дешифратор

Формула изобретения

Дешифратор, содержащий полевые транзисторы первого и второго типа проводимости, нулевой прямой, нулевой инверсный и первый, второй,..., n-й адресные входы, вход выбора режима, выводы питания первого и второго уровня напряжения, блок параллельно включенных n транзисторов с каналом первого типа проводимости, стоки которых соединены между собой и истоки соединены между собой, а затворы соединены с соответствующими n-ми адресными входами, первый и второй транзисторы с каналом первого типа проводимости, истоки которых соединены между собой, затворы соединены соответственно с нулевым прямым и нулевым инверсным адресными входами, и сток первого транзистора соединен со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, третий и четвертый транзисторы с каналом второго типа проводимости, затворы которых соединены с входом выбора режима, истоки - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток третьего транзистора - со стоком первого транзистора и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, и сток четвертого транзистора - со стоком второго транзистора, пятый транзистор с каналом первого типа проводимости и шестой транзистор с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками первого и третьего транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, а исток шестого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, седьмой транзистор с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками пятого и шестого транзисторов, восьмой транзистор с каналом первого типа проводимости и девятый транзистор с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом и со стоками второго и четвертого транзисторов, а исток девятого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, десятый транзистор с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками восьмого и девятого транзисторов, одиннадцатый транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, первый выходной буферный элемент, вход которого соединен со стоками пятого, шестого и седьмого транзисторов, а выход является первым выходом дешифратора, второй выходной буферный элемент, вход которого соединен со стоками восьмого, девятого и десятого транзисторов, а выход является вторым выходом дешифратора, отличающийся тем, что в него введен двенадцатый транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, сток - с истоком восьмого транзистора, а исток - с затворами пятого и шестого транзисторов, со стоками первого и третьего транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, причем сток одиннадцатого транзистора соединен с истоком пятого транзистора, исток - с затворами восьмого и девятого транзисторов, со стоками второго и четвертого транзисторов и с истоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, а истоки первого и второго транзисторов соединены с выводом питания второго уровня напряжения.

Описание изобретения к патенту

Предлагаемое изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении быстродействующих тактируемых запоминающих устройств большой емкости.

Известен дешифратор на КМДП транзисторах [а. с. №1113 853, СССР, G11C 8/00], содержащий управляющий вход, шину питания, шину нулевого потенциала, n входов, m выходов, полевые транзисторы первого и второго типа проводимости, соединенных в m n-входовых элементов ИЛИ-НЕ, один двухвходовой элемент И-НЕ, один инвертор и m элементов заряда.

Однако указанный дешифратор на КМДП транзисторах имеет высокий уровень помехи на своих выходах в выбранном режиме в виде напряжения высокого уровня на время переключения инвертора, двухвходового элемента И-НЕ и заряда узла выхода этого двухвходового элемента, к которому подключены затворы элементов заряда. Величина этого напряжения будет определяться напряжением источника питания и сопротивлением открытых параллельных транзисторов элемента ИЛИ-НЕ и транзистора элемента заряда. Время наличия этой помехи на выходе дешифратора на КМДП транзисторах может быть неопределенно большим, так как определяется нагрузочной способностью двухвходового элемента И-НЕ и нагрузкой на его выходе, которая может быть неопределенно большой, зависящей от сопротивления цепи соединения затворов элементов заряда и суммарной емкости этого узла. Присутствие этой помехи на выходах указанного дешифратора может привести к нарушению правильной работы устройств, для которых входными сигналами служат сигналы выходов дешифратора, что служит доказательством ненадежной работы дешифратора.

Кроме того, в этом дешифраторе через каждый невыбранный элемент ИЛИ-НЕ и соединенный с его выходом элемент заряда протекает ток потребления до момента полного закрытия транзисторов элемента заряда.

Ток потребления, протекающий через эти элементы, ужесточает режим их работы и приводит к возникновению паразитных эффектов схемы, что является прямым снижением надежности работы дешифратора на КМДП транзисторах.

Помимо этого, быстродействие указанного дешифратора определяется временем срабатывания инвертора, двухвходового элемента и заряда емкости узла, к которому подключены затворы элементов заряда. Так как число этих элементов может быть неопределенно большим, то и емкость этого узла может быть неопределенно высокой, а, следовательно, и быстродействие этой схемы - неопределенно низким.

