ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе ga2o 3 и способ его изготовления

Классы МПК:C30B29/16 оксиды
C30B23/02 выращивание эпитаксиальных слоев
H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01S5/32 с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):ВАСЕДА ЮНИВЕРСИТИ (JP)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-02-16
публикация патента:

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3 формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень. Атомы Ga высвобождаются из мишени в результате термического и фотохимического воздействия. Свободные атомы Ga связываются с радикалами одного или более газов в атмосфере камеры с образованием тонкой пленки способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3 на подложке. Описано также светоизлучающее устройство, включающее подложку n-типа, изготовленную легированием монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3 донорами, слой p-типа, изготовленный легированием монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3 акцептором, и представленное в виде перехода на верхней поверхности подложки n-типа. Изобретение позволяет получать тонкие монокристаллические пленки способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3 и GaN, а также монокристаллы ZnO высокого качества, светоизлучающее устройство способно излучать свет в ультрафиолетовой области. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"reactive atmosphere. Applied Surface Science, 106, 1996, p.149-153. JP 2001286814 A, 16.10.2001. WO 02089223 A1, 07.11.2002.

Рисунки к патенту РФ 2313623

способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-69-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-70-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-71-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-72-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-73-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-74-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-75-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-76-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-77-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-78-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-79-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-80-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-81-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-82-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-83-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-84-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-85-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-86-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-87-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-88-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-89-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-90-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-91-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-92-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-93-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-94-S.GIF" > способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-95-S.GIF" >

Текст описания приведен в факсимильном виде. способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-2-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-3-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-4-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-5-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-6-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-7-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-8-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-9-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-10-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-11-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-12-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-13-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-14-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-15-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-16-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-17-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-18-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-19-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-20-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-21-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-22-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-23-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-24-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-25-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-26-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-27-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-28-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-29-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-30-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-31-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-32-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-33-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-34-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-35-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-36-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-37-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-38-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-39-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-40-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-41-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-42-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-43-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-44-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-45-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-46-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-47-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-48-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-49-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-50-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-51-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-52-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-53-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-54-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-55-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-56-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-57-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-58-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-59-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-60-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-61-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-62-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-63-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-64-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-65-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-66-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-67-s.gif" BORDER="0"> способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313623/2313623-68-s.gif" BORDER="0">

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Ga или сплава, содержащего Ga, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из газообразного кислорода, газообразного кислорода, содержащего озон, чистого озонсодержащего газа, газообразного N2O, газообразного NO2 , газообразного кислорода, содержащего радикалы кислорода, и радикалов кислорода; и

комбинированием химических частиц, таких как атомы, молекулы и ионы, высвобождаемых из металлической мишени под действием облучения возбуждающим лучом, с одним или более газами с образованием на подложке тонкой монокристаллической пленки, изготовленной из способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3.

2. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Zn или сплава, содержащего Zn, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из газообразного кислорода, газообразного кислорода, содержащего озон, чистого озонсодержащего газа, газообразного N2O, газообразного NO2 , газообразного кислорода, содержащего радикалы кислорода и радикалов кислорода; и

комбинированием химических частиц, таких как атомы, молекулы и ионы, высвобождаемых из металлической мишени под действием облучения возбуждающим лучом, с одним или более газами с образованием на подложке монокристалла, изготовленного из ZnO.

3. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по п.2, характеризующийся тем, что

выращивание тонкой монокристаллической пленки из ZnO выполняют путем формирования буферного слоя, изготовленного из тонкой кристаллической пленки ZnO, и выращивания тонкой монокристаллической пленки на буферном слое.

4. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, характеризующийся

получением подложки, изготовленной из монокристалла способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3;

облучением возбуждающим лучом металлической мишени, изготовленной из Ga или сплава, содержащего Ga, в атмосфере, состоящей из одного, двух или более газов, выбранных из радикалов азота, газообразного NH3, газообразного NH3 , содержащего радикалы азота; и

комбинированием химических частиц, таких как атомы, молекулы и ионы, высвобождаемых из металлической мишени под действием облучения возбуждающим лучом, с одним или более газами с образованием на подложке тонкой монокристаллической пленки из GaN.

5. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по п.4, характеризующийся тем, что

выращивание тонкой монокристаллической пленки из GaN выполняют путем формирования буферного слоя, изготовленного из тонкой кристаллической пленки GaN, и выращивания тонкой монокристаллической пленки на буферном слое.

6. Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки по любому из пп.1, 2 и 4, характеризующийся тем, что получение подложки осуществляют путем формирования по способу плавающей зоны - FZ.

7. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3, характеризующееся наличием

первого слоя, изготовленного из монокристалла Ga 2O3 и обладающего проводимостью n-типа; и

второго слоя, изготовленного из монокристалла Ga 2O3 и обладающего проводимостью p-типа и сформированного на первом слое.

8. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.7, характеризующееся наличием

активного слоя между первым слоем и вторым слоем.

9. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.7, характеризующееся тем, что

один из первого и второго слоев является подложкой, а другой является тонкой пленкой, которую выращивают на подложке.

10. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.9, характеризующееся тем, что поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (100).

11. Светоизлучающее устройство на основе Ga2 O3 по п.9, характеризующееся тем, что поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (001).

12. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3 по п.9, характеризующееся тем, что

поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (010).

13. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O 3 по п.9, характеризующееся тем, что

поверхность подложки, на которой выращивают тонкую пленку, является плоскостью (101).

14. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3 по п.7, характеризующееся тем, что

первый слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью n-типа вследствие дефектов по кислороду в монокристалле Ga2 O3.

15. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.7, характеризующееся тем, что

первый слой является подложкой или тонкой пленкой; и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью n-типа вследствие добавления донорной примеси в подложку или тонкую пленку.

16. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.7, характеризующееся тем, что

второй слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью p-типа вследствие дефектов по кислороду в монокристалле Ga2O3.

17. Светоизлучающее устройство на основе Ga2 O3 по п.7, характеризующееся тем, что

второй слой является подложкой или тонкой пленкой и

подложка или тонкая пленка обладает проводимостью p-типа вследствие добавления акцепторной примеси в подложку или тонкую пленку.

18. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3, характеризующееся наличием

подложки, изготовленной из монокристалла Ga 2O3, обладающей проводимостью n-типа; и

тонкой пленки, изготовленной из монокристалла Ga 2O3, обладающей проводимостью p-типа и сформированной на подложке.

19. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.18, характеризующееся тем, что

тонкую пленку, изготовленную из монокристалла Ga2O3 , имеющую концентрацию носителя, отличную от концентрации носителя подложки, и обладающую проводимостью n-типа, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью p-типа.

20. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3 по п.19, характеризующееся тем, что

буферный слой, изготовленный из монокристалла Ga 2O3, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью n-типа.

21. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O 3, характеризующееся наличием

подложки, изготовленной из монокристалла Ga2O3 и обладающей проводимостью p-типа; и

тонкой пленки, изготовленной из монокристалла Ga2O3 , обладающей проводимостью n-типа и сформированной на подложке.

22. Светоизлучающее устройство на основе Ga 2O3 по п.21, характеризующееся тем, что

тонкую пленку, изготовленную из монокристалла Ga 2O3, имеющую концентрацию носителя, отличную от концентрации носителя подложки и обладающую проводимостью p-типа, формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью n-типа.

23. Светоизлучающее устройство на основе Ga2O3 по п.22, характеризующееся тем, что

буферный слой, изготовленный из монокристалла Ga2O3 , формируют между подложкой и тонкой пленкой, обладающей проводимостью p-типа.

