способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности

Формула изобретения

Способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности с использованием m-характеристик, измеренных в диапазоне прямого тока 1-100 мА, отличающийся тем, что измерение проводят до и после пропускания импульса тока с амплитудой, в 1,5-3 раза превышающего максимально допустимую по ТУ, а отбор приборов повышенной надежности проводят на основании критерия , где m_имп - максимальное значение параметра m после воздействия импульса тока, m _исх - максимальное значение параметра m в исходном состоянии, величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа приборов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), и может быть использовано для выделения из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности с высоким уровнем достоверности как в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью m-характеристик [1], в котором критерий потенциальной надежности приборов имеет значение

1 m 2,

т.е. полупроводниковые приборы с данной величиной m-характеристики будут соответствовать по надежности требованиям ТУ.

Недостатком данного способа является невозможность отбора группы приборов с повышенной относительно требований ТУ надежностью. Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей диагностических способов.

Это достигается тем, что m-характеристики полупроводниковых приборов измеряют в диапазоне прямого тока (1-100 мА) до и после пропускания импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимого по ТУ.

По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерий для отношения максимальных значений m-характеристик до и после пропускания импульса тока, т.е.

,

где величина А устанавливается на основе статистики.

Способ осуществляется следующим образом. Измеряют m-характеристику p-n переходов выборки приборов в диапазоне прямого тока (1-100 мА) в исходном состоянии. Затем на приборы осуществляют воздействие импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимой на переходы база-коллектор и база-эмиттер. Длительность импульса подбирают экспериментально на представительной выборке путем последовательного увеличения с шагом 0,1 с до тех пор, пока не наблюдают отклонение значений параметра m от исходных. Для данного типа приборов длительность импульса составила 0,5 с. После этого производят повторные измерения m-характеристики после воздействия импульса тока и составляют таблицу максимальных значений параметра m. По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерии для отношения максимальных значений m-характеристик .

Предложенная методика разделения была апробирована на транзисторах КТ503Б (маломощных кремниевых транзисторах n-p-n-типа).

Максимальные значения измеренных m-характеристик до и после пропускания импульса тока представлены в таблице.

№ прибора	Максимальные значения m-характеристик
	Исходное состояние		Состояние после воздействия импульса тока
1	1,31	1,37		1,045
2	1,32	1,32		1,000
3	1,34	1,34		1,000
4	1,34	1,49		1,112
5	1,27	1,32		1,039
6	1,31	1,31		1,000
7	1,38	1,4		1,014
8	1,28	1,38		1,078
9	1,41	1,48		1,049
10	1,33	1,46		1,098

Если принять критерий для m-характеристик в случае транзисторов КТ503Б: А=1, то транзисторы №2, 3, 6 будут иметь повышенную надежность.

Источник информации

1. ОСТ 11073.043-75. Приборы полупроводниковые и микросхемы интегральные. Метод контроля качества с помощью m-характеристик.