способ получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке и установка для его осуществления

Классы МПК:H01L21/205 разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Общество с ограниченной ответственностью "АККОРД" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-11-05
публикация патента:

Изобретение относится к технологии получения пленок нитрида алюминия. Сущность изобретения: в способе получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке, включающем процесс осаждения на ее предварительно азотированную поверхность материала источника, испаренного электронно- лучевым испарителем, в качестве источника выбран высокочистый алюминий, пары которого в зоне, прилегающей к подложке, вступают в химическое взаимодействие с атомарным азотом, полученным из молекулярного азота путем расщепления его молекул в плазме высокочастотного разряда, и под воздействием направленного электрического поля осаждаются на поверхности сапфировой подложки. Изобретение позволяет получить монокристаллические пленки нитрида алюминия при низких темпетатурах (до 1200)°С на относительно дешевой сапфировой подложке диаметром до 100 мм. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил. способ получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке   и установка для его осуществления, патент № 2388107

способ получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке   и установка для его осуществления, патент № 2388107

Формула изобретения

1. Способ получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке, включающий процесс осаждения на ее предварительно азотированную поверхность материала источника, испаренного электронно-лучевым испарителем, отличающийся тем, что в качестве источника выбран высокочистый алюминий, пары которого в зоне, прилегающей к подложке, вступают в химическое взаимодействие с атомарным азотом, полученным из молекулярного азота путем расщепления его молекул в плазме высокочастотного разряда, и под воздействием направленного электрического поля осаждаются на поверхности сапфировой подложки.

2. Установка для получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке, включающая вакуумную камеру, электронно-лучевой испаритель, источник, сапфировую подложку, установленную на токопроводящем креплении, нагреватель, отличающаяся тем, что в зоне, прилегающей к подложке, размещен источник атомарного азота, включающий стакан и трубку для подачи молекулярного азота, в стакане установлен высокочастотный разрядник конденсаторного типа с обкладками, под которым размещен сетчатый электрод, причем к креплению подложки и сетчатому электроду приложено постоянное напряжение.

3. Установка для получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке по п.2, отличающаяся тем, что обкладки и сетчатый электрод выполнены из высокочистого алюминия, а стакан выполнен из кварца.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологиям получения полупроводниковых материалов и предназначен, в частности, для производства коротковолновых и СВЧ оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах.

Известна технология выращивания объемных монокристаллов нитрида алюминия (AlN) сублимационным методом (Т.Ю.Чемекова, Авдеев О.В., Бараш И.С. ООО «Нитридные кристаллы». «Сублимационный рост объемных кристаллов AlN и подложки из них», Санкт-Петербург, chemekova@n-crystals.fi.ra. Тел.: (812) 103-1397, факс: (812) 103-1398).

Технология реализована в нескольких вариантах: рост монокристалла в термически и химически стабильном вольфрамовом тигле в установке с вольфрамовой оснасткой (резистивный нагреватель, экранная изоляция и т.д.), в карбидизированном танталовом тигле с графитовой оснасткой (ВЧ-нагреватель, графитовая изоляция и т.д.) и в графитовом тигле. В частности, такую технологию применяют для получения монокристаллов AlN на подложке из карбида кремния (SiC). При этом в качестве источника используют спрессованный и предварительно обработанный высокой температурой поликристаллический AlN. Таким методом удается получить объемные монокристаллы диаметром до 20 мм.

Недостатки указанной технологии получения нитрида алюминия заключаются в больших энергозатратах, так как по своей сути является высокотемпературным синтезом, протекающим при температуре (2200-2500)°С, а также больших технологических трудностях, связанных с получением самих SiC подложек большого диаметра, что сказывается на себестоимости изделия.

Известен также способ получения полупроводниковых твердых растворов нитрида алюминия методом магнетронного распыления (Сафаралиев Г.К. «Пленки и покрытия - 2005». Труды 7-й международной конференции. Санкт-Петербург, изд-во Политехнического университета, 2005), который можно выбрать в качестве прототипа.