Ко всему прочему, данный дешифратор содержит большее число транзисторов, так как увеличение числа адресных входов на один, требует в каждом элементе ИЛИ-НЕ дешифратора увеличения числа транзисторов на два.

Кроме того, известен дешифратор [патент №4401903, США, Н03К 19/094], являющийся прототипом предлагаемого изобретения и содержащий полевые транзисторы первого и второго типа проводимости, нулевой прямой А₀, нулевой инверсный и первые, вторые,..., n-ые прямые A₁ , A₂,..., A_n и инверсные , ,..., адресные входы, вход выбора режима СЕ, выводы питания первого V_DD и второго "ground" уровня напряжения, первый блок параллельно включенных n транзисторов T_11-1÷Т_11-n с каналом первого типа проводимости, стоки которых соединены между собой, истоки соединены между собой, а затворы соединены с соответствующими прямыми n-ми адресными входами A ₁, А₂,..., A_n , второй блок параллельно включенных n транзисторов T _21-1÷T_21-n с каналом первого типа проводимости, стоки которых соединены между собой, истоки соединены между собой и подсоединены к истокам транзисторов первого блока параллельно включенных n транзисторов, а затворы соединены с соответствующими инверсными n-ми адресными входами , ,..., , первый Т_11-0 и второй T _21-0 транзисторы с каналом первого типа проводимости, истоки которых соединены между собой и с истоками транзисторов первого и второго блоков параллельно включенных n транзисторов, затворы соединены, соответственно, с нулевым прямым и нулевым инверсным адресными входами, и сток первого транзистора, соединен со стоками транзисторов первого блока параллельно включенных n транзисторов, а сток второго транзистора - со стоками второго блока параллельно включенных n транзисторов, третий Т₁₂ и четвертый T₂₂ транзисторы с каналом второго типа проводимости, затворы которых соединены с входом выбора режима, истоки - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток третьего транзистора - со стоком первого транзистора и со стоками транзисторов первого блока параллельно включенных n транзисторов, и сток четвертого транзистора - со стоком второго транзистора и со стоками второго блока параллельно включенных n транзисторов, пятый транзистор Т₁₄ с каналом первого типа проводимости и шестой транзистор T ₁₅ с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками первого и третьего транзисторов и со стоками транзисторов первого блока параллельно включенных n транзисторов, исток пятого транзистора - со стоками второго и четвертого транзисторов и со стоками транзисторов второго блока параллельно включенных n транзисторов, а исток шестого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, седьмой транзистор T₁₆ с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками пятого и шестого транзисторов, восьмой транзистор Т₂₄ с каналом первого типа проводимости и девятый транзистор Т₂₅ с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками второго и четвертого транзисторов, со стоками транзисторов второго блока параллельно включенных n транзисторов и с истоком пятого транзистора, исток восьмого - со стоками первого и третьего транзисторов, со стоками первого блока параллельно включенных n транзисторов и с затворами пятого и шестого транзисторов, а исток девятого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, десятый Т ₂₆ транзистор с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками восьмого и девятого транзисторов, одиннадцатый транзистор T₁₃ , затвор которого соединен с входом выбора режима, сток - с истоками первого и второго транзисторов и с истоками транзисторов первого и второго блоков параллельно включенных n транзисторов, а исток с выводом питания второго уровня напряжения, первый выходной буферный элемент IV₁, вход которого соединен со стоками пятого, шестого и седьмого транзисторов, а выход является первым выходом дешифратора, второй выходной буферный элемент IV₂, вход которого соединен со стоками восьмого, девятого и десятого транзисторов, а выход является вторым выходом дешифратора.

Однако, указанный дешифратор в выбранном режиме имеет высокий уровень помехи, возникающей на одном из выходов WL, в виде импульса высокого уровня напряжения, когда оба выхода должны остаться в невыбранном состоянии. Данная помеха возникает, когда на адресные входы A₁ ÷A_n и подана такая комбинация уровней напряжений входных сигналов, что хотя бы один из них имеет напряжение высокого уровня в момент поступления сигнала СЕ высокого уровня напряжения.