24. Способ изготовления светоизлучающего устройства на основе способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее   устройство на основе ga<sub pos=2o 3 и способ его изготовления, патент № 2313623" SRC="/images/patents/154/2313006/946.gif" BORDER="0" ALIGN="absmiddle"> -Ga2O3, характеризующийся

формированием подложки, изготовленной из монокристалла Ga 2O3 и обладающей проводимостью n-типа;

отжигом подложки с образованием изолирующей подложки;

добавлением донорской примеси на изолирующую подложку с образованием тонкой пленки, обладающей проводимостью n-типа; и

добавлением акцепторной примеси в тонкую пленку с образованием на ней дополнительной тонкой пленки, обладающей проводимостью p-типа.


Скачать патент РФ Официальная публикация
патента РФ № 2313623

patent-2313623.pdf
Патентный поиск по классам МПК-8:

Класс C30B29/16 оксиды

Патенты РФ в классе C30B29/16:
способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления -  патент 2507319 (20.02.2014)
способ получения микро- и наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка -  патент 2484188 (10.06.2013)
способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов -  патент 2482063 (20.05.2013)
способ получения наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка -  патент 2478740 (10.04.2013)
способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ получения монокристалла оксида цинка -  патент 2474625 (10.02.2013)
способ получения наноразмерных частиц сложных оксидов металлов -  патент 2461668 (20.09.2012)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2460830 (10.09.2012)
способ выращивания латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка -  патент 2418110 (10.05.2011)
способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, для спинтроники -  патент 2360317 (27.06.2009)

Класс C30B23/02 выращивание эпитаксиальных слоев

Патенты РФ в классе C30B23/02:
способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием -  патент 2516632 (20.05.2014)
способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка -  патент 2516557 (20.05.2014)
способ создания на подложках монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма -  патент 2507317 (20.02.2014)
композиционный оптический материал и способ его получения -  патент 2485220 (20.06.2013)
способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (sic)1-x(aln)x -  патент 2482229 (20.05.2013)
тигель для выращивания монокристаллического слитка карбида кремния с нитридом алюминия и гетероструктур на их основе -  патент 2425914 (10.08.2011)
способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия -  патент 2372101 (10.11.2009)
способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x -  патент 2333300 (10.09.2008)
буля нитрида элемента iii-v групп для подложек и способ ее изготовления и применения -  патент 2272090 (20.03.2006)
способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln -  патент 2260636 (20.09.2005)

Класс H01L33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Патенты РФ в классе H01L33/00:
способ изготовления стекловидной композиции -  патент 2529443 (27.09.2014)
светоизлучающий прибор и способ его изготовления -  патент 2528604 (20.09.2014)
светодиодный модуль с пассивным светодиодом -  патент 2528559 (20.09.2014)
способ изготовления органического светоизлучающего диода -  патент 2528128 (10.09.2014)
ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах -  патент 2528112 (10.09.2014)
люминесцентный преобразователь для усиленного люминофором источника света, содержащий органические и неорганические люминофоры -  патент 2526809 (27.08.2014)
конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке -  патент 2526344 (20.08.2014)
осветительное устройство с сид и передающим основанием, включающим люминесцентный материал -  патент 2525834 (20.08.2014)
эффективное светоизлучающее устройство и способ изготовления такого устройства -  патент 2525620 (20.08.2014)
светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства -  патент 2525325 (10.08.2014)

Класс H01S5/32 с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры

Патенты РФ в классе H01S5/32:
полупроводниковый лазер (варианты) -  патент 2529450 (27.09.2014)
инжекционный лазер -  патент 2444101 (27.02.2012)
инжекционный лазер -  патент 2443044 (20.02.2012)
резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения -  патент 2423764 (10.07.2011)
диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты) -  патент 2419934 (27.05.2011)
интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда -  патент 2400000 (20.09.2010)
диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения -  патент 2398325 (27.08.2010)
решетка лазерных диодов и способ ее изготовления -  патент 2396654 (10.08.2010)
диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель -  патент 2391756 (10.06.2010)
способ сборки лазерных структур на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора -  патент 2390893 (27.05.2010)


Наверх