дифференциальный усилитель с низковольтным питанием

Формула изобретения

Дифференциальный усилитель с низковольтным питанием, содержащий входной параллельно-балансный каскад (1), общая эмиттерная цепь (2) которого связана с первой шиной (3) источника питания через токостабилизирующий двухполюсник (4), первый токовый выход (5) входного параллельно-балансного каскада (1) связан с входом (6) токового зеркала (7), согласованного со второй шиной (8) источника питания, второй токовый выход (9) входного параллельно-балансного каскада (1) связан со входом (10) выходного каскада (11) и выходом (12) токового зеркала (7), причем выходной каскад (11) содержит входной (15) и выходной (16) транзисторы, база входного транзистора (15) соединена с входом (10) выходного каскада (11), эмиттер связан с второй шиной (8) источника питания через двухполюсник (17) и соединен с базой выходного транзистора (16), эмиттер которого подключен ко второй шине (8) источника питания, а коллектор - соединен с выходом (18) выходного каскада (11) и связан с второй шиной (8) источника питания через источник тока (19), отличающийся тем, что в схему введены первая (13) и вторая (14) цепи смещения потенциалов, первый токовый выход (5) параллельно-балансного каскада (1) связан с входом (6) токового зеркала (7) через первую (13) цепь смещения потенциалов, а второй токовый выход (9) параллельно-балансного каскада (1) связан с выходом (12) токового зеркала (7) через вторую (14) цепь смещения потенциалов, причем в схему также введен дополнительный транзистор (20), база которого соединена с первым токовым выходом (5) параллельно-балансного каскада (1), эмиттер связан с базой выходного транзистора (16) выходного каскада (11), а коллектор дополнительного транзистора (20) соединен с первой шиной (3) источника питания.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в операционных усилителях, компараторах и т.п.).

Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ) на основе двух параллельно-включенных дифференциальных каскадов с токостабилизирующими двухполюсниками в эмиттерных цепях входных транзисторов и выходных каскадов, выполненных по схеме с общим эмиттером [1-15]. ДУ с такой архитектурой стали основой построения многих современных операционных усилителей [1-15], в т.ч. операционных усилителей с опцией rail-to-rail (имеющих максимальную амплитуду выходного напряжения, близкую к напряжению питания). Однако такие дифференциальные усилители имеют ряд недостатков - это достаточно высокое напряжение смещения нуля U_см (порядка сотен микровольт - единиц милливольт) и высокий температурный дрейф U _см, связанный со структурными особенностями схемы.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте США №4417216, содержащий входной параллельно-балансный каскад 1, общая эмиттерная цепь 2 которого связана с первой шиной 3 источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 4, первый токовый выход 5 входного параллельно-балансного каскада 1 связан с входом 6 токового зеркала 7, согласованного со второй шиной 8 источника питания, второй токовый выход 9 входного параллельно-балансного каскада 1 связан со входом 10 выходного каскада 11 и выходом 12 токового зеркала 7, причем выходной каскад 11 содержит входной 15 и выходной 16 транзисторы, база входного транзистора 15 соединена со входом 10 выходного каскада 11, эмиттер связан со второй шиной 8 источника питания через двухполюсник 17 и соединен с базой выходного транзистора 16, эмиттер которого подключен ко второй шине 8 источника питания, а коллектор соединен с выходом 18 выходного каскада 11 и связан со второй шиной 8 источника питания через источник тока 19.

Существенный недостаток известного дифференциального усилителя состоит в том, что он имеет относительно высокое напряжение смещения нуля U_см и повышенную температурную нестабильность U_см.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля U_см и повышении его температурной стабильности.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1, общая эмиттерная цепь 2 которого связана с первой шиной 3 источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 4, первый токовый выход 5 входного параллельно-балансного каскада 1 связан с входом 6 токового зеркала 7, согласованного со второй шиной 8 источника питания, второй токовый выход 9 входного параллельно-балансного каскада 1 связан со входом 10 выходного каскада 11 и выходом 12 токового зеркала 7, причем выходной каскад 11 содержит входной 15 и выходной 16 транзисторы, база входного транзистора 15 соединена со входом 10 выходного каскада 11, эмиттер связан со второй шиной 8 источника питания через двухполюсник 17 и соединен с базой выходного транзистора 16, эмиттер которого подключен ко второй шине 8 источника питания, а коллектор соединен с выходом 18 выходного каскада 11 и связан со второй шиной 8 источника питания через источник тока 19, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первая 13 и вторая 14 цепи смещения потенциалов, первый токовый выход 5 параллельно-балансного каскада 1 связан с входом 6 токового зеркала 7 через первую 13 цепь смещения потенциалов, а второй токовый выход 9 параллельно-балансного каскада 1 связан с выходом 12 токового зеркала 7 через вторую 14 цепь смещения потенциалов, причем в схему также введен дополнительный транзистор 20, база которого соединена с первым токовым выходом 5 параллельно-балансного каскада 1, эмиттер связан с базой выходного транзистора 16 выходного каскада 11, а коллектор дополнительного транзистора 20 соединен с первой шиной 3 источника питания.

Схема заявляемого устройства показана на фиг.2. При этом в соответствии с формулой изобретения выходной каскад 11 содержит входной 15 и выходной 16 транзисторы, база входного транзистора 15 соединена со входом 10 выходного каскада 11, эмиттер соединен со второй шиной 8 источника питания через двухполюсник 17 и связан с базой выходного транзистора 16, эмиттер которого подключен ко второй шине 8 источника питания, а коллектор соединен с выходом 18 выходного каскада 11 и связан со второй шиной 8 источника питания через источник тока 19.

