угла скручивания -  патент 2384811 (20.03.2010)

Класс G02B27/09 формирование луча, например изменением площади поперечного сечения, не отнесенное к другим рубрикам

устройство и способ оптического освещения -  патент 2510060 (20.03.2014)
технологический объектив для лазерной обработки -  патент 2504809 (20.01.2014)
способ изменения диаметра перетяжки выходного лазерного пучка на фиксированном расстоянии от лазера -  патент 2488861 (27.07.2013)
согласующая лазерная оптическая система для обеспечения постоянства размера и положения выходной перетяжки -  патент 2435182 (27.11.2011)
способ формирования пространственного профиля интенсивности лазерного пучка -  патент 2410735 (27.01.2011)
устройство для формирования лазерного луча -  патент 2401986 (20.10.2010)
оптическая система для полупроводниковых лазеров -  патент 2390811 (27.05.2010)
устройство гомогенизации света, а также способ изготовления устройства -  патент 2362193 (20.07.2009)
дифракционное профилирование распределения интенсивности частично пространственно когерентного светового пучка -  патент 2343516 (10.01.2009)
устройство для преобразования электромагнитного излучения в когерентную форму -  патент 2312384 (10.12.2007)
Наверх