Данная схема дешифратора допускает шунтирование узлов (N ₁₁) и (N₁₂) на вывод питания второго уровня напряжения через открытый транзистор Т ₁₃ и через различное количество транзисторов первого и второго блоков параллельно включенных n транзисторов. Поэтому время разряда этих узлов из напряжения высокого уровня в напряжение низкого уровня будет различным, и величина этого различия будет определяться различием количества шунтирующих транзисторов в каждом блоке. Это позволяет напряжению низкого уровня, появившемуся раньше другого, поступить на вход выходного буферного элемента, например, через открытый транзистор Т₁₄ (или Т₂₄) до появления на его затворе отстающего напряжения низкого уровня, которое должно его закрыть и не допустить подобное проникновение. Так как величина этого отставания может быть неопределенно большой, выходной буферный элемент может переключиться и передать напряжение недостоверного уровня на выход WL₁ (или WL ₂) дешифратора, что нарушает его правильное функционирование и, следовательно, правильное функционирование устройств, для которых входными сигналами служат выходные сигналы дешифратора. Тем самым нарушается надежность работы дешифратора. Например, если дешифратор используется в запоминающем устройстве, в котором адресные шины матрицы запоминающих элементов подсоединены к выходам дешифратора, может произойти одновременный выбор нескольких адресных шин, что, в свою очередь, приведет к сбою чтения (или записи) информации в этом запоминающем устройстве.

Кроме того, в указанной схеме дешифратора в цепи разряда между узлом входа первого (или второго) выходного буферного элемента и узлом N ₂₁ (или N₁₁) включен только один транзистор Т₁₄ (или T₂₄ ), что допускает быстрое проникновение напряжения низкого уровня через этот открытый транзистор и усугубляет ситуацию возникновения импульса помехи.

Помимо этого, известный дешифратор содержит большее количество элементов при любом n>1 и требует большего количества коммутационных связей. Так как ни один физический объект не может обладать абсолютной надежностью, то использование при создании любого устройства большего количества компонентов и связей между ними снижает надежность работы этого устройства.

Все вышесказанное свидетельствует о недостаточной надежности этого дешифратора.

Кроме того, наличие двух блоков параллельно включенных n транзисторов увеличивает массогабаритные показатели дешифратора при любом n>1.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение надежности дешифратора и снижение массогабаритных показателей.

Поставленная задача достигается тем, что в дешифратор, содержащий полевые транзисторы первого и второго типа проводимости, нулевой прямой, нулевой инверсный и первый, второй,..., n-ый адресные входы, вход выбора режима, выводы питания первого и второго уровня напряжения, блок параллельно включенных n транзисторов с каналом первого типа проводимости, стоки которых соединены между собой и истоки соединены между собой, а затворы соединены с соответствующими n-ми адресными входами, первый и второй транзисторы с каналом первого типа проводимости, истоки которых соединены между собой, затворы соединены соответственно с нулевым прямым и нулевым инверсным адресными входами и сток первого транзистора соединен со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, третий и четвертый транзисторы с каналом второго типа проводимости, затворы которых соединены с входом выбора режима, истоки - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток третьего транзистора со стоком первого транзистора и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, и сток четвертого транзистора - со стоком второго транзистора, пятый транзистор с каналом первого типа проводимости и шестой транзистор с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками первого и третьего транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, а исток шестого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, седьмой транзистор с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками пятого и шестого транзисторов, восьмой транзистор с каналом первого типа проводимости и девятый транзистор с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом и со стоками второго и четвертого транзисторов, а исток девятого транзистора соединен с выводом питания первого уровня напряжения, десятый транзистор с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, исток - с выводом питания первого уровня напряжения, а сток - со стоками восьмого и девятого транзисторов, одиннадцатый транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, первый выходной буферный элемент, вход которого соединен со стоками пятого, шестого и седьмого транзисторов, а выход является первым выходом дешифратора, второй выходной буферный элемент, вход которого соединен со стоками восьмого, девятого и десятого транзисторов, а выход является вторым выходом дешифратора, введен двенадцатый транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима, сток - с истоком восьмого транзистора, а исток - с затворами пятого и шестого транзисторов, со стоками первого и третьего транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, причем сток одиннадцатого транзистора соединен с истоком пятого транзистора, исток - с затворами восьмого и девятого транзисторов, со стоками второго и четвертого транзисторов и с истоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов, а истоки первого и второго транзисторов соединены с выводом питания второго уровня напряжения.