Кроме этого в схему введен дополнительный транзистор 20, база которого соединена с первым токовым выходом 5 параллельно-балансного каскада 1, эмиттер связан с базой 21 выходного транзистора 16 выходного каскада 11, а коллектор дополнительного транзистора 20 согласован с первой шиной 3 источника питания. За счет введения дополнительного транзистора 20 повышается стабильность работы выходного каскада 11 и дифференциального усилителя в целом.

На фиг.3 в среде PSpice показана схема ДУ-прототипа фиг.1, которая исследовалась авторами при определении зависимости напряжения смещения нуля U_см (170 мкВ при 27°С) от температуры.

На фиг.4 показана схема заявляемого дифференциального усилителя (фиг.2), которая также исследовалась авторами в среде PSpice при определении зависимости напряжения смещения нуля U_см (2,6 мкВ при 27°С) от температуры. Исследования проводились на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».

На графике фиг.5 показаны зависимости напряжения смещения нуля U _см от температуры, полученные при исследовании авторами схем прототипа и заявляемого дифференциального усилителя.

Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит входной параллельно-балансный каскад 1, общая эмиттерная цепь 2 которого связана с первой шиной 3 источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 4, первый токовый выход 5 входного параллельно-балансного каскада 1 связан с входом 6 токового зеркала 7, согласованного со второй шиной 8 источника питания, второй токовый выход 9 входного параллельно-балансного каскада 1 связан со входом 10 выходного каскада 11 и выходом 12 токового зеркала 7, причем выходной каскад 11 содержит входной 15 и выходной 16 транзисторы, база входного транзистора 15 соединена со входом 10 выходного каскада 11, эмиттер связан со второй шиной 8 источника питания через двухполюсник 17 и соединен с базой выходного транзистора 16, эмиттер которого подключен ко второй шине 8 источника питания, а коллектор соединен с выходом 18 выходного каскада 11 и связан со второй шиной 8 источника питания через источник тока 19. В схему введены первая 13 и вторая 14 цепи смещения потенциалов, причем первый токовый выход 5 параллельно-балансного каскада 1 связан с входом 6 токового зеркала 7 через первую 13 цепь смещения потенциалов, а второй токовый выход 9 параллельно-балансного каскада 1 связан с выходом 12 токового зеркала 7 через вторую 14 цепь смещения потенциалов. В схему также введен дополнительный транзистор 20, база которого соединена с первым токовым выходом 5 параллельно-балансного каскада 1, эмиттер связан с базой выходного транзистора 16 выходного каскада 11, а коллектор дополнительного транзистора 20 соединен с первой шиной 3 источника питания.

Рассмотрим работу ДУ фиг.2.

Одной из доминирующих причин, влияющих на статические параметры современных транзисторных дифференциальных усилителей, является эффект Эрли, связанный с влиянием величины напряжения коллектор-эмиттер (U_кэ) или коллектор-база (U_кб) на входные характеристики транзисторов. Данный фактор недооценивается в современной технической литературе, что приводит к существенным ошибкам при проектировании микросхем.

В предлагаемом техническом решении за счет введения элементов 13 и 14 формируются условия, при которых эффект Эрли создает в эмиттерных переходах транзисторов дифференциального каскада 1 и транзисторах токового зеркала 7 противоположные по знаку, но компенсирующие друг друга смещения входных характеристик. Это позволяет за счет симметрирования напряжений

минимизировать влияние внутренней обратной связи в транзисторах схемы на основные статические параметры ДУ: U _см, коэффициент ослабления входных синфазных сигналов, температурный дрейф U_см и т.д. В зависимости от числа р-n переходов во входной цепи выходного каскада 11 число р-n переходов в элементах смещения 13 и 14 может меняться. Так, при использовании в схеме ДУ выходного каскада 11 по патенту США №4417216 элементы 13 и 14 должны содержать не по одному, а по два р-n перехода. Таким образом, входной каскад схемы фиг.2 несмотря на асимметрию архитектуры обладает высокой симметрией статического режима.

Дополнительным фактором, улучшающим систематическую составляющую U_см, является введение транзистора 20, ток базы которого I_б компенсирует входной ток буферного усилителя 11.

Предлагаемая система мер создает условия для уменьшения U_см и его температурного дрейфа.

Полученные выше выводы подтверждаются результатами моделирования предлагаемых схем в среде PSpice с использованием моделей интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» (г.Москва) (фиг.4, фиг.5) - заявляемый ДУ имеет более, чем на порядок меньшее напряжение смещения нуля (2,6 мкВ), обусловленное структурными особенностями схемы (без учета разброса параметров элементов), и значительно лучшую температурную стабильность U _см.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент США №4417216 (прототип).

2. Патент Японии 2004040157.

3. Патентная заявка США №2004/0061544.

4. Патентная заявка США №2003/0155959.

5. Патентная заявка США №2003/0141919.

6. Патент США №6292033.

7. Патент США №5936468.

8. Патент США №4866397.

9. Патент США №4331929.

10. Патент DE №10321442.

11. Патент США №6262628.

12. Патент США №6172551.

13. Патент США №5461342.

14. Патент США №5373741.

15. Патент США №6917257.