пленка из поли ( ,,,- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием

Классы МПК:	C08J5/18 изготовление пленок или листов C08G61/02 содержащие только атомы углерода в основной цепи макромолекулы, например поликсилилены H01L21/76 получение изоляционных областей между компонентами H01L49/02 тонкопленочные или толстопленочные приборы
Автор(ы):	Кардаш И.Е. (RU), Пебалк А.В. (RU), Маилян К.А. (RU), Чвалун С.Н. (RU), ТАКАХАСИ Акио (JP), САТСУ Юичи (JP), НАКАЙ Харуказу (JP)
Патентообладатель(и):	Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно- исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU), ХИТАЧИ, ЛТД. (JP)
Приоритеты:	подача заявки: 2001-07-27 публикация патента: 10.12.2003

Изобретение относится к изолирующим пленкам, которые применяются в области электроники и электронных приборов, к процессу получения этих пленок и к полупроводниковому прибору, в котором эта пленка применяется. Пленку из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218227/697.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">-тетрафторпараксилилена) получают сублимацией октафторпарациклофана при 30-70^oС и давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. до образования газообразного продукта с последующим пиролизом при 680-770^oС и скорости потока из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,0060 г/мин, конденсацией с одновременной полимеризацией на подложке полученного в зоне пиролиза пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218227/697.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">-тетрафторпараксилилена при (-40)-(+20)(С и скорости формирования полимерного слоя 0,26-0,29 мкм/мин. Далее осуществляют термообработку полученной пленки путем ступенчатого нагрева при температуре 200-400^oС с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. в инертной атмосфере или на воздухе. Пленка имеет значения диэлектрической константы не более 2,5 и потери массы менее чем 0,05% после, по крайней мере, около 1 часа нагрева при температуре около 400^oС. Пленка по изобретению используется в полупроводниковом приборе. Прибор выполняют из полупроводниковой подложки, на поверхности которой формируют первый слой межсоединений, изолирующую пленку из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218227/697.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">-тетрафторпараксилилена), пленку из окиси кремния и второго слоя межсоединений, электрически соединенного с первым слоем межсоединений через сквозные отверстия в пленке из окиси кремния и изолирующей пленке. Изобретение позволяет получить полимерную пленку, имеющую низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость. 3 с. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14, Рисунок 15, Рисунок 16, Рисунок 17, Рисунок 18, Рисунок 19, Рисунок 20, Рисунок 21, Рисунок 22, Рисунок 23, Рисунок 24, Рисунок 25

Формула изобретения

1. Способ получения пленки из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена), заключающийся в том, что осуществляют сублимацию 1,1,2,2,9,9,10,10-октафтор[2,2]парациклофана при 30-70°С и давлении 0,001-0,1 мм рт.ст. до образования газообразного 1,1,2,2,9,9,10,10-октафтор[2,2]парациклофана, пиролиз при 680-770°С и скорости потока из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,0060 г/мин, конденсацию с одновременной полимеризацией на подложке полученного в зоне пиролиза пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена при (-40) - (+20)°С и скорости формирования полимерного слоя 0,26-0,29 мкм/мин, причем стадии пиролиза и полимеризации проводят при пониженном давлении, с последующей термообработкой полученной пленки из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена) путем ступенчатого нагрева при температуре от 200 до 400°С с чередованием нагрева и выдержки при постоянной температуре в шесть стадий при давлении 0,001-0,1 мм рт. ст. в инертной атмосфере или на воздухе.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку осуществляют при давлении 0,001-0,1 мм рт. ст. или в инертной атмосфере путем нагрева пленки из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена) на первой стадии до 200°С при скорости подъема температуры не более 5°С/мин, выдержки на второй стадии при 200°С не менее 30 мин, нагрева на третьей стадии до 380°С при скорости подъема температуры не более 1°С/мин и выдержки на четвертой стадии при 380°С не менее 60 мин, нагрева на пятой стадии до 400°С при скорости подъема температуры не более 0,5°С/мин и выдержки на шестой стадии при 400°С не менее 60 мин.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку осуществляют на воздухе путем нагрева пленки из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена) на первой стадии до 200°С при скорости подъема температуры не более 10°С/мин, выдержки на второй стадии при 200°С не менее 15 мин, нагрева на третьей стадии до 380°С при скорости подъема температуры не более 3°С/мин, выдержки на четвертой стадии при 380°С не менее 30 мин, нагрева на пятой стадии до 400°С при скорости подъема температуры не более 1,0°С/мин и выдержки на шестой стадии при 400°С не менее 30 мин.

4. Пленка из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена) со значением диэлектрической константы не более 2,5 и потерей массы менее 0,05% после по крайней мере около 1 ч нагрева при температуре около 400°С, полученная способом по пп. 1-3.

