способ определения пространственного распределения намагниченности нанослоя

Классы МПК:G01N27/00 Исследование или анализ материалов с помощью электрических, электрохимических или магнитных средств
G01N23/09 нейтронного излучения
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Объединенный Институт Ядерных Исследований (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2010-11-17
публикация патента:

Использование: для определения пространственного распределения намагниченности нанослоя. Сущность: заключается в том, что нанослой помещают в слоистую структуру, выполняющую функцию нейтронного волнового резонатора, накладывают перпендикулярные друг другу постоянное и осциллирующее магнитное поле и измеряют интенсивность отраженных от структуры с нанослоем поляризованных нейтронов при резонансных значениях волнового вектора нейтронов, при этом интенсивность нейтронов измеряют в зависимости от величины напряженности постоянного магнитного поля и частоты осциллирующего магнитного поля, а из максимальных значений интенсивности нейтронов определяют пространственное распределение амплитуды осциллирующей намагниченности нанослоя. Технический результат: повышение чувствительности измерений. 1 ил. способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727

способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727

Формула изобретения

Способ определения пространственного распределения намагниченности нанослоя, состоящий в том, что нанослой помещают в слоистую структуру, выполняющую функцию нейтронного волнового резонатора, накладывают перпендикулярные друг другу постоянное и осциллирующее магнитное поле и измеряют интенсивность отраженных от структуры с нанослоем поляризованных нейтронов при резонансных значениях волнового вектора нейтронов, отличающийся тем, что интенсивность нейтронов измеряют в зависимости от величины напряженности постоянного магнитного поля и частоты осциллирующего магнитного поля, а из максимальных значений интенсивности нейтронов определяют пространственное распределение амплитуды осциллирующей намагниченности нанослоя.

Описание изобретения к патенту

Настоящее изобретение относится к области определения магнитных свойств наносистем, в частности методики диагностики магнитных свойств нанослоя в осциллирующем магнитном поле, что важно для определения динамических свойств нанослоя, определяющих величину и скорость его магнитного отклика.

Известный способ определения пространственного распределения намагниченности (или магнитного момента) нанослоя [1] состоит в регистрации отражения поляризованных нейтронов. Более чувствительный способ измерения [2] с использованием поляризованных нейтронов состоит в том, что нанослой помещается в трехслойную структуру, которая является нейтронным волновым резонатором. Действие нейтронного резонатора в случае измерений характеристик магнитного нанослоя основано на усилении вероятности процесса переворота спина нейтронов. Поляризованные нейтроны могут быть использованы и для измерения пространственного распределения осциллирующей с некоторой частотой под действием магнитного поля намагниченности нанослоя. Действительно, известно решение [3] задачи прохождения нейтроном области пространства, в которой есть постоянное и осциллирующее магнитное поле. Из этого решения следует, что вероятность переворота спина нейтрона определяется амплитудой осциллирующего магнитного поля. Данное явление, называемое нейтронным резонансом, было использовано в [4] для измерения магнитного момента нейтрона еще в 1940 году. В работе [5], которая является прототипом, показано, что нейтронный резонатор позволяет также увеличить чувствительность измерения осциллирующей под действием магнитного поля намагниченности. Однако увеличение чувствительности оказывается небольшим и составляет от 100 до 200. Это связано с тем, что нейтронные резонансы в зависимости от волнового вектора нейтронов реализуются парами и это, при расстоянии между ними большем чем ширины резонансов, приводит к уменьшению коэффициента отражения (интенсивности отраженных нейтронов) и, как следствие, снижению чувствительности измерений. Таким образом, недостатком прототипа является недостаточная чувствительность измерений, что не позволяет проводить измерения в случае слоев нанометровой толщины.

Решение технической задачи достигается тем, что нанослой помещают в структуру, выполняющую функцию нейтронного волнового резонатора, накладывают перпендикулярные друг другу постоянное и осциллирующее магнитные поля и измеряют интенсивность отраженных от структуры с нанослоем поляризованных нейтронов при резонансных значениях волнового вектора нейтронов, при этом интенсивность нейтронов измеряют в зависимости от величины напряженности постоянного магнитного поля и частоты осциллирующего магнитного поля, а из максимальных значений интенсивности нейтронов определяют пространственное распределение амплитуды осциллирующей намагниченности нанослоя.

