способ полировки кристаллов хлорида серебра

Классы МПК:C30B33/10 в растворах или расплавах
C30B29/12 галогениды
H01L21/302 для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
G02B1/02 изготовленные из кристаллов, например каменной соли, из полупроводников
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2006-05-22
публикация патента:

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3) 3CNH3 в этаноле C 2H5OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Preparation of bulk oriented samples silver bromide and silver chloride single crystals. «Kristall und Technik», 10(3), 1975, 259-262, STN БД СА, AN 82:132176, abstract. РЕГЕЛЬ В.Р. и др. Выявление выходов дислокаций на поверхность кристалла методом травления. Обзор. «Кристаллография», т.4, вып.6, с.941.

Формула изобретения

Способ полировки кристаллов хлорида серебра, включающий абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку, отличающийся тем, что абразивная полировка с водным раствором тиосульфата натрия завершается промывкой обрабатываемого изделия в 30-40%-ном растворе 2-метил-2-аминопропана (CH 3)3CNH2 в этаноле С2Н3ОН.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике.

Хлорид серебра AgCl широко применяется для изготовления оптики инфракрасного диапазона. При изготовлении изделий из кристаллов AgCl основной проблемой является их механическая обработка. Хлорид серебра - очень мягкий и пластичный материал, из-за чего невозможна его механическая полировка с абразивами, являющаяся основным методом изготовления различных оптических элементов из других материалов.

Известен способ химико-механической полировки кристаллов AgCl [P.Glesecke, N.В.Colthup. Method of polishing silver chloride. Патент США №2528224 - прототип], включающий абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку.

Водный раствор тиосульфата натрия Na 2S2О3 хорошо растворяет хлорид серебра и таким образом первая стадия процесса является химико-механической полировкой.

Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что при перемещении изделия на сухой полировальник для финишной полировки не прекращается реакция тиосульфата натрия с хлоридом серебра, т.к. после первой стадии процесса на поверхности изделия остается нарушенный слой, впитавший водный раствор Na2S 2O3. В результате продолжает происходить неконтролируемое изменение геометрических характеристик (толщины, плоскостности поверхности) изделия, что делает невозможной высокоточную полировку. Кроме того, в результате реакции, описываемой уравнением

AgCl+2Na2S2O 3=Na3[Ag(S2 O3)2]+NaCl (1)

на поверхности изделия и в объеме нарушенного слоя образуются микрокристаллы хлорида натрия NaCl. Твердость хлорида натрия примерно в два раза выше, чем у хлорида серебра (твердости NaCl и AgCl, измеренные методом Кнуппа, соответственно равны 18,8 и 9,5 кгс/мм2 [А.А.Блистанов, В.С.Бондаренко, Н.В.Переломова и др., Акустические кристаллы. Справочник. М., «Наука», 1982, стр.54, 118]). Поэтому при сухой финишной полировке на поверхности изделия из хлорида серебра остаются царапины.

Промывка изделия после первой стадии полировки водой и другими растворителями тиосульфата натрия не прекращает реакции, описываемой уравнением (1), так как реакция идет не на поверхности, а в объеме нарушенного слоя.

Задачей предлагаемого способа является обеспечение высокоточной полировки изделий из кристаллов хлорида серебра и обеспечение высокого качества полированных поверхностей.

Эта задача решается в предлагаемом способе полировки кристаллов хлорида серебра, включающем абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку, за счет того, что абразивная полировка с водным раствором тиосульфата натрия завершается промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3) 3CNH2 в этаноле С 2Н5OH.

2-метил-2-аминопропан является эффективным ингибитором реакции тиосульфата натрия с хлоридом серебра и легко проникает в нарушенный слой на поверхности обрабатываемого изделия. Поэтому реакция, описываемая уравнением (1), прекращается практически мгновенно. В результате не происходит самопроизвольного изменение геометрических размеров изделия. Одновременно предотвращается образование микрокристаллов NaCl.

Предлагаемый способ позволяет полировать плоские поверхности изделий из кристаллов AgCl, обеспечивая допуски по толщине изделия до ±0,005 мм, а по отклонению от плоскостности - до 0,25 интерференционного кольца. При этом класс чистоты полированных поверхностей (по ГОСТ 11141-76) соответствует PIII. Достижение таких параметров было невозможно при использовании способа-прототипа.