5. Полупроводниковый прибор, выполненный из полупроводниковой подложки, на поверхности которой формируется первый слой межсоединений, изолирующей пленки из поли( пленка из поли ( <img src=

- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием, патент № 2218364" SRC="/images/patents/250/2218056/945.gif" ALIGN="ABSMIDDLE">"-тетрафторпараксилилена) по п.4, полученной способом по пп.1-3 и сформированной на поверхности первого слоя межсоединений, пленки из окиси кремния, сформированной на изолирующей пленке, и второго слоя межсоединений, сформированного на пленке из окиси кремния и электрически соединенного с первым слоем межсоединений через сквозные отверстия в пленке из окиси кремния и изолирующей пленки.

6. Полупроводниковый прибор по п.5, отличающийся тем, что он дополнительно содержит тонкую пленку слоя сопротивления, сформированную на пленке из окиси кремния и выполненную из смеси хрома и окиси кремния.

7. Полупроводниковый прибор по пп.5 и 6, отличающийся тем, что первый и второй слои межсоединений сформированы из алюминия.

Описание изобретения к патенту

Текси описания в факсимильном виде (см. графическую часть).

Класс C08J5/18 изготовление пленок или листов

прозрачные пленки - патент 2528728 (20.09.2014)
фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером - патент 2528397 (20.09.2014)

водорастворимая биодеградируемая съедобная упаковочная пленка - патент 2525926 (20.08.2014)
полиэтиленовая пленка с высокой прочностью на растяжение и высокой энергией разрыва при растяжении - патент 2524948 (10.08.2014)
слоистый материал для многослойного стекла и межслойная пленка для многослойного стекла - патент 2523814 (27.07.2014)
способ получения трудногорючих полимерных изделий на основе полиэтилентерефталата с биоцидными свойствами - патент 2522634 (20.07.2014)
ориентированная в машинном направлении пленка для этикеток - патент 2522454 (10.07.2014)
микроперфорированная полимерная пленка и способы ее изготовления и применения - патент 2522441 (10.07.2014)
композиция для получения гидрофобных огне- и водостойких пленок на основе поливинилового спирта (варианты) - патент 2520489 (27.06.2014)
технологическая добавка для термопластичных полиуретанов - патент 2520441 (27.06.2014)

Класс C08G61/02 содержащие только атомы углерода в основной цепи макромолекулы, например поликсилилены

нанокомпозиционный полимерный материал и способ его получения - патент 2523548 (20.07.2014)
способ получения поли[(r)карбинов] (r=h, алкил, арил) - патент 2466150 (10.11.2012)
способ получения композиционного градиентного тонкопленочного материала и материал на основе полипараксилилена - патент 2461576 (20.09.2012)
способ получения пленок полипараксилилена и его производных - патент 2461429 (20.09.2012)
новые материалы для покрытий офсетных печатных форм, офсетные печатные формы и покрытия, содержащие эти материалы, способы получения и применение - патент 2443683 (27.02.2012)
изделия с покрытием - патент 2413746 (10.03.2011)
способ получения жидкокристаллической полимерной пленки - патент 2317313 (20.02.2008)
способ получения пористой пленки из поли (, , ', '-тетрафторпараксилилена) и пористая пленка - патент 2268900 (27.01.2006)
способ получения полимерных материалов, содержащих частицы металлов и их оксидов нанометрового размера - патент 2266920 (27.12.2005)
пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием - патент 2218365 (10.12.2003)

Класс H01L21/76 получение изоляционных областей между компонентами

способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора - патент 2528574 (20.09.2014)
способ изготовления структуры кремния на изоляторе - патент 2412504 (20.02.2011)
способ формирования полупроводниковых структур - патент 2393585 (27.06.2010)
способ формирования полной диэлектрической изоляции элементов в полупроводнике - патент 2373604 (20.11.2009)
способ изготовления полупроводникового прибора - патент 2302055 (27.06.2007)
способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) - патент 2260874 (20.09.2005)
способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) - патент 2248069 (10.03.2005)
способ изготовления кремниевых пленок - патент 2240630 (20.11.2004)
пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием - патент 2218365 (10.12.2003)
способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов - патент 2207659 (27.06.2003)

Класс H01L49/02 тонкопленочные или толстопленочные приборы

структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати - патент 2335826 (10.10.2008)
электролюминесцентное устройство - патент 2295175 (10.03.2007)
пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием - патент 2218365 (10.12.2003)
способ детектирования газовых смесей - патент 2146816 (20.03.2000)
полупроводниковый термопреобразователь сопротивления - патент 2145135 (27.01.2000)
способ изготовления интегрального датчика - патент 2123220 (10.12.1998)
способ нанесения пленок - патент 2102814 (20.01.1998)