способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек

Классы МПК:G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):ГОУ ВПО "Тюменский государственный университет" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2006-01-18
публикация патента:

Использование: для определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемости веществ. Сущность: заключается в том, что определение диэлектрической способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и динамической магнитной проницаемости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 веществ с удельной электропроводностью способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 <20 мСм/см в диапазоне частот 10 кГц-100 МГц осуществляют с помощью комплекта соленоидальных катушек индуктивности идентичного размера (L-ячеек), подключаемых к колебательному контуру куметра, при этом для одновременного определения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 на каждой частоте используются две измерительные L-ячейки разной индуктивности, настраиваемые на резонанс на этой частоте, а значения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 рассчитываются по соотношениям:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

где C'1 и С'' 1 - резонансные емкости используемых L-ячеек до введения в них веществ; С0' и С 0'' - их собственные емкости; способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С' и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С'' - сдвиги резонансной емкости при вводе исследуемого вещества; способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 - постоянная L-ячеек, зависящая от их геометрических размеров и определяемая по измерению сдвига их резонансной емкости при вводе химически чистых органических немагнитных жидкостей с известным значением способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и |способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 -1|<10-4. Технический результат: обеспечение возможности определения абсолютного значения диэлектрической проницаемости веществ в сверхмалых вихревых электрических полях индуктивных L-ячеек с одновременным определением динамической магнитной проницаемости веществ. 1 ил., 2 табл.

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Формула изобретения

Способ определения диэлектрической способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и динамической магнитной способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 проницаемостей веществ с удельной электропроводностью способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 <20 м См/см в диапазоне частот 10 кГц-100 МГц с помощью комплекта соленоидальных катушек индуктивности идентичного размера (L-ячеек), подключаемых к колебательному контуру куметра, отличающийся тем, что для одновременного определения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 на каждой частоте используются две измерительные L-ячейки разной индуктивности, настраиваемых на резонанс на этой частоте, при этом значения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 рассчитываются по соотношениям:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

где C'1 и C'' 1 - резонансные емкости используемых L-ячеек до введения в них веществ; С0' и С 0'' - их собственные емкости; способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С' и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С'' - сдвиги резонансной емкости при вводе исследуемого вещества; способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 - постоянная L-ячеек, зависящая от их геометрических размеров и определяемая по измерению сдвига их резонансной емкости при вводе химически чистых органических немагнитных жидкостей с известным значением способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и |способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 -1|<10-4.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к физическим методам исследования и позволяет повысить точность определения динамической магнитной проницаемости магнитных веществ, выявлять магнитные свойства у полярных диэлектриков, определять диэлектрические свойства немагнитных проводящих полярных веществ, например всевозможных растворов. Поэтому изобретение может использоваться при решении фундаментальных и прикладных проблем как магнитных, так и полярных материалов.

Способ определения динамической магнитной проницаемости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 магнитных материалов по изменению индуктивности измерительных катушек (L-ячеек) хорошо известен [1]. Но определенные таким способом частотные зависимости значений способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 больших магнитных образцов в области низких частот искажаются. Полагается, что это обусловлено возникновением в образцах вихревых токов.

Наиболее близким аналогом предлагаемого способа является способ, разработанный для определения частотной зависимости диэлектрических параметров воды и ее растворов с удельной электропроводностью способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 <20 мСм/см в диапазоне частот 10 кГц-100 МГц с помощью комплекта соленоидальных катушек индуктивности идентичного размера (L-ячеек), подключаемых к колебательному контуру куметра [2].

При вводе исследуемой жидкости в диэлектрическом сосуде в L-ячейку происходит изменение индуктивности ячейки, обусловленное возникновением в жидкости токов смещения, зависящих от ее диэлектрических параметров. По значениям добротности Q и емкости С колебательного контура куметра при резонансе до (Q1; C 1) и после (Q2; C 2) помещения жидкости внутрь L-ячейки рассчитывается значение тангенса угла диэлектрических потерь объекта

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

а диэлектрическая проницаемость характеризуется величиной способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 отн=способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 C/способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Cспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 , где способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Сспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 - сдвиг резонансной емкости колебательного контура куметра после введения исследуемого объекта на частоте измерения и частоте порядка 10 МГц.

