способ фокусировки синхротронного излучения

Классы МПК:G01N23/20 с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской Академии Наук (ИК РАН) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2007-10-22
публикация патента:

Использование: для фокусировки синхротронного излучения. Сущность: заключается в том, что осуществляют последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение (ПВО) от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q при установке монохроматора под брэгговским углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м к пучку, зеркала - под углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 , не превышающим критический угол ПВО зеркала, при этом угол наклона способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м устанавливают согласно формулам:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 =2q/R[1+q(P0/b+10)-1],

tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м=qtgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0(p0/b+10)-1 ,

где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора, способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца. Технический результат: обеспечение возможности управления дисперсией сфокусированного рентгеновского пучка (синхротронного излучения) и, как следствие, обеспечение бездисперсионной дифракции рентгеновских лучей (синхротронного излучения) на образце. 2 ил. способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

Формула изобретения

Способ фокусировки пучка синхротронного излучения (СИ), включающий последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение (ПВО) от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q при установке монохроматора под брэгговским углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м к пучку, зеркала - под углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 , не превышающим критический угол ПВО зеркала, отличающийся тем, что угол наклона способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м устанавливают согласно формулам

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 =2q/R[1+q(p0/b+10)-1],

tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м=qtgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0(p0/b+10)-1 ,

где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора, способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для фокусировки рентгеновских лучей (РЛ), в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллического монохроматора (монохроматоров) и фокусирующего зеркала полного внешнего отражения (ПВО) РЛ.

Одним из важнейших параметров рентгеновского пучка является его дисперсия D. Дисперсия отражает спектральное распределение по углу в пучке, сформированном рентгенооптической системой: D=(способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 /способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 )способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 , где способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 - брэгговский угол, способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 - длина волны излучения.

Если система состоит из одно- или двухкристального бездисперсионного монохроматора (n, -n), дисперсия пучка определяется брэгговским углом монохроматора способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м: Dм=tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м.

Высокоточные рентгенодифракционные методы, такие как двухкристальная дифрактометрия, плосковолновая топография, метод стоячих рентгеновских волн, требуют использования бездисперсионной дифракции, при которой дисперсия падающего на исследуемый кристаллический образец равна приемной дисперсии последнего, т.е. когда D0=tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 (способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 - угол Брэгга образца, D0 - его приемная дисперсия). Поэтому для экспериментального осуществления большинства рентгенодифракционных методов возникает необходимость «подгонки» дисперсии пучка под приемную дисперсию образца, иными словами - управления дисперсией пучка.

Недостатком прототипа является отсутствие методики управления дисперсией пучка.

Задачей изобретения является создание способа фокусировки РЛ, позволяющего управлять дисперсией сфокусированного рентгеновского пучка и, таким образом, обеспечение бездисперсионной дифракции РЛ на образце.

В качестве прототипа выбран способ фокусировки СИ, используемый на экспериментальной станции СИ «Белок», работающей в КЦСИиНТ (Арутюнян Э.Л., Хейкер Д.М., Ковальчук М.В., Шилин Ю.Н. и др.). /Поверхность. 1999. № 12. С.88). Пучок СИ после последовательного отражения от двух кристаллов-монохроматоров, находящихся в бездисперсионной схеме дифракции, направляется на фокусирующее цилиндрическое зеркало. Способ позволяет сфокусировать рентгеновский пучок в нужном месте изучаемого образца, что дает возможность улучшить локальность и точность исследований, а также изучать объекты малых размеров. При этом фокусное расстояние q связано с величиной радиуса R такого зеркала и расстоянием р от источника излучения до зеркала выражением:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

где способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 - угол между зеркалом и пучком, причем этот угол не может быть больше критического угла ПВО РЛ зеркала.

Поставленная задача решается тем, что для фокусировки пучка СИ, включающей последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q, установку монохроматора под брэгговским углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м к пучку, зеркала - под углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 , не превышающим критический угол ПВО зеркала, устанавливают угол наклона способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора согласно формулам:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 =2q/R[1+q(р0/b+l0)-1],

tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м=qtgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 00/b+l0)-1 ,

где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора.

Суть изобретения поясняется рентгенооптической схемой фокусировки пучка СИ (Фиг.1), а также графиками зависимости межплоскостного расстояния, соответствующего выбранному рефлексу исследуемого образца, от длины волны монохроматизированного рентгеновского пучка на Фиг.2, построенными для рефлекса (111) кремниевого монохроматора.

