способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности

Формула изобретения

Способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности, включающий измерения m-характеристик переходов, отличающийся тем, что измерение m-характеристик переходов приборов проводят в диапазоне прямого тока (1-110 мА) трижды: до, после воздействия 5-15 электростатических разрядов в прямом и обратном направлениях на каждый переход напряжением, равным допустимому значению по техническим условиям (ТУ), и после термического отжига в течение 4-8 ч, а температуру отжига рассчитывают по формуле

T _отж=T_доп+R_T·P,

где Т _отж и Т_доп - температура отжига и максимально допустимая по ТУ, R_т - тепловое сопротивление кристалл - корпус, Р - предельно допустимая по ТУ мощность прибора,

и на основе трех значений m-характеристик, удовлетворяющих выражению 1 m А, проводят отбор приборов, где величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа прибора.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), и может быть использовано для выделения из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известно [1], что любая представительная выборка при выпуске полупроводниковых приборов состоит из трех различных по надежности групп: группа, характеризуемая интенсивностью отказов, то есть надежностью, точно соответствующая требованиям технических условий (ТУ) на приборы, группа - более надежная и группа приборов, менее надежная по сравнению с требованиями ТУ.

Наиболее близким по технической сущности является способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью m-характеристик [2], в котором критерий потенциальной надежности приборов имеет значение

1 m 2,

т.е. полупроводниковые приборы с данной величиной m-характеристики будут соответствовать по надежности требованиям ТУ.

Недостатком данного способа является невозможность отбора группы приборов с повышенной относительно требований ТУ надежностью. Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей диагностических способов.

Это достигается тем, что m-характеристики полупроводниковых приборов измеряются в диапазоне прямого тока (1-110 мА) до, после воздействия электростатических разрядов (ЭСР) и после термического отжига.

Электростатические разряды (в количестве 5-15), подаются в прямом и обратном направлении на каждый переход, напряжением, равным допустимому потенциалу, указанному в ТУ. Термический отжиг проводится при температуре, равной

Т_отж=Т_доп+R_т·Р,

где Т_отж и Т_доп - соответственно температура отжига и максимально допустимая внешняя температура, указываемая в ТУ; R_т - тепловое сопротивление кристалл-корпус и Р - предельно допустимая мощность прибора, указываемая в ТУ.

Время отжига берется 4-8 часов. После воздействия ЭСР величина m-характеристики, как правило, возрастает, а после термического отжига - уменьшается.

По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерий для измеренных трех значений нехарактеристики (до, после ЭСР и после отжига), т.е.

1 m A,

где величина А, меньшая значения 2, устанавливается на основе статистики.

Предложенная методика разделения была апробирована на транзисторах КТ503Б (маломощных кремниевых транзисторах n-р-n-типа). Измерение m-характеристики проводилось на токах от 1 мА до 110 мА.

Значения m-характеристики при всех измерениях во всем диапазоне тока не являются линейной постоянной величиной, а имеют минимумы и максимумы, которые могут не совпадать при указанных трех измерениях.

Максимальные значения m-характеристик для трех измерений представлены в табл.

№ прибора	Максимальные значения m-характеристик при измерениях
	начальном	после ЭСР	после отжига
1	1,65	1,6	1,45
2	1,45	1,52	1,34
3	1,38	1,41	1,28
4	1,32	1,32	1,32
5	1,27	1,32	1,3
6	1,2	1,45	1,3
7	1,3	1,4	1,35
8	1,28	1,53	1,4
9	1,38	1,6	1,48
10	1,25	1,35	1,2

Если принять критерий для m-характеристик в случае транзисторов КТ503Б: 1 m 1,4, то транзисторы №4, 5, 7, 10 будут иметь повышенную надежность.

Источники информации

1. Асауленко Ю.Б., Чуварыгин Б.В. Анализ возможностей отбраковочных испытаний комплектующих элементов РЭА // Надежность и контроль качества. 1989. №11. с.26-32.

2. ОСТ 11073.043-75. Приборы полупроводниковые и микросхемы интегральные. Метод контроля качества с помощью m-характеристик.