способ получения кристаллического нитрида углерода c 3n4

Классы МПК:C30B7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов
C01B21/082 соединения, содержащие азот и неметаллы
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ СпбГПУ) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2007-06-25
публикация патента:

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для синтеза кристаллического нитрида углерода C 3N4. Предварительно рассчитывают количества нитрида углерода C3N 4 и тетрахлорида углерода CCl4, отвечающих уравнению реакции 3CCl4+4NН 3=C3N4+12НСl. Далее в реакционную камеру вводят рассчитанное количество жидкого NH3 в герметичном сосуде и тетрахлорид углерода CCl4. Камеру герметизируют, вскрывают в ней сосуд с NH3, нагревают до температуры 195-200° и выдерживают в течение 1,5-2 часов до окончания реакции и получения кристаллического нитрида углерода. Способ получения кристаллического нитрида углерода C 3N4 является экономичным, т.к. протекает при более низких температурах, скорость процесса образования кристаллического нитрида углерода высокая, что приводит к уменьшению времени синтеза.

Формула изобретения

Способ получения кристаллического нитрида углерода, включающий загрузку в реакционную камеру тетрахлорида углерода, нагревание камеры и выдержку и удаление побочных продуктов, отличающийся тем, что в реакционную камеру дополнительно вводят жидкий аммиак в герметичном сосуде и тетрахлорид углерода в предварительно рассчитанных количествах, отвечающих уравнению реакции 3CCl 4+4NH3=C3N 4+12HCl, камеру герметизируют, вскрывают в ней сосуд с аммиаком, нагревают до температуры 195-200°С и выдерживают в течение 1,5-2 ч при этой температуре до окончания реакции.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для синтеза кристаллического нитрида углерода C 3N4.

Известен способ получения кристаллического нитрида углерода С3N 4 [Valery N. Khabasbesku, John L. Margrave, John L. Zimmerman. Powder Synthesis and characterization of amorphous carbon nitride, А-С3N4. Patent No.: US 6,428,762 B1. Date of Patent: Aug.6, 2002], включающий тонкое размельчение C3N3 Cl3 и Li3N и перемешивание в заполненном N2 боксе, загрузку порошка в реакционную камеру из нержавеющей стали, герметизацию, подвешивание реакционной камеры вертикально в печи, нагревание до 320-400°С с вибрационным перемешиванием, выдержку в течение 2-4 часов и охлаждение до комнатной температуры.

Существенным недостатком способа является использование твердых реагентов. В этом способе для увеличения скорости реакции, протекающей на поверхности раздела твердых фаз, необходимо увеличение поверхности раздела путем тонкого измельчения реагентов и вибрационного перемешивания. Увеличение скорости реакции этим способом требует также дополнительного повышения температуры и времени синтеза. Кроме того, способ не позволяет ввести строго заданное количество компонентов x и y для CxNy, что приводит к уменьшению выхода нитрида углерода С3 N4.

Известен способ получения кристаллического нитрида углерода C3N4 [Yu-Jun Bai, Во Lu, Zhen-Gang Xu, Ling Li, Xian-Gang Xu, Qi-Long Wang. Solvothermal preparation of graphite-like C 3N4 nanocrystals. Jounal of Cristal Growth 247 {2003} 505-508], выбранный за прототип. Он включает загрузку CCl4 и NH4 Cl в реакционную камеру из нержавеющей стали, нагревание до 400°С, выдержку в течение 20 часов, охлаждение до комнатной температуры и удаление побочных продуктов.

Существенным недостатком этого способа получения является использование в качестве реагента NH4Cl, в результате чего процесс образования С3N4 возможен лишь после стадии разложения NH4Cl при нагревании до 400°С и выдержки в течение 20 часов при этой температуре согласно уравнениям реакций:

NH4Cl=HCl+NH 3,

CCl4+NH3 =C3N4+HCl.

Способ не позволяет ввести в реакционную камеру количество компонентов, отвечающих уравнению реакции 3CCl4+4NH 3=C3N4+12HCl, что ведет к снижению скорости реакции, высокой температуре протекания реакции и длительному времени синтеза.

Задачей изобретения является увеличение скорости процесса, снижение температуры и времени синтеза кристаллического нитрида углерода С 3N4.

Предложен способ получения кристаллического нитрида углерода C3N 4. Предварительно рассчитывают нитрид углерода С 3N4 и тетрахлорид углерода CCl 4 в количествах, отвечающих уравнению реакции 3CCl 4+4NH33N 4+12HCl, и выход кристаллического нитрида углерода С 3N4. Далее в реакционную камеру вводят определенное количество жидкого NH3 в герметичном сосуде и тетрахлорид углерода CCl4. Камеру герметизируют, вскрывают в ней сосуд с NH3 , нагревают до температуры 195-200° и выдерживают в течение 1,5-2 часов до окончания реакции и получения готового продукта, т.е. кристаллического С3N 4.