На чертеже приведен предлагаемый дешифратор, реализованный на КМОП транзисторах, в котором в качестве полевых транзисторов с каналом первого типа проводимости использованы N-канальные МОП транзисторы, а в качестве полевых транзисторов с каналом второго типа проводимости - Р-канальные МОП транзисторы, на выводы питания первого и второго уровней напряжения поданы напряжения, соответственно, высокого и низкого уровней, а выходные буферные элементы выполнены в виде инверторов на КМОП транзисторах.

Предлагаемый дешифратор содержит: полевые транзисторы первого и второго типа проводимости, нулевой прямой 1, нулевой инверсный 2 и первый, второй,..., n-ый 3 адресные входы, вход выбора режима 4, выводы питания первого 5 и второго 6 уровня напряжения, блок параллельно включенных n транзисторов 7 с каналом первого типа проводимости, стоки которых соединены между собой и истоки соединены между собой, а затворы соединены с соответствующими n-ми адресными входами 3, первый 8 и второй 9 транзисторы с каналом первого типа проводимости, истоки которых соединены с выводом питания второго уровня напряжения 6, затворы соединены соответственно с нулевым прямым 1 и нулевым инверсным 2 адресными входами и сток первого транзистора 8 соединен со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, а сток второго транзистора 9 - с истоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, третий 10 и четвертый 11 транзисторы с каналом второго типа проводимости, затворы которых соединены с входом выбора режима 4, истоки - с выводом питания первого уровня напряжения 5, а сток третьего транзистора 10 со стоком первого транзистора 8 и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, и сток четвертого транзистора 11 - со стоком второго транзистора 9 и с истоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, пятый транзистор 12 с каналом первого типа проводимости и шестой транзистор 13 с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками первого 8 и третьего 10 транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, а исток шестого транзистора 13 соединен с выводом питания первого уровня напряжения 5, седьмой транзистор 14 с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима 4, исток - с выводом питания первого уровня напряжения 5, а сток - со стоками пятого 12 и шестого 13 транзисторов, восьмой транзистор 15 с каналом первого типа проводимости и девятый транзистор 16 с каналом второго типа проводимости, стоки которых соединены друг с другом, затворы соединены друг с другом, со стоками второго 9 и четвертого 11 транзисторов и с истоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, а исток девятого транзистора 16 соединен с выводом питания первого уровня напряжения 5, десятый транзистор 17 с каналом второго типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима 4, исток - с выводом питания первого уровня напряжения 5, а сток - со стоками восьмого 15 и девятого 16 транзисторов, одиннадцатый транзистор 18 с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима 4, сток - с истоком пятого транзистора 12, исток - с затворами восьмого 15 и девятого 16 транзисторов, со стоками второго 9 и четвертого 11 транзисторов и истоками транзисторов блока параллельно включенных п транзисторов 7, двенадцатый 19 транзисторы с каналом первого типа проводимости, затвор которого соединен с входом выбора режима 4, сток - с истоком восьмого транзистора 15, исток - с затворами пятого 12 и шестого 13 транзисторов, со стоками первого 8 и третьего 10 транзисторов и со стоками транзисторов блока параллельно включенных n транзисторов 7, первый выходной буферный элемент 20, вход которого соединен со стоками пятого 12, шестого 13 и седьмого 14 транзисторов, а выход является первым выходом 21 дешифратора, второй выходной буферный элемент 22, вход которого соединен со стоками восьмого 15, девятого 16 и десятого 17 транзисторов, а выход является вторым выходом 23 дешифратора.

Допускается другое выполнение выходных буферных элементов. Например, в виде инверсного буферного каскада построенного на нечетном количестве последовательно соединенных инверторов, в виде повторителя построенного на четном количестве последовательно соединенных инверторов или в виде низкоомного проводника, элемента памяти и т.д.

Дешифратор работает следующим образом.