Предлагаемый способ, как и в прототипе, основан на измерении изменений параметров L-ячейки после введения в нее исследуемых веществ методом куметра. Однако в отличие от прототипа он позволяет находить не относительные, а абсолютные значения диэлектрической проницаемости веществ способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 в сверхмалых вихревых электрических полях индуктивных L-ячеек, а также одновременно определять и динамическую магнитную проницаемость способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 веществ.

С целью разработки способа совместного определения магнитной и диэлектрической проницаемости материалов рассмотрим изменения параметров колебательного контура куметра, состоящего из калиброванного конденсатора переменной емкости С, а также измерительной L-ячейки с индуктивностью L и активным сопротивлением R. Условием резонанса колебательного контура с добротностью Q=способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 L/R является соотношение:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Ввод в L-ячейку любого вещества, магнитного или немагнитного, снижает добротность колебательного контура с Q1 до Q2 и уменьшает резонансную емкость на величину способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 C=C12 (таблица 1).

Таблица 1.
Изменения параметров L-ячеек одинакового размера (диаметр 22 мм, высота 90 мм) с разной индуктивностью на частоте 100 кГц после ввода в них воды и ФМЖ
L 0 мГнС0 (пФ) Q1 C1 (пФ)Q 2С2 (пФ) способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С (пФ)102·способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С/(С20) 102·tgспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230
Вода (бидистиллят)
3310 14855,180 53,321,782,73 16,9
11,6 8176 174,47135172,7 1,770,97 17,1
4,36 162545,6 148543,81,8 0,3316,9
         1,78±0,02  17,0±0,2
Ферромагнитная жидкость (ФМЖ)
33 10148 55,15250,65 4,457,6814,7
11,68 176174,4755 160,713,87,56 15,1
4,3 6162545,6 55500,345,3 8,214,9
          7,82±0,26 14,9±0,2

Из (2) следует, что при Q>20 (этому условию соответствуют все эксперименты) влияние изменения добротности контура на условие резонанса не превышает 0,1%. Пренебрегая в (2) вкладом от Q, но учитывая в качестве следующего приближения, что L-ячейка имеет собственную емкость С0, для условия резонанса получаем соотношение:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Если пренебречь наличием диэлектрических свойств у магнитного вещества, то ввод его в L-ячейку приведет к увеличению индуктивности ячейки в способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 раз. Поэтому условие резонанса контура на частоте способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 до и после ввода такого вещества в L-ячейку при Q>20 можно записать в виде:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

где L0 - индуктивность пустой ячейки. Из (4) получаем, что для магнитного вещества должно выполняться соотношение:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Обозначив сдвиг резонансной емкости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 C=C1-C2 за счет магнитных свойств вещества за способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Сспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 , из (5) получаем, что

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Таким образом величина сдвига резонансной емкости после ввода магнитных веществ в L-ячейку обратно пропорциональна индуктивности этой ячейки. Однако, согласно (5), отношение способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 C/(C1+C0) для магнитных веществ должно определяться величиной их магнитной проницаемости и не зависеть от индуктивности ячейки. Справедливость этого вывода на примере концентрированной ферромагнитной жидкости (ФМЖ - стабильная суспензия магнетита в углеводороде) подтверждают данные таблицы 1, для которой разброс значений способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 C/(C1+C0)=способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 -1, найденных с помощью трех L-ячеек разной индуктивности, укладывается в 4% погрешность.

Как показано в [2], особенностью веществ, у которых можно пренебречь магнитными свойствами, является независимость сдвига резонансной емкости при их вводе в L-ячейку от индуктивности ячейки. Данный факт на примере чистой бидистиллированной воды подтверждают приведенные в таблице 1 экспериментальные данные.

