Поиск патентов
ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ

полупроводниковый антиферромагнитный материал

Классы МПК:H01F1/40 содержащие полупроводниковые магнитные материалы, например CdCr2S4
C30B29/22 сложные оксиды
Автор(ы):, , , , ,
Патентообладатель(и):Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2006-06-07
публикация патента:

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoX O, где Х=0,01÷0,25; или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида Zn1-X-YCo XLnYO, где Ln - Pr, Nd, Sm или Eu; X=0,01-0,24; Y=0,01-0,03; X+Yполупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 0,25. Полученный материал обладает полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, высокой температурой Кюри при высокой термической стабильности. 2 ил., 1 табл.

Рисунки к патенту РФ 2318262

полупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 полупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, конкретно к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов, обладающих полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, а также высокой температурой Кюри (точкой Нееля) ТN=600-650 К при высокой термической стабильности продукта.

Изобретение может быть использовано в магнитоэлектронике, в которой ведущая роль принадлежит не только электрической характеристике, но и квантово-механической, такой как спин электрона.

Развитие магнитоэлектроники в значительной мере сдерживается отсутствием подходящих материалов, удовлетворяющих трем основным критериям:

- сохранение магнитной ориентации в полупроводниках с n- и с p-подвижными носителями тока при температурах, значительно выше комнатных;

- простота и надежность методик синтеза материалов, возможность включения изделий, полученных из этих материалов, в стандартные полупроводниковые схемы;

- сохранение в полученных магнитных полупроводниковых материалах структуры и физико-химических свойств исходных полупроводниковых матриц без ухудшения их потребительских характеристик.

Магнитные полупроводниковые материалы принято подразделять на следующие классы: Концентрированные Магнитные Полупроводники (КМН); Полумагнитные Полупроводники (ПМП); Разбавленные Магнитные Полупроводники (РМП); Высокотемпературные Ферромагнитные Полупроводники (ВТФП) и Неоднородные Магнитные Материалы (НММ) [В.А.Иванов и др. Спинтроника и спинтронные материалы. Известия РАН, серия Химическая, 2004, №11, 2255-2303].

КМН, к которым относится EuO, Cr-халькогенидные шпинели MeCrXal 2, BiMnO3, CeCuO3 , YTiO3, а также пниктиды Mn(Cr)As(Sb), не получили практического применения из-за низких температур Кюри и технологических требований чистоты, предъявляемых к материалам электроники. Эти же причины плюс нестабильность препятствуют практическому использованию ПМП, получаемых на основе матриц II-IV и IV-VI (II - Zn, Cd, Hg; IV - Pb, Sn; VI - S, Se, Те), в которых случайным образом распределены Fe, Co, Ni.

РМП и ВТФП представляют собой материалы, использующие в качестве матриц полупроводники III-V (III - Al, Ga, In; V - Р, As, Sb) или II-IV (II - Zn, Cd; IV - Si, Ge, Pb, Sn), в которых атомы металлов II, III, IV групп статистически замещены атомами переходных металлов. К недостаткам относятся недостаточно высокие значения температур Кюри.

До настоящего времени материалы, получаемые на основе сложных оксидов, в классах полупроводников РМП и ВТФП представлены не были.

НММ представляют собой композиционные материалы, содержащие оксиды TiO2, ZnO и частицы магнитных металлов Fe, Со и Ni. Недостатком таких смесей является их неоднофазность и невоспроизводимость магнитных характеристик. Гетерогенность НММ показана на примере композитов на основе оксидов цинка и кобальта Zn1-XCo 2+ XO, для которых ферромагнетизм обусловлен наличием кластеров кобальта [Jae Hyun Kirn et al., Magnetic properties of epitaxially grown semiconducting Zn 1-XCoXO thin films by pulsed laser deposition. J. Appl. Phys., 2002, v.92, N10, p.6066-6071, R.Rode et al., Magnetic semiconductors based on cobalt substituted ZnO. J. Appl. Phys., 2003, v.93, N10, p.7676-7678].

Известен пленочный материал, который образуется при нанесении зольного геля оксида цинка с добавками ионов проводящих металлов на подложку, с последующими сушкой и термообработкой [Hyeon-Jun Lee et al., Study of diluted magnetic semiconductor: Co-doped ZnO. Appl. Phys. Lett. 2002, v.81, p.4020-4022].

Недостатком материала, представляющего собой смесь полупроводников и ферромагнетиков, является невоспроизводимость характеристик из-за зависимости от парциального давления кислорода при синтезе, а также подверженность химической деградации.

Наиболее близкими к заявляемому материалу является разбавленный магнитный полупроводник на основе ZnO [CN1383161] (прототип), приготовленный золь-гель методом с включениями добавок проводящих металлов, таких как Со, Fe, Ni в относительных количествах 1-1,5 мас.%.

К недостаткам этого материала следует отнести то, что полученный таким способом материал является композитом, а не соединением, поэтому он многофазен по своей природе и, как следствие, термодинамически нестабилен. Вторым недостатком является значительная коэрцитивная сила ферромагнитной фазы, что ограничивает область применения композита.