Введение жидкого аммиака NH3 в реакционную камеру в герметичном сосуде исключает стадию разложения NH4Cl=HCl+NH3 при нагревании, что ускоряет процесс синтеза и снижает его температуру до 195-200°С и предотвращает взаимодействие между компонентами CCl4 и NH3 в процессе загрузки, исключает их потерю.

Валентные возможности атомов углерода и азота позволяют получать химически устойчивые соединения нитрида углерода с различным содержанием азота и углерода, поэтому необходимо вводить в реакционную камеру определенные количества компонентов, соответствующих данному составу нитрида углерода. Введение жидкого NH3 в герметичном сосуде и тетрахлорида углерода в количествах, отвечающих уравнению реакции 3CCl4+4NH3=C 3N4+12HCl, исключает протекание побочных реакций и, следовательно, образование побочных продуктов согласно уравнению реакции CCl4+NH 3=CxNy+NH 4Cl, где x не равен 3, a y не равен 4, и, как следствие, ускоряет процесс синтеза.

Вскрытие сосуда с жидким NH 3 после герметизации реакционной камеры обеспечивает в ней дополнительное давление, которое ускоряет процесс синтеза и стимулирует образование кристаллической фазы.

Нагревание камеры до 195-200°С обеспечивает перевод компонентов шихты в газообразное состояние и гомофазное взаимодействие NH 3 с CCl4 с образованием кристаллического С3N4 и HCl, а выдержка в течение 1,5-2 часов обеспечивает полное взаимодействие между компонентами.

Нагревание ниже 195°С приводит к резкому снижению образования кристаллического нитрида углерода С 3N4, а нагревание реакционной камеры выше 200°С нецелесообразно, так как реакция образования кристаллического нитрида углерода С3N 4 заканчивается при 200°С в течение 2 часов.

Пример 1. Предварительно согласно уравнению реакции: 3CCl 4+4NH3=C3N 4+12HCl рассчитывали количества жидкого аммиака NH 3 и тетрахлорида углерода CCl4, что составило 0,1150 г NH3 и 0,7790 г CCl 4. В отсек реакционной камеры в герметичном сосуде помещали 0,1150 г NH3 и 0,7790 г CCl 4, после чего камеру герметизировали. Далее вскрывали сосуд с аммиаком. Реакционную камеру нагревали до 200°С и выдерживали в течение 1,5 часов, после чего камеру охлаждали на воздухе, вскрывали камеру и удаляли побочный продукт HCl. Выход кристаллического нитрида углерода C3N4 составил 92% от рассчитанного по уравнению реакции 3CCl+4NH 33N4+12HCl.

Пример 2. Аналогично первому примеру рассчитывали количества жидкого аммиака NH3 и тетрахлорида углерода CCl4, что составило 0,1560 г NH 3 и 1,0567 г CCl4. В отсек реакционной камеры в герметичном сосуде помещали NH3 и CCl4, после чего камеру герметизировали. Далее вскрывали сосуд с аммиаком. Реакционную камеру нагревали до 195°С и выдерживали в течение 2 часов, после чего камеру охлаждали на воздухе, вскрывали камеру и удаляли побочный продукт HCl. Выход кристаллического нитрида углерода С 3N4 составил 88,5% от рассчитанного по уравнению реакции 3CCl4+4NH 33N4+12HCl.

Из приведенных выше примеров видно, что процесс получения кристаллического нитрида углерода С3N 4 протекает при более низких температурах, скорость процесса по сравнению с прототипом возросла, что привело к уменьшению времени синтеза.

Класс C30B7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов

микрофлюидное устройство для кристаллизации белков в условиях невесомости -  патент 2522613 (20.07.2014)
кристаллические антитела против htnf -  патент 2486296 (27.06.2013)
способы получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs5(hso4)2(h2po4)3 -  патент 2481427 (10.05.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения кристаллов тэна игольчатой формы -  патент 2463393 (10.10.2012)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2460830 (10.09.2012)
деталь из искусственного кварца, способ ее изготовления и включающий ее оптический элемент -  патент 2441840 (10.02.2012)
способ выращивания игольчатых кристаллов -  патент 2430200 (27.09.2011)
способ выращивания латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка -  патент 2418110 (10.05.2011)
способ получения нитевидных кристаллов азида серебра -  патент 2404296 (20.11.2010)

Класс C01B21/082 соединения, содержащие азот и неметаллы

Наверх