Величина сдвига резонансной емкости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Cспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 при вводе в данную L-ячейку немагнитного вещества определяется лишь значением его диэлектрической проницаемости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 . Следовательно,

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

где способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 - есть постоянная L-ячеек, зависящая лишь от их геометрических размеров. Для комплекта измерительных L-ячеек одинакового размера величина способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 имеет одно и то же значение, которое можно определить по результатам калибровочных экспериментов, например по измерению способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Cспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 химически чистых жидкостей с известным значением способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 . Пример такого калибровочного эксперимента приведен в таблице 2.

Таблица 2.

Пример калибровочного эксперимента по определению постоянной L-ячеек.
Жидкостьспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С(пФ) на 3 МГцспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 табличноеспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 /способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С
ксилол 0,132,3718,2
хлороформ0,28 4,7216,9
циклогексанол0,97 16,817,3
ацетон1,17 20,717,7
     17,5±0,3

Разная зависимость способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Cспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Сспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 от индуктивности L-ячеек позволяет найти обе эти величины с помощью двух L-ячеек одинакового размера с разной индуктивностью, настраиваемых на резонанс на исследуемой частоте. Для полного сдвига резонансной емкости, обусловленного магнитными и диэлектрическими параметрами вещества, для двух таких L-ячеек имеем:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Из (7) получаем выражения для расчета способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 исследуемого вещества:

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Из соотношений (7) следует, что индикатором наличия у исследуемого вещества заметных магнитных свойств является отличие измеренных на двух L-ячейках значений сдвига резонансной емкости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С' и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С'', превышающей погрешность определения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С. Например, для куметров TESLA ВМ-311 или ВМ-311 погрешность способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 С составляет ±0,02 пф. В этом случае вклад от магнитных свойств вещества оказывается порядка точности эксперимента при способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Таким образом величину магнитной проницаемости данным методом можно находить для веществ с способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230

Для веществ с способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 параметры L-ячеек определяются только диэлектрическими свойствами. Для таких веществ по соотношению (1) находится tgспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 диэлектрических потерь, а по соотношению (6) величина диэлектрической проницаемости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 . Из разработанного метода определения способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 следует, что замеченное в [1] искажение значений способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 больших образцов в области низких частот у веществ с электропроводностью способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 <20 мСм/см в гораздо большей степени обусловлено не вихревыми токами, а вкладом от их диэлектрических свойств, поскольку величина способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 Сспособ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 растет пропорционально сечению образца [2].

Неучет диэлектрических свойств наиболее существенно проявляется на величине способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 массивных слабомагнитных образцов. На чертеже на примере образца гравия (объем образца 120 см2, диаметр 3 см), содержащего 3,5% магнетита, показано насколько значительно можно исказить вид частотных зависимостей способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 исследуемых образцов, если пренебречь для них вкладом от диэлектрических (фиг.1, A) или магнитных (фиг.1, B) свойств. При этом рассчитанные по соотношениям (8-9) частотные зависимости способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 и способ определения диэлектрической и динамической магнитной проницаемостей   веществ в низкочастотной области с помощью индуктивных l-ячеек, патент № 2347230 на чертеже являются классическими и типичными для подобных образцов [1].

Литература

1. Смит Я., Вейн X. Ферриты. М.: Иностранная литература. 1962. 504 с.

2. Семихина Л.П. Способ определения диэлектрических параметров воды и ее растворов в низкочастотной области с помощью L-ячейки. Патент РФ №2234102 // БИПМ. №6. 2004.

Класс G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь с уравновешиванием резистивного моста уитстона методом широтно-импульсной модуляции -  патент 2515309 (10.05.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь сопротивления в двоичный код с генератором, управляемым напряжением -  патент 2502076 (20.12.2013)
способ определения коэффициента потерь tg диэлектриков -  патент 2501028 (10.12.2013)
микроконтроллерное устройство диагностики межвитковой изоляции обмотки электродвигателя по эдс самоиндукции -  патент 2498327 (10.11.2013)
способ определения сопротивления и индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора напряжения -  патент 2491559 (27.08.2013)
сканирующий измеритель параметров cg-двухполюсников -  патент 2488130 (20.07.2013)
способ и устройство для емкостного обнаружения объектов -  патент 2486530 (27.06.2013)
Наверх