При осуществлении способа СИ от источника 1 на Фиг.1 направляется на кристаллический монохроматор 2, устанавливаемый под брэгговским углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м; дифрагированный на нем пучок РЛ направляется на фокусирующее зеркало ПВО РЛ с постоянным радиусом цилиндрической поверхности под скользящим углом способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 . Углы способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м и способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 подбираются таким образом, чтобы обеспечить бездисперсионную дифракцию РЛ на образце 4.

Дисперсия Dс пучка, сформированного системой «монохроматор 2 - фокусирующее зеркало 3», дается формулой:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

С помощью формул (1) и (2) получим выражение:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

Поскольку «подгонка» дисперсии пучка под приемную дисперсию образца 4 возможна при выполнении условия Dc=D0=tgспособ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 (способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 0 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца), формула (3) преобразуется:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

Знак « - » в правой части (4) означает, что при фокусировке РЛ равенство приемной дисперсии образца 4 и дисперсии пучка имеет место, если монохроматор 2 и образец 4 находятся в антипараллельной схеме дифракции (n, +m).

Известно (S.Kikuta, K.Khora // J.Phys. Soc. Japan. 1970. V.29. Р.1322), что при использовании асимметричного рефлекса монохроматора эффективное расстояние р между источником излучения 1 и фокусирующим зеркалом 3 становится функцией фактора асимметрии b монохроматора 2:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

Здесь b=sin(способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м+способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 )/sin(способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 м-способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 ), способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 - угол между поверхностью монохроматора 2 и его отражающими плоскостями. В случае многокристального монохроматора его фактор асимметрии равен произведению факторов асимметрии каждого кристалла.

Теперь формулы (4) и (1) примут вид:

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923

Из (6) и (7) следует, что при неизменных величинах R и q подбором энергии монохроматизированного пучка (т.е. подбором брэгговского угла монохроматора) и угла способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 можно обеспечить бездисперсионную дифракцию на исследуемом образце.

Так как для большинства современных экспериментальных синхротронных станций р=10÷100 м, для компактного расположения узлов станции должно выполняться условие q/р<<1. Графики зависимости межплоскостного расстояния d0, соответствующего выбранному рефлексу исследуемого образца, от длины волны способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 монохроматизированного рентгеновского пучка на Фиг.2 построены для рефлекса (111) кремниевого монохроматора с помощью формулы (5): способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 =0 (кривые 1, 2); способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 =5° (кривые 3, 4); l0/q=1, р0 /q=9 (кривые 1, 3) и р0/q=4 (кривые 2, 4).

Из графиков следует, что кремниевый монохроматор с симметричным (b=1) рефлексом (111) (пунктирные кривые) пригоден только для экспериментов с использованием слабых рефлексов образца, для которых, как правило, d0<1. Светосильные рефлексы здесь можно использовать только для мягкого (способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 >2Å) рентгеновского излучения, что в значительной степени сужает класс исследуемых объектов. Отметим также слабую зависимость d0 от способ фокусировки синхротронного излучения, патент № 2352923 .

Кривые 3, 4 на графике Фиг.2 доказывают, что использование асимметричного рефлекса Si(111) дает возможность варьировать в широких пределах величину межплоскостного расстояния исследуемого образца в наиболее востребованной области длин волн РЛ (0,6÷1,5Å).

Класс G01N23/20 с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения 

способ определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава -  патент 2524454 (27.07.2014)
способ определения термостойкости изделий из сверхтвердой керамики на основе кубического нитрида бора -  патент 2522762 (20.07.2014)
способ контроля и управления непрерывной термообработкой -  патент 2518039 (10.06.2014)
способ рентгенометрической оценки температурных условий эксплуатации трубных элементов котлов -  патент 2509298 (10.03.2014)
способ рентгеноструктурного контроля детали -  патент 2488099 (20.07.2013)
фосфат лития-железа со структурой оливина и способ его анализа -  патент 2484009 (10.06.2013)
способ и устройство для регистрации кривых дифракционного отражения -  патент 2466384 (10.11.2012)
рентгенодифракционный способ идентификации партий фармацевтической продукции -  патент 2452939 (10.06.2012)
прибор для рентгеновского анализа -  патент 2450261 (10.05.2012)
рентгеновская установка для формирования изображения исследуемого объекта и ее применение -  патент 2449729 (10.05.2012)
Наверх