Задачей изобретения является создание гомогенного оксидного материала класса РМП, обладающего полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами с высокой температурой перехода из антиферромагнитного в парамагнитное состояние ТN=600-650 К. Под антиферромагнитным понимается упорядоченное состояние с антипараллельной ориентацией спиновых магнитных моментов ионов в кристаллической решетке.

Технический результат достигается тем, что предложен полупроводниковый антиферромагнитный материал, характеризующийся температурой перехода в парамагнитное состояние Т N=600-650 К, представляющий собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта, отвечающий формуле:

Zn 1-XCoXO, где

Х=0,01÷0,25;

либо гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида с общей формулой:

Zn1-X-Y CoXLnYO, где

Ln=Pr, Nd, Sm или Eu;

Х=0,01÷0,24;

Y=0,01÷0,03

X+Yполупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 0,25.

Значения Х и Y выбираются из соображений, что при Х<0,01 магнитные свойства не проявляются, при Х+Y>0,25 и при Y>0,03 твердый раствор теряет гомогенность, а при Y<0,01 присутствие лантаноида в твердом растворе не оказывает влияние на удельную намагниченность материала.

Синтез заявленного полупроводникового антиферромагнитного материала осуществляется путем спекания рассчитанных навесок смеси оксидов цинка ZnO и кобальта Со3O4, либо спеканием смеси оксидов цинка, кобальта и оксида европия, или оксида неодима, или оксида празеодима, или карбоната самария. Процесс образования гомогенного твердого раствора проводится в три стадии: первая стадия - отжиг при 700-750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 800-900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1000-1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.

Сущность изобретения состоит в следующем.

Полупроводниковый антиферромагнитный материал, согласно изобретению, является гомогенным твердым раствором, и представляет собой полупроводник, в котором проявление антиферромагнетизма связано с тем, что в процессе получения материала кобальт и лантаноид растворялись в оксиде цинка также в виде оксидов. Материал отвечает обобщенной формуле Zn1-X-YCo XLnYO, где Х=0,01÷0,25, Y=0,00÷0,03. Заявленное содержание кислорода в материале обусловлено тем, что избыточное содержание кислорода в оксидах кобальта и лантаноидов компенсируется его дефицитом в главном составляющим твердого раствора - оксиде цинка, характеризующимся определенным уровнем кислородной нестехиометрии [Zalecki V. et al. Phys. and chem. Solid-state. 2005, v.6, №1, р.44-49].

Заявленный полупроводниковый материал обладает антиферромагнитными свойствами, на что указывает характер кривой температурной зависимости удельной намагниченности. Кривая обладает известной специфической характеристикой [Королева Л.И. Магнитные полупроводники. 2003, М.: Изд-во МГУ, 312 с.] с точками Нееля.

На Фиг.1 представлена сравнительная характеристика температурной зависимости удельной намагниченности гомогенного твердого раствора Zn0.75Co 0.22Eu0.03O и ферромагнитного материала прототипа.

Полупроводниковые свойства подтверждаются характером кривой зависимости проводимости заявленного материала от температуры.

На Фиг.2 представлена характерная кривая температурной зависимости проводимости (полупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 ) на примере Zn0.80Co 0.20O при частотах измерительного поля 15,9 и 159,0 кГц.

В таблице представлены примеры составов заявленного полупроводникового антиферромагнитного материала и температуры перехода из антиферромагнитного в парамагнитное состояние.

Таблица.
№ ПримераСостав твердого раствора Температура перехода в парамагнитное состояние Т N, К(±3)
1 Zn0.99Co0.01O 610
2 Zn0.95CO0.050 620
3 Zn0.80Co0.20O 625
4 Zn0.75C0.25O 625
5 Zn0.98Co0.01Eu 0.01O600
6Zn0.89Co 0.10Eu0.01O 610
7Zn 0.75Co0.24Eu0.01 O625
8 Zn0.97Co 0.01Eu0.02O 610
9Zn 0.88Co0.10Eu0.02 O615
10 Zn0.75Co 0.23Eu0.02O 630
11Zn 0.96Co0.01Eu0.03 O625
12 Zn0.82Co 0.15Eu0.03O 635
13Zn 0.98Co0.01Eu0.01 O650
14 Zn0.98Co 0.01Pr0.01O 625
15Zn 0.89Co0.10Pr0.01 O625
16 Zn0.75Co 0.24Pr0.01O 625
17Zn 0.97Co0.01Pr0.02 O625
18 Zn0.88Co 0.10Pr0.02O 625
19Zn 0.75Co0.23Pr0.02 O625
20 Zn0.96Co 0.01Pr0.03O 625
21Zn 0.82Co0.15Pr0.03 O625
22 Zn0.75Co 0.22Pr0.03O 650
23Zn 0.98Co0.01Nd0.01 O625
24 Zn0.89Co 0.10Nd0.01O 625
25Zn 0.75Co0.24Nd0.01 O625
26 Zn0.97Co 0.01Nd0.02O 625
27Zn 0.88Co0.10Nd0.02 O625
28 Zn0.75Co 0.23Nd0.02O 625
29Zn 0.96Co0.01Nd0.03 O625
30 Zn0.82Co 0.15Nd0.03O 625
31Zn 0.75Co0.22Nd0.03 O625
32 Zn0.98Co 0.01Sm0.01O 625
33Zn 0.89Co0.10Sm0.01 O625
34 Zn0.75Co 0.24Sm0.01O 625
35Zn 0.97Co0.01Sm0.02 O625
36 Zn0.88Co 0.10Sm0.02O 630
37Zn 0.75Co0.23Sm0.02 O640
38 Zn0.96Co 0.01Sm0.03O 625
39Zn 0.82Co0.15Sm0.03 O625
40 Zn0.75Co 0.22Sm0.03O 650

