способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства

Формула изобретения

Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства, предусматривающий получение первого кристаллизата с размером кристаллов 0,10-0,12 мм путем охлаждения сиропа, внесения пасты, наращивания кристаллов до указанных размеров при охлаждении массы до 20-25°С, и получение второго кристаллизата, используемого в качестве основы, путем введения в сироп первого кристаллизата и наращивания кристаллов, отличающийся тем, что при получении первого кристаллизата охлаждение сиропа проводят до температуры 69-69,5°С и используют пасту с размером кристаллов 10-20 мкм в количестве 0,00070-0,00075 м³ на 1 м ³ сиропа, причем при получении второго кристаллизата в сироп вводят первый кристаллизат в количестве 0,035-0,040 м ³ на 1 м³ сиропа и проводят наращивание кристаллов основы до размеров 0,25-0,30 мм путем охлаждения до 20-25°С.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к пищевой промышленности и, в частности, может быть использовано для уваривания утфелей сахарного производства.

Известен способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства, предусматривающий получение первого кристаллизата с размером кристаллов 0,10-0,12 мм путем охлаждения сиропа до температуры 58-60°С, внесения пасты, наращивания кристаллов до указанных размеров при охлаждении массы до 20-25°С и получение второго кристаллизата, используемого в качестве основы, путем введения в сироп первого кристаллизата и наращивания кристаллов до 0,30-0,35 мм путем выпаривания (Reinefeld E. On the 1983 Campain [sugar-beets,sugar, Germany, F.R.] Zuckerindustrie, 1984, v. 109, № 5, p.399-411).

Недостатком этого способа является невысокий коэффициент однородности кристаллов в кристаллической основе.

Технический результат изобретения заключается в повышении коэффициента однородности кристаллов в кристаллической основе.

Для достижения этого технического результата предложенный способ предусматривает получение первого кристаллизата с размером кристаллов 0,10-0,12 мм путем охлаждения сиропа, внесения пасты, наращивания кристаллов до указанных размеров при охлаждении массы до 20-25°С и получение второго кристаллизата, используемого в качестве основы, путем введения в сироп первого кристаллизата и наращивания кристаллов. При получении первого кристаллизата охлаждение сиропа проводят до температуры 69-69,5°С и используют пасту с размером кристаллов 10-20 мкм в количестве 0,00070-0,00075 м³ на 1 м³ сиропа. При получении второго кристаллизата в сироп вводят первый кристаллизат в количестве 0,035-0,040 м³ на 1 м³ сиропа и проводят наращивание кристаллов основы до размеров 0,25-0,30 мм путем охлаждения до 20-25°С.

Изобретение поясняется технологическими схемами, изображенными на фиг.1 - известный способ и на фиг.2 - предложенный способ.

Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства осуществляют следующим образом.

Первый кристаллизат с размером кристаллов 0,10-0,12 мм получают путем сгущения сиропа выпариванием до массовой доли СВ 78,5-79%, охлаждения сиропа до температуры 69-69,5°С, внесения пасты с размером кристаллов 10-20 мкм в количестве 0,00070-0,00075 м³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов до указанных размеров при охлаждении массы до 20-25°С.

Второй кристаллизат, используемый в качестве кристаллической основы, получают путем сгущения сиропа выпариванием до массовой доли СВ 79,5-80%, введения первого кристаллизата в количестве 0,035-0,040 м³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов основы до размеров 0,25-0,30 мм при охлаждении массы до 20-25°С.

Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства поясняется следующими примерами.

Пример 1

Первый кристаллизат с размером кристаллов 0,11 мм получают путем сгущения сиропа чистотой 91% выпариванием до массовой доли СВ 78,5%, охлаждения сиропа до температуры 69°С, внесения пасты с размером кристаллов 15 мкм в количестве 0,00075 м³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов до указанного размера при охлаждении массы до 25°С. В первом кристаллизате коэффициент однородности кристаллов составляет 95%.

Второй кристаллизат с размером кристаллов 0,25 мм получают путем сгущения сиропа чистотой 91% выпариванием до массовой доли СВ 80%, введения первого кристаллизата в количестве 0,037 м ³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов при охлаждении массы до 25°С. Во втором кристаллизате коэффициент однородности кристаллов составляет 95%.

Пример 2

Параллельно осуществляют процесс по известному способу. Первый кристаллизат с размером кристаллов 0,11 мм получают путем сгущения сиропа чистотой 91% выпариванием до массовой доли СВ 78%, охлаждения сиропа до температуры 60°С, внесения пасты с размером кристаллов 15 мкм в количестве 0,00075 м ³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов до указанного размера при охлаждении массы до 25°С. В первом кристаллизате коэффициент однородности кристаллов составляет 95%.

Второй кристаллизат с размером кристаллов 0,35 мм получают путем сгущения сиропа чистотой 91% выпариванием до массовой доли СВ 80%, введения первого кристаллизата в количестве 0,037 м³ на 1 м³ сиропа, наращивания кристаллов путем выпаривания. Во втором кристаллизате коэффициент однородности кристаллов составляет 88%.

Как видно из примеров, предложенный способ позволяет увеличить на 7% коэффициент однородности кристаллов в кристаллической основе.

Предложенный способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей сахарного производства позволяет получить равномерную кристаллоструктуру в кристаллической основе, увеличить выход белого сахара при уваривании производственных утфелей.