Концентрация 2-метил-2-аминопропана в этаноле была выбрана экспериментально. При содержании (СН3) 3CNH2 менее 30% реакция хлорида серебра с тиосульфатом натрия замедляется, но не прекращается полностью. Увеличение содержания 2-метил-2-аминопропана в этаноле до уровня более 40% не дает дальнейшего положительного эффекта.

Пример 1

Заготовка из кристалла хлорида серебра в форме диска полируется на бархате с алмазным порошком АСМ 1/0 (ГОСТ 9206-80) и 20% водным раствором тиосульфата натрия. Сразу по окончании этой стадии процесса обрабатываемое изделие промывается в 30% растворе 2-метил-2-аминопропана в этаноле и подвергается сухой финишной полировке на шелке с алмазным порошком АСМ 0,5/0 (ГОСТ 9206-80). Изготовлено лазерное окно из AgCl.

Пример 2

Заготовка из кристалла хлорида серебра в форме диска полируется на бархате с алмазным порошком АСМ 1/0 (ГОСТ 9206-80) и 5% водным раствором тиосульфата натрия. Сразу по окончании этой стадии процесса обрабатываемое изделие промывается в 40% растворе 2-метил-2-аминопропана в этаноле и подвергается сухой финишной полировке на шелке с алмазным порошком АСМ 0,5/0 (ГОСТ 9206-80). Изготовлено лазерное окно из AgCl.

Класс C30B33/10 в растворах или расплавах

способ обработки оптических элементов из селенида цинка -  патент 2338014 (10.11.2008)
способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия -  патент 2319798 (20.03.2008)
способ травления монокристаллов танталата лития -  патент 2040601 (25.07.1995)
способ травления монокристаллов метаниобата лития -  патент 2039134 (09.07.1995)

Класс C30B29/12 галогениды

способ получения кристаллов галогенидов таллия -  патент 2522621 (20.07.2014)
кристаллы на основе бромида таллия для детекторов ионизирующего излучения -  патент 2506352 (10.02.2014)
сцинтиллятор для детектирования нейтронов и нейтронный детектор -  патент 2494416 (27.09.2013)
способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия -  патент 2487202 (10.07.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения -  патент 2484187 (10.06.2013)
способ получения фторидной нанокерамики -  патент 2436877 (20.12.2011)
неорганический сцинтилляционный материал, кристаллический сцинтиллятор и детектор излучения -  патент 2426694 (20.08.2011)
способ отжига кристаллов фторидов металлов группы iia -  патент 2421552 (20.06.2011)
способ изготовления монокристаллов фторидов кальция и бария -  патент 2400573 (27.09.2010)

Класс H01L21/302 для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

способ изготовления сквозных отверстий в кремниевой подложке -  патент 2525668 (20.08.2014)
способ изготовления микромеханического вибрационного гироскопа -  патент 2485620 (20.06.2013)
способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки -  патент 2483387 (27.05.2013)
способ полирования полупроводниковых материалов -  патент 2457574 (27.07.2012)
способ доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов -  патент 2411606 (10.02.2011)
способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои -  патент 2368703 (27.09.2009)
способ формирования висящих конструкций -  патент 2367591 (20.09.2009)
способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов -  патент 2337429 (27.10.2008)
способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия -  патент 2319798 (20.03.2008)
способ получения фотошаблонных заготовок -  патент 2307423 (27.09.2007)

Класс G02B1/02 изготовленные из кристаллов, например каменной соли, из полупроводников

монокристалл граната, оптический изолятор и оптический процессор -  патент 2528669 (20.09.2014)
способ получения поликристаллического оптического материала на основе оксидов -  патент 2522489 (20.07.2014)
пленки с переменным углом наблюдения из кристаллических коллоидных массивов -  патент 2504804 (20.01.2014)
оптический монокристалл -  патент 2495459 (10.10.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
плоская линза из лейкосапфира и способ ее получения -  патент 2482522 (20.05.2013)
способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов -  патент 2482063 (20.05.2013)
способ формирования термочувствительных нанокомпозиционных фотонных кристаллов -  патент 2467362 (20.11.2012)
способ получения оптической среды на основе наночастиц sio2 -  патент 2416681 (20.04.2011)
Наверх