Отличительной особенностью получаемого полупроводникового антиферромагнитного материала является термическая стабильность, что позволяет использовать его в химически агрессивных средах.

Ниже приведены примеры получения заявленного материала:

Пример 1.

В качестве исходных материалов использовали оксид кобальта Со3O4 , поставляемый в соответствии с ТУ 6-09-1518-77 (ОСЧ 9-2), и оксид цинка по ТУ 6-09-2175-72) (ОСЧ 14-2).

Все оксиды тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.

Навеску полученной смеси оксидов, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.99Co0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали по следующей схеме: первая стадия - отжиг при 700°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 800°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1000°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.

По данным термогравиметрического анализа (ТГА), в пределах инструментальной ошибки прибора, брутто-состав синтезированных образцов не отличается от исходного брутто-состава Zn 0.99Co0.01O.

Материалы по примерам 2-4 получены аналогичным способом.

Пример 5.

В качестве исходных материалов использовали оксиды кобальта, цинка и оксид европия в соответствии с маркой ХЧ по ТУ 6-09-4768-79.

Все оксиды тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.

Навеску полученной смеси оксидов, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.98Co0.01Eu 0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали в три стадии: первая стадия - отжиг при 750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.

По данным ТГА, в пределах инструментальной ошибки прибора, брутто-состав синтезированных образцов не отличается от исходного брутто-состава Zn0.98Co 0.01Eu0.01O.

Материалы по примерам 6-31 получены аналогичным способом.

Пример 32.

В качестве исходных материалов использовали оксиды кобальта, цинка и карбонат самария в соответствии с маркой ХЧ по ТУ 6-09-4770-79. Оксиды кобальта, цинка и карбонат самария тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.

Навеску полученной смеси оксидов кобальта, цинка и карбоната самария, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.98Co 0.01Sm0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали в три стадии: первая стадия - отжиг при 750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.

Материалы по примерам 33-40 получены аналогичным способом.

Представленные в таблице материалы исследовались методами рентгенофазового и дифференциально-термического (ДТА) анализов. На рентгенограммах присутствовали только линии, характерные для структуры ZnO с параметрами a=3.25 Å и с=5.19 Å.

Кривые ДТА указывали на отсутствие фазовых превращений I рода, что свидетельствует о гомогенности полученного оксидного материала.

Зависимости удельной намагниченности материала исследовались пондеромоторным методом [В.И.Чечерников. Магнитные измерения. Изд-во МГУ. 1969, 388 с.] в магнитном поле 0,86Т (8,6 kOe) в интервале температур 77-700 К.

Температурные зависимости проводимости Igполупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 =f(1000/T) материала в пределах экспериментальных погрешностей не отличались от подобных для чистого оксида цинка и обнаруживали изменение характера проводимости лишь свыше 650 К.

Как видно из Фиг.1-2, таблицы и приведенных примеров, заявленный продукт является гомогенным полупроводниковым антиферромагнитным материалом с температурой Кюри (точкой Нееля) T N=600-650 К.

Уникальное сочетание полупроводниковых и антиферромагнитных свойств заявленного материала делает его перспективным продуктом для практического использования в магнитоэлектронике.

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Полупроводниковый антиферромагнитный материал, характеризующийся температурой перехода в парамагнитное состояние Т N=600-650 К, представляющий собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта с формулой Zn1-X CoxO, где Х=0,01-0,25, или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида в виде празеодима или неодима, или самария, или европия с формулой

Zn 1-X-YCoXLnY O,

где Х=0,01-0,24;

Y=0,01-0,03;

X+Yполупроводниковый антиферромагнитный материал, патент № 2318262 0,25.


Скачать патент РФ Официальная публикация
патента РФ № 2318262

patent-2318262.pdf
Патентный поиск по классам МПК-8:

Класс H01F1/40 содержащие полупроводниковые магнитные материалы, например CdCr2S4

Класс C30B29/22 сложные оксиды

Патенты РФ в классе C30B29/22:
способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей -  патент 2315134 (20.01.2008)

Наверх