В исходном состоянии, которому соответствует невыбранный режим, на входе выбора режима 4 и на адресных входах нулевом прямом 1 и нулевом инверсном 2 установлено напряжение низкого уровня. На адресных входах 3 блока 7 уровень напряжения может быть любым, от низкого до высокого, или даже третье состояние, т.е. состояние высокого сопротивления выхода. N-канальные МОП транзисторы 8, 9,18 и 19 закрыты, а Р-канальные МОП транзисторы 10, 11, 14 и 17 открыты напряжением низкого уровня, поступающим на их затворы. Через открытые транзисторы 10, 11, 14 и 17 в узлах, к которым подключены стоки этих транзисторов, установлено напряжение высокого уровня, которое поступает на входы выходных буферных элементов 20 и 21 и удерживает N-канальные МОП транзисторы 12 и 15 в открытом состоянии, а Р-канальные МОП транзисторы 13 и 16 в закрытом. В результате того, что на входах выходных буферных элементов 20 и 21 напряжение высокого уровня, на их выходах 21 и 23 установлено напряжение низкого уровня, что соответствует невыбранному состоянию выходов 21 и 23 дешифратора.

Для изменения режима работы дешифратора на выбранный режим необходимо на адресных входах 1, 2, 3 установить необходимую комбинацию уровней напряжений адресных сигналов и подать на вход выбора режима 4 напряжение высокого уровня.

Переключение выхода 21 дешифратора в состояние выбора, чему соответствует появление на нем напряжения высокого уровня, требует такой комбинации уровней напряжений адресных сигналов на адресных входах 1, 2 и 3, чтобы все N-канальные МОП транзисторы блока 7 и транзистор 8 были закрыты, а транзистор 9 - открыт. Так как на вход выбора режима 4 поступает напряжение высокого уровня, транзисторы 10, 11, 14 и 17 закрываются, а транзисторы 18 и 19 открываются. При этом транзистор 13 удерживается в закрытом состоянии, а транзистор 12 - в открытом емкостью узла, к которому подключены их затворы. В то же время узел, к которому подключены затворы транзисторов 15 и 16 и исток транзистора 18, через открытый транзистор 9, разряжается до напряжения низкого уровня и транзистор 15 закрывается, а транзистор 16 открывается. Напряжение высокого уровня, поступающее через открытый транзистор 16 на вход второго выходного буферного элемента 22, сохраняет на его выходе напряжение низкого уровня и выход 23 дешифратора остается в невыбранном состоянии. Одновременно напряжение низкого уровня, поступающее на исток транзистора 18, через открытые транзисторы 18 и 12, разряжает емкость узла, к которому подключен вход первого выходного буферного элемента 20, до напряжения низкого уровня. При этом первый выходной буферный элемент 20 переключается и на его выходе устанавливается напряжение высокого уровня, что соответствует выбранному состоянию первого выхода 21 дешифратора.

Переключение выхода 23 дешифратора в состояние выбора, чему соответствует появление на нем напряжения высокого уровня, требует такой комбинации уровней напряжений адресных сигналов на адресных входах 1, 2 и 3, чтобы все N-канальные МОП транзисторы блока 7 и транзистор 9 были закрыты, а транзистор 8 - открыт. Так как на вход выбора режима 4 поступает напряжение высокого уровня, транзисторы 10, 11, 14 и 17 закрываются, а транзисторы 18 и 19 открываются. При этом транзистор 16 удерживается в закрытом состоянии, а транзистор 15 - в открытом емкостью узла, к которому подключены их затворы. В то же время узел, к которому подключены затворы транзисторов 12 и 13 и исток транзистора 19, через открытый транзистор 8 разряжается до напряжения низкого уровня и транзистор 12 закрывается, а транзистор 13 открывается. Напряжение высокого уровня, поступающее через открытый транзистор 13 на вход первого выходного буферного элемента 20, сохраняет на его выходе напряжение низкого уровня и выход 21 дешифратора остается в невыбранном состоянии. Одновременно напряжение низкого уровня, поступающее на исток транзистора 19, через открытые транзисторы 19 и 15, разряжает емкость узла, к которому подключен вход второго выходного буферного элемента 22, до напряжения низкого уровня. При этом второй выходной буферный элемент 22 переключается и на его выходе устанавливается напряжение высокого уровня, что соответствует выбранному состоянию второго выхода 23 дешифратора.