Физическая сущность изобретения заключается в том, что в волновом резонаторе нейтронная волна многократно пересекает магнитный слой, увеличивая, таким образом, вероятность вызываемого переменным полем переворота спина нейтронов. Это приводит к возрастанию потока отраженных нейтронов, испытавших переход между начальным спиновым состоянием вдоль (против) направления постоянного магнитного поля в конечное состояние против (вдоль) постоянного магнитного поля. Другими словами, увеличивается чувствительность измерений амплитуды индукции осциллирующего магнитного поля, которая определяется известной напряженностью магнитного поля и определяемой намагниченностью нанослоя. При усилении вероятности процесса переворота спина нейтронов в порядка 100-200 раз, что определяется параметрами волнового резонатора, нейтронные резонансы расщепляются на пары резонансов, и это ограничивает чувствительность измерений. Для снятия этого ограничения необходимо выполнить определенные соотношения между напряженностью H и индукцией B постоянного магнитного поля, частотой переменного магнитного поля способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 и протяженностью магнитного Lm и немагнитного Lnm слоев, а именно:

способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727

где UHn H, UBnB, Uспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 /2, µn - магнитный момент нейтрона. В результате, при имеющемся в настоящее время на нейтронных рефлектометрах максимальном разрешении по волновому вектору нейтрона порядка 0.1%, суммарное усиление вероятности процесса переворота спина нейтронов достигает 105-106. Пространственное распределение амплитуды осциллирующей намагниченности M1 (z) определяют из максимальных значений коэффициента отражения нейтронов с переворотом спина GМАКС(k1РЕЗ ), GМАКС(k2РЕЗ), способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 , GМАКС(kNРЕЗ) (достигаемых при выполнении условия (1)) при резонансных значениях волнового вектора k 1РЕЗ, k2РЕЗ, способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 , kNРЕЗ и известных амплитуде напряженности осциллирующего магнитного поля H1 и толщине слоя L m в соответствии со следующими соотношениями:

способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727

где p - плотность нейтронов, N - число резонансов, способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 - коэффициент, определяемый параметрами резонатора.

Технически данный способ реализуется следующим образом. Подложка толщиной 1-5 мм и размерами в плоскости больше чем 5 мм × 5 мм изготавливается из полированной пластины кремния, окисла магния или стекла. Далее на подложку наносятся последовательно слои структуры. Для качественного изготовления структуры, когда шероховатость на границах раздела невелика, нужно использовать или метод магнетронного распыления, или метод молекулярной эпитаксии. Рассмотрим для примера структуру Cu(900 Å)/Al(150 Å)/Co(1 Å)/Al(150 Å)/Cu, в которой на подложку из меди нанесены последовательно слой Al(150 Å), магнитный слой Co(1 Å), второй слой Al(150 Å) и покрывающий слой Cu(900 Å). Нейтронным резонатором является указанная структура без магнитного слоя. На рисунке для данной структуры приведены зависимости коэффициента отражения нейтронов с переворотом спина Gsf от относительной величины волнового вектора нейтронов k=K/KCu (из-за малой толщины алюминиевых слоев в структуре реализуется только один резонанс) при различных значениях и знаках разностей параметров способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =UB-Uспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =UH-Uспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 , где K - волновой вектор нейтрона, KCu =0.0091 Å-1 - критическое значение волнового вектора нейтрона для меди. Кривые 1 и 2 соответствуют значениям параметров способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =3×10-2UCu, способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =0 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =0, способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =0.9×10-4UCu и имеют одно максимальное значение, где UCu=172 нэВ. При этом выполняется соотношение способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 (кривая 1)/способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 (кривая 2)=330, что близко к значению 300 отношения суммарной толщины немагнитного слоев алюминия к толщине магнитного слоя кобальта. Для кривой 3 обе величины способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 не равны нулю и есть способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =3×10-2UCu>0 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =0.9×10-4UCu>0, что приводит к уменьшению максимумов и увеличению расстояния между ними. Для кривых 4 и 5 параметры способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 имеют разный знак, и это приводит к слиянию резонансов и увеличению коэффициента отражения. Для кривой 4 способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =3×10-2UCu>0 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =-0.9×10-4UCu<0, для кривой 5 - способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Bспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =-3×10-2UCu<0 и способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 Hспособ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 =0.9×10-4UCu>0. Таким образом, видно, что при выполнении условия (1) чувствительность к определению амплитуды намагниченности дополнительно выросла в 60 раз. Очевидно, что для определения частотной зависимости M1(способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 ) с максимальной чувствительностью необходимо одновременно с изменением частоты способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 изменять напряженность магнитного поля H в соответствии с соотношением (1).

