способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером шоттки

Формула изобретения

Способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки, при котором измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода диода при различных температурах, отличающийся тем, что измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода указанного диода при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока, для температур Т₁ и Т₂ определяют по ним напряжение U₁ и U₂ на n-p переходе указанного диода и вычисляют величину потенциального барьера диода с барьером Шоттки _b по формуле



где

Т - температура, К;

е - заряд электрона, е= 1,60210^-19 Дж/Кл;

k - постоянная Больцмана, k= 1,380610^-23 Дж/Кл;

n - показатель идеальности, зависящий от концентрации легирующей примеси;

_b - высота потенциального барьера диода с барьером Шоттки, В.

Описание изобретения к патенту

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).