Для реализации состояния дешифратора, в котором в выбранном режиме оба выхода и 21 и 23 остаются в невыбранном состоянии, то есть на них сохраняется напряжение низкого уровня, необходимо на адресных входах 1, 2 и 3 установить такую комбинацию уровней напряжений адресных сигналов, чтобы хотя бы один из транзисторов блока 7 и один из транзисторов 8 или 9 были открыты и подать на вход выбора режима 4 напряжение высокого уровня.

В случае, когда открыт транзистор 8 и, соответственно, транзистор 9 закрыт, реализация данного режима происходит следующим образом.

Как было сказано ранее, транзисторы 8 и один или n транзисторов блока 7 открыты напряжениями высокого уровня, поступающими на их затворы по соответствующим адресным входам 1 и 3. Так как на затвор транзистора 9 поступает напряжение дополняющего низкого уровня, то транзистор 9 закрыт этим напряжением. Напряжение высокого уровня, поступающее по входу выбора режима 4 на затворы транзисторов 10, 11, 14 и 17, закрывает эти транзисторы. Одновременно это же напряжение поступает на затворы транзисторов 18 и 19 и открывает их. При этом через открытый транзистор 8 емкость узла, к которому подсоединен его сток, разряжается до напряжения низкого уровня, которое, в свою очередь, поступает на стоки транзисторов блока 7, транзистора 10, затворы транзисторов 12 и 13 и исток транзистора 19. Это напряжение закрывает транзистор 12, открывает транзистор 13 и поступает через открытые транзисторы блока 7 и транзистор 19 на истоки транзисторов блока 7 и транзисторов 15 и 18, затворы транзисторов 15 и 16 и стоки транзисторов 9 и 11. При этом транзистор 15 закрывается, а транзистор 16 открывается. Поэтому напряжение высокого уровня через открытые транзисторы 13 и 16 поступает, соответственно, на входы выходных буферных элементов 20 и 22, тем самым, удерживая на их выходах напряжение низкого уровня, т.е. выходы 21 и 23 дешифратора сохраняются в невыбранном состоянии.

В другом случае, когда открыт транзистор 9 и транзистор 8 закрыт, на их затворы по адресным входам 2 и 1 поступают напряжения, соответственно, высокого и низкого уровней. Поэтому через открытый транзистор 9, узел, к которому подсоединен сток этого транзистора, разряжается до напряжения низкого уровня, которое, в свою очередь, поступает на истоки транзисторов блока 7, сток транзистора 11, затворы транзисторов 15 и 16 и исток транзистора 18. Это напряжение закрывает транзистор 15, открывает транзистор 16 и поступает через открытые транзисторы блока 7 и транзистор 18 на стоки транзисторов блока 7 и истоки транзисторов 12 и 19, затворы транзисторов 12 и 13 и стоки транзисторов 8 и 10. При этом транзистор 12 закрывается, а транзистор 13 открывается. Поэтому напряжение высокого уровня через открытые транзисторы 13 и 16 поступает, соответственно, на входы выходных буферных элементов 20 и 22, тем самым, удерживая на их выходах напряжение низкого уровня, т.е. выходы 21 и 23 дешифратора сохраняются в невыбранном состоянии.

Так как узлы схемы дешифратора, к которым подключены стоки транзисторов 8 и 10, затворы транзисторов 12 и 13, исток транзистора 19 и стоки транзисторов 9 и 11, затворы транзисторов 15 и 16 и исток транзистора 18, шунтируются одинаковым количеством транзисторов блока 7, то исключается возможность большого рассогласования времени разряда этих узлов, что повышает надежность дешифратора.

Кроме того, любой полевой транзистор, работающий в ключевом режиме, имеет конечное время пропускания сигнала через себя, величина которого зависит от характеристик этого транзистора. Поэтому размещение транзисторов 18 и 19 между истоками транзисторов 12 и 15 и узлами, к которым подключены стоки и истоки блока 7, вносит дополнительное препятствие проникновению импульсов помехи на входы выходных буферных элементов 20 и 22, что повышает надежность дешифратора.

Помимо этого, в предлагаемом дешифраторе используется только один блок параллельно включенных n транзисторов, вместо двух у прототипа, что уменьшает количество используемых элементов при любом n>1 для построения дешифратора и, следовательно, повышает надежность его работы и уменьшает его массогабаритные показатели.

Таким образом, в предлагаемом дешифраторе повышена надежность его работы и в то же время уменьшены его массогабаритные показатели.