способ глубокой очистки трихлорсилана от высококипящих соединений

Классы МПК:C01B33/107 галогензамещенные силаны
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) (RU),
ООО "Русский кремний" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2010-02-02
публикация патента:

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Трихлорсилан, полученный гидрохлорированием технического кремния, очищают от высококипящих соединений, включая метилдихлорсилан, ректификацией в одной колонне при соотношении концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости, равном 23-30. Изобретение позволяет получать трихлорсилан с содержанием метилдихлорсилана не более 8,4·10-6 масс.% и выходом до 98%. 1 табл.

Формула изобретения

Способ глубокой очистки трихлорсилана от высококипящих соединений, включая метилдихлорсилан, методом ректификации трихлорсилана, полученного гидрохлорированием технического кремния, отличающийся тем, что ректификацию осуществляют в одной колонне при соотношении концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости, равном 23-30.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии получения хлоридов кремния, а именно к способам получения высокочистого трихлорсилана (ТХС) и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния.

Очистка ТХС от высококипящих примесей (ВКП) занимает особое место во всей схеме ректификационной очистки, так как решает наиболее сложную задачу - очистку от метилдихлорсилана (МДХС), который является основной лимитирующей углеродсодержащей примесью в ТХС, используемом для получения полупроводникового кремния.

Известен способ получения трихлорсилана, включающий гидрохлорирование кремнийсодержащего сырья хлористым водородом, конденсацию продукта реакции и его очистку от примесей ректификацией на трех колоннах с отводом тяжелых фракций в две стадии, причем массовое соотношение отводимых тяжелых фракций на первой и второй стадиях составляет 1:(0,12÷0,83) (патент RU 2214363, МПК С01В 33/107, опубл. 2003.10.20).

Недостатками указанного способа являются низкий выход очищенного трихлорсилана, ограниченное применение и невозможность использования для выделения ТХС полупроводникового качества из реакционных смесей с повышенным содержанием как легколетучих, так и высококипящих примесей.

Согласно разработанной технологии выделение высокочистого ТХС осуществляется ректификацией на пяти колоннах, из которых три предназначены для очистки ТХС от высококипящих соединений. Сначала отделяют ТХС от четыреххлористого кремния (ЧХК) и полисиланхлоридов (ПСХ) при содержании ТХС в кубовой жидкости не более 0,1 мас.%, а затем ТХС очищают от метилдихлорсилана последовательно на двух других колоннах (Кох А.Б. Исследование и разработка технологии очистки трихлорсилана. Канд. диссертация, Москва, 2005).

Недостатками указанного способа являются большое количество технологического оборудования, что приводит к значительным энергозатратам, а также низкий выход очищенного трихлорсилана.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к предлагаемому изобретению и взятым за прототип является способ выделения высокочистого трихлорсилана из реакционной смеси, полученной гидрохлорированием технического кремния, согласно которому ректификацию осуществляют в двух колоннах, имеющих боковой отбор целевого продукта, при величине доли отбора метилдихлорсилана из куба первой колонны 0,3-0,5, причем в первой колонне боковой отбор расположен ниже тарелки питания, а во второй - выше тарелки питания (патент RU 2341457, МПК С01В 33/107, опубл. 2008.12.20).

К недостаткам указанного способа следует отнести сложность управления работой колонн с боковыми отборами и необходимость оснащения колонн измерительными приборами эффективного и надежного контроля и автоматизации всех технологических параметров процесса ректификации.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является создание эффективного способа очистки трихлорсилана от примесей углерода и других высококипящих соединений (ЧХК, ПСХ и др.) при одновременном снижении энергозатрат на очистку, сокращение количества технологического оборудования и повышение выхода товарного трихлорсилана без снижения его чистоты.

Указанная задача решается тем, что предложен способ глубокой очистки трихлорсилана, полученного гидрохлорированием технического кремния, от высококипящих соединений, включая метилдихлорсилан, путем ректификации, заключающийся в том, что ректификацию осуществляют в одной колонне при соотношении концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости, равном 23-30. Это позволяет обеспечить необходимый уровень качества трихлорсилана по высококипящим примесям и углероду, а также обеспечить минимальные энергозатраты на очистку и повысить выход товарного продукта.

Если соотношение концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубе колонны меньше 23, то метилтрихлорсилан полностью очищается только от высококипящих соединений и лишь частично (до 1·10 -4 мас.%) от метилдихлорсилана (МД), при соотношении больше 30 заметно снижается выход очищенного трихлорсилана.