Расчеты показывают, что минимально измеримым является значение произведения амплитуды намагниченности на толщину нанослоя, равное способ определения пространственного распределения намагниченности   нанослоя, патент № 2444727 мин=(M1Lm)мин =1 Гс×Å. Из этого следует, что, например, для слоя толщиной 1 нм минимально измеримое значение амплитуды намагниченности составляет 0.1 Гс, что более чем на пять порядков меньше намагниченности насыщения в макроскопическом слое железа. С другой стороны, если намагниченность равна намагниченности насыщения железа, то минимальная толщина слоя может составлять порядка 5×10-6 нм, что уже сравнимо с размерами атомных ядер. Конечно, в данном случае речь идет об эффективной толщине однородного слоя, поскольку создать столь тонкий однородный слой, состоящий из одних атомных ядер, вряд ли принципиально возможно.

Литература

1. V.V.Pasyuk, H.J.Lauter, M.T.Johnson, F.J.A. den Broeder, E.Janssen, J.A.C.Bland and A.V.Petrenko. Magnetic properties of a Pd/Co/Pd ultrathin film studied by polarized neutron specular reflection. Applied Surface Science 65/66 (1993) 118-123.

2. В.Л.Аксенов, Ю.В.Никитенко, Способ определения пространственного распределения магнитного момента в нанослое, Патент на изобретение № 2360234 от 27.06.2009.

3. I.I.Rabi, Phys. Rev.51 (1937) 652.

4. W.Alvarez, F.Bloch. A Quantitative Determination of the Neutron Moment in Absolute Nuclear Magnetons. Phys. Rev.57 (1940) 111-122.

5. V.K.Ignatovich, Yu.V.Nikitenko, F.Radu, Experimental opportunity to investigate layered magnetic structures with help of oscillating magnetic field, NIM A 604 (2009) 653-661.

Класс G01N27/00 Исследование или анализ материалов с помощью электрических, электрохимических или магнитных средств

устройство контроля материалов и веществ -  патент 2529670 (27.09.2014)
прибор контроля трубопровода с двойной спиральной матрицей электромагнитоакустических датчиков -  патент 2529655 (27.09.2014)
способ и устройство для контроля над процессом лечения повреждения -  патент 2529395 (27.09.2014)
способ и устройство для определения доли адсорбированного вещества в адсорбирующем материале, применение устройства для определения или мониторинга степени насыщения адсорбирующего материала, а также применение устройства в качестве заменяемой вставки для поглощения влаги в технологическом приборе -  патент 2529237 (27.09.2014)
способ детекции аналита из раствора на частицах и устройство для его реализации -  патент 2528885 (20.09.2014)
стенд и способ контроля посредством магнитной дефектоскопии вала газотурбинного двигателя -  патент 2528856 (20.09.2014)
способ определения глутатиона в модельных водных растворах методом циклической вольтамперометрии на графитовом электроде, модицифированном коллоидными частицами золота -  патент 2528584 (20.09.2014)
способ анализа многокомпонентной газовой среды герметизированных контейнеров с электронными приборами и устройство для его реализации -  патент 2528273 (10.09.2014)
полупроводниковый газовый датчик -  патент 2528118 (10.09.2014)
способ изготовления чувствительного элемента датчиков газов с углеродными нанотрубками -  патент 2528032 (10.09.2014)

Класс G01N23/09 нейтронного излучения

Наверх