При этом способе в качестве подложки использована монокристаллическая пластина карбида кремния или сапфир, который дешевле. В качестве источника использована мишень поликристаллического твердого раствора карбида кремния и нитрида алюминия SiC(1-x)AlN x, полученная холодным прессованием субмикронных порошков ингредиентов. Осаждение пленки осуществляется на подложку с помощью ионно-плазменного магнетронного распыления. При этом температура осаждения пленок значительно ниже и составляет 600-1200 градусов. Положительные качества данного способа заключаются в упрощении технологии получения пленок и уменьшении энергетических затрат.

Вместе с тем, при испарении материала источника содержащийся в нем атомарный азот не полностью доходит до поверхности подложки, потому что происходит образование молекулярного азота, который при таких температурах не вступает в химическую реакцию с алюминием.

Техническая задача, решаемая с помощью предлагаемого изобретения, заключается в получении монокристаллической пленки AlN при низких температурах на относительно дешевой сапфировой подложке диаметром до 100 мм.

Для реализации поставленной задачи в качестве источника выбран не поликристаллический нитрид алюминия, как в прототипе, а высокочистый алюминий. Он термически испаряется при помощи ионно-плазменного испарителя, вступает в реакцию с атомарным азотом, полученным в плазме высокочастотного разряда, и осаждается на поверхность предварительно азотированной сапфировой подложки под воздействием направленного электрического поля.

Конструкция одного из возможных вариантов установки приведена на чертеже, где в вакуумной камере 1 размещены ионно-лучевой испаритель 2, тигель с испарителем 3 и нагреватель 4. На нагревателе закреплена сапфировая подложка 5. Установка снабжена источником атомарного азота, включающим кварцевый стакан 6 с трубкой 7 для подачи реакционного газа (молекулярного азота). Внутри стакана установлен высокочастотный разрядник конденсаторного типа с алюминиевыми обкладками 8 и сетчатым электродом 9. Сапфировая подложка установлена на токопроводящем креплении 10. К сетчатому электроду 9 и креплению 10 подведено постоянное напряжение, а к обкладкам 8 подведено высокочастотное (ВЧ) напряжение. Обкладки и сетчатый электрод выполнены из высокочистого алюминия.

Установка работает следующим образом.

После создания вакуума в камере 1 при помощи электронно-лучевого излучателя 2 производят термическое испарение источника 3 (высокочистого алюминия). При этом атомы испаренного алюминия достигают поверхности предварительно нагретой примерно до 1200° сапфировой подложки 5. Для того чтобы реакционный газ - азот (N2), подаваемый в стакан 6 через трубку 7, вступил при таких низких температурах в реакцию с Al с образованием AlN, производят его расщепление до химически активного (атомарного) состояния плазмой высокочастотного разряда, подаваемого на алюминиевые обкладки 8. Атомарный азот в плазме ВЧ - разряда ионизируется, что позволяет направить его к поверхности сапфировой подложки направленным электрическим полем, созданным между сетчатым электродом 9 и креплением подложки 10. После завершения процесса нанесения AlN, давление в вакуумной камере выравнивают до атмосферного и готовый кристалл извлекают из установки.

Скачать патент РФ Официальная публикация
патента РФ № 2388107

patent-2388107.pdf

Класс H01L21/205 разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением

способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке -  патент 2521142 (27.06.2014)
способ выращивания полупроводника и полупроводниковое устройство -  патент 2520283 (20.06.2014)
гетероструктуры sic/si и diamond/sic/si, а также способы их синтеза -  патент 2499324 (20.11.2013)
устройство для каталитического химического осаждения из паровой фазы -  патент 2486283 (27.06.2013)
способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -  патент 2473148 (20.01.2013)
способ и установка для эпитаксиального выращивания полупроводников типа iii-v, устройство генерации низкотемпературной плазмы высокой плотности, эпитаксиальный слой нитрида металла, эпитаксиальная гетероструктура нитрида металла и полупроводник -  патент 2462786 (27.09.2012)
сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии -  патент 2449411 (27.04.2012)
способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата осаждением паров -  патент 2438211 (27.12.2011)
устройство и способ для управления температурой поверхности подложки в технологической камере -  патент 2435873 (10.12.2011)
полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием -  патент 2395867 (27.07.2010)
Наверх