Кубовая жидксть, выводимая из низа колонны, представляет собой смесь ТХС (до 20 мас.%), МД (до 0,6 мас.%), ЧХК (до 70 мас.%) и ПСХ (до 22 мас.%), которая является не отходом, а ценным сырьем для производства различных кремнийорганических продуктов (метихлорсиланов, фенилхлорсиланов, аэросила и др.).

Примеры осуществления способа

Пример 1

Исходный трихлорсилан, содержащий 91,310 мас.% основного продукта, 0,300 мас.% дихлорсилана, 0,020 мас.% хлорэтила, 0,050 мас.% метилдихлорсилана, 6,430 мас.% четыреххлористого кремния и 1,890 мас.% полисиланхлоридов, подают на ректификационную очистку в насадочную колонну диаметром 32 мм и эффективностью 75 теоретических тарелок. Ректификацию ведут при избыточном давлении вверху колонны 0,10-0,15 МПа, что позволяет для конденсации паров хлорсиланов использовать в качестве хладоагента воду. Куб колонны снабжен электрообогревом, который регулируется автотрасформатором.

Состав кубовой жидкости контролируется методом хроматографии, а качество полученного трихлорсилана, отбираемого в виде дистиллята из колонны, оценивается общепринятыми методами.

Примеры 2-9

Процесс ректификационной очистки трихлорсилана ведут аналогично примеру 1 с изменением соотношения концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости колонны.

Результаты опытов приведены в таблице. В последней графе таблицы показано только содержание метилдихлорсилана в трихлорсилане, так как другие высокококипящие примеси отсутствуют, а содержание метилдихлорсилана в очищенном трихлорсилане является главным показателем качества по углеродсодержащим примесям.

Выход очищенного трихлорсилана в опытах 5-7 составляет 95÷98%, а в опытах 8 и 9 - 92÷93%.

Таким образом, из представленной таблицы видно, что предлагаемый способ очистки трихлорсилана от высококипящих соединений, включая метилдихлорсилан, путем ректификации в одной колонне при соотношении концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости, равном 23-30, целевой продукт имеет степень чистоты, требуемой для производства полупроводникового кремния, при высоком выходе

Таблица
Пример Соотношение концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости Содержание в кубовой жидкости, мас.% Содержание метилдихлорсилана в дистиллате (трихлорсилане), мас.%
трихлорсилан метил-дихлорсилан четыреххлористый кремний полисилан-хлориды
1 23 45 67
1 0,190,102 0,53976,720 22,639 5,6·10-3
20,86 0,5050,585 76,442 22,4681,0·10 -3
31,75 1,0000,573 76,071 22,3565,5·10 -4
48,52 4,8320,567 73,112 21,4891,2·10 -4
518,28 9,8360,538 69,266 20,3604,1·10 -5
623,05 12,0790,524 67,586 19,8111,0·10 -5
728,55 14,5590,510 65,638 19,2938,4·10 -6
834,54 17,0980,495 63,687 18,7206,7·10 -6
940,52 19.4900,481 61,851 18,1785,0·10 -6
Примечание: Другие высококипящие примеси (ЧХК и ПСХ) в дистиллате отсутствуют.

Класс C01B33/107 галогензамещенные силаны

способ получения трихлорсилана и кремний для использования в получении трихлорсилана -  патент 2529224 (27.09.2014)
способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах и устройство для его осуществления -  патент 2504515 (20.01.2014)
способ и система для получения чистого кремния -  патент 2503616 (10.01.2014)
устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах -  патент 2502669 (27.12.2013)
галогенированный полисилан и плазмохимический способ его получения -  патент 2502555 (27.12.2013)
способ получения трихлорсилана и тетрахлорсилана -  патент 2499801 (27.11.2013)
катализатор и способ дисмутации содержащих водород галогенсиланов -  патент 2492924 (20.09.2013)
эжекторная форсунка для газа хлористого водорода, реакционное устройство для получения трихлорсилана и способ получения трихлорсилана -  патент 2486954 (10.07.2013)
установка производства трихлорсилана и способ производства трихлорсилана -  патент 2477171 (10.03.2013)
способ каталитического гидрирования тетрахлорида кремния -  патент 2472704 (20.01.2013)
Наверх