фотоприемник (варианты)
| Классы МПК: | H01L31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов |
| Автор(ы): | Шестаков Н.П., Иваненко А.А., Сысоев А.М. |
| Патентообладатель(и): | Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН |
| Приоритеты: |
подача заявки:
2001-11-23 публикация патента:
20.02.2004 |
Изобретение относится к оптоэлектронике, голографии, интерферометрии, спектроскопии Фурье и предназначено для электронного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз световых волн. Фотоприемник, содержащий фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, выполнен из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше 
min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше min/2, или больше 0/2 и не кратную 0/2, где min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника, 0 - рабочая длина волны фотоприемника. Технический результат - упрощение оптической схемы, уменьшение габаритов оптических приборов. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14
min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше min/2, или больше 0/2 и не кратную 0/2, где min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника, 0 - рабочая длина волны фотоприемника. Технический результат - упрощение оптической схемы, уменьшение габаритов оптических приборов. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.
Формула изобретения
1. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньшеmin/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше min/2, где min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника.2. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше 0/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину больше 0/2 и не кратную 0/2, где 0 - рабочая длина волны фотоприемника.
Описание изобретения к патенту
Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)иКласс H01L31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
