многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом

Классы МПК:H01L23/48 приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Болтовец Николай Силович (UA),
Веремейченко Георгий Никитович (UA),
Коростинская Тамара Васильевна (UA)
Приоритеты:
подача заявки:
2000-05-22
публикация патента:

Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2: 1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11

Формула изобретения

Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношением

многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844

где многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844 - коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/ммногослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844К;

b - постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры

многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844

многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 22178440 - коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/ммногослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844К;

Т1 - температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;

Т2 - температура наружной поверхности барьерного слоя, К;

Р - тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;

многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 2217844 - плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;

D - коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;

t - время наработки прибора на отказ, ч;

многослойная контактная система к кремниевой структуре с   мелкозалегающим p-n переходом, патент № 22178440 - концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;

Q - количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл - барьерный слой, атом/м2.

Описание изобретения к патенту

Таблицы

Класс H01L23/48 приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы

модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии -  патент 2504864 (20.01.2014)
многокристальный корпус и способ предоставления в нем взаимных соединений между кристаллами -  патент 2498452 (10.11.2013)
системная плата, включающая модуль над кристаллом, непосредственно закрепленным на системной плате -  патент 2480862 (27.04.2013)
выводная рамка для свч и квч полупроводникового прибора -  патент 2456703 (20.07.2012)
межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме -  патент 2449418 (27.04.2012)
полупроводниковое устройство -  патент 2447540 (10.04.2012)
индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы -  патент 2411610 (10.02.2011)
способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения -  патент 2392690 (20.06.2010)
силовой полупроводниковый прибор с полностью прижимными контактами -  патент 2384915 (20.03.2010)
многоконтактное гибридное соединение -  патент 2383966 (10.03.2010)
Наверх