способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода

Классы МПК:C30B33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
C30B15/04 с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов
C30B29/06 кремний
B28D5/00 Способы и устройства для тонкой обработки драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA)
Приоритеты:
подача заявки:
2000-11-01
публикация патента:

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения. Сущность изобретения: способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода включает определение концентрации углерода на нижнем торце слитка, образовавшегося после отделения нижней конусной части слитка, и последующее отделение нижней части слитка с концентрацией углерода, превышающей заданную. Указанное отделение части слитка осуществляют на расстоянии от нижнего торца, равном

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611

где С1 - концентрация углерода на образовавшемся нижнем торце слитка; С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала; М1 - масса слитка от его начала до нижнего торца слитка; Мзагрузки - масса загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла; k - эффективный коэффициент распределения примеси углерода; D - средний диаметр слитка; способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - плотность кремния. Доверительный интервал способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 определяют согласно неравенства Чебышева P(C2-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611Cспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611C2+способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611)способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111-1/способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112 (2), где С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала, равная разности заданной концентрации примеси углерода и произведения способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611; С - концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка после отрезания части слитка; способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - корень квадратный из дисперсии, найденной из сравнения расчетных и экспериментальных данных; способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - положительное число, которое для заданной вероятности Р= способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 вычисляется согласно формуле способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611а = 1/(1-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112)1/2 (3). Заявляемый способ обеспечивает достаточно точное, в соответствии с заданной вероятностью, определение длины слитка монокристалла кремния, которую необходимо отрезать. При этом процесс значительно упрощается за счет снижения длительности и трудоемкости, а также снижаются возможные потери кремния. 1 з.п. ф-лы.

Формула изобретения

1. Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода, включающий определение концентрации углерода на нижнем торце слитка и последующее отделение нижней части слитка с концентрацией углерода, превышающей заданную, отличающийся тем, что предварительно определяют массу загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла, затем измеряют средний диаметр слитка и массу слитка от его начала до нижнего торца, образовавшегося после удаления нижней конусной части слитка, а отделение указанной части слитка осуществляют на расстоянии от нижнего торца, равном

L= { M1-Mзагрузки[1-(C2/C1)1/k-1(1-M1Mзагрузки)] } /0,25способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611D2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, (1),

где С1 - концентрация углерода на образовавшемся нижнем торце слитка;

С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала;

М1 - масса слитка от его начала до нижнего торца слитка;

Мзагрузки - масса загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла;

k - эффективный коэффициент распределения примеси углерода;

D - средний диаметр слитка;

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - плотность кремния.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доверительный интервал способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 определяют согласно неравенству Чебышева

P(C2-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611Cспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611C2+способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611)способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111-1/способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112, (2)

где С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала, равная разности заданной концентрации примеси углерода и произведения способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611;

С - концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка после отрезания части слитка;

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - корень квадратный из дисперсии, найденной из сравнения расчетных и экспериментальных данных,

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - положительное число, которое для заданной вероятности P= способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, вычисляется согласно формуле

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611а = 1/(1-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112)1/2. (3)

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения.

Одним из существенных факторов, определяющих качество слитков монокристаллов кремния, является концентрация примеси углерода, однако, в зависимости от условий выращивания монокристаллов по методу Чохральского и исходного сырья содержание углерода в нижней части слитка может превышать заданное значение.

В связи с этим существует необходимость создания новых и совершенствования известных способов выделения той части слитка, в которой концентрация примеси углерода не превышала бы заданную.

Наиболее близким и выбранным в качестве прототипа является способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода, который включает определение концентрации углерода на нижнем торце слитка и последующее отделение той части слитка, в которой концентрация примеси углерода выше заданной (см. ЕР 0137209, М. кл. С 30 В 15/00, 29/04, 15/04, 17.04.1985).

Однако способ имеет некоторые существенные недостатки, основным из которых является произвольное определение длины части слитка с концентрацией углерода, превышающей заданную, которую необходимо отрезать. Это может привести к снижению точности отрезания, что в свою очередь при поточном производстве приводит к длительности, трудоемкости процесса, а также к возможным потерям кремния.

Задачей данного изобретения является создание способа выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода, в котором путем введения новых операций обеспечивается более точное определение длины части слитка, которую необходимо отрезать, и за счет этого упрощение процесса, уменьшение длительности и трудоемкости процесса, а также экономия кремния.

Поставленная задача достигается тем, что в способе выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода, включающем определение концентрации углерода на нижнем торце слитка и последующее отделение нижней части слитка с концентрацией углерода, превышающей заданную, согласно изобретению, предварительно определяют массу загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла, затем измеряют средний диаметр слитка и массу слитка от его начала до нижнего торца, образовавшегося после удаления нижней конусной части слитка, а отделение указанной части слитка осуществляют на расстоянии от нижнего торца, равном:

L={M1-Mзaгpузки[1-(C2/C1)1/k-1(1-M1/Mзагрузки)]}/0,25способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611D2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, (1),

где C1 - концентрация примеси углерода на образовавшемся нижнем торце слитка,

С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала,

M1 - масса слитка от его начала до нижнего торца слитка,

Мзагрузки - масса загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла,

k - эффективный коэффициент распределения примеси углерода,

D - средний диаметр слитка,

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - плотность кремния.

При этом, доверительный интервал - способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 определяют согласно неравенства Чебышева

P(C2-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611Cспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611C2+способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611)способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111-1/способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112, (2)

где С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала, равная разности заданной концентрации примеси углерода и произведения способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611,

С - концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка после отрезания части слитка,

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - корень квадратный из дисперсии, найденной из сравнения расчетных и экспериментальных данных,

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - положительное число, которое для заданной вероятности Р=способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 вычисляется согласно формуле

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 = 1/(1-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112)1/2 (3)

Авторами установлено, что в тех случаях, когда концентрация углерода в слитке монокристалла превышает заданную, можно выполнить расчет длины той части слитка, в пределах которой концентрация превышает заданную и которая должна быть отрезана. Расчет этой длины производят согласно формуле, следующей из широко известной аналитической зависимости распределения примеси углерода по длине слитка.

Согласно этой зависимости, распределение примеси углерода по длине слитка (без учета ее испарения) соответствует:

C=kC0(1-g)k-1, (4),

где С - концентрация примеси углерода в слитке,

С0 - исходная концентрация примеси углерода в расплаве,

k - эффективный коэффициент распределения примеси углерода,

g - доля закристаллизовавшегося расплава.

Доля закристаллизовавшегося расплава для произвольно выбранного поперечного сечения слитка может быть представлена в виде соотношения

g=М/Мзагрузки, (5),

где М - масса слитка от начала монокристалла до этого сечения,

Мзагрузки - масса загрузки шихты в тигле.

Концентрацию углерода для двух различных поперечных сечений слитка можно определить по формулам:

C1=kC0(1-M1/Mзагрузки)k-1, (6)

C2=kC0(1-M2/Mзагрузки)k-1, (7)

где M1 и М2 - масса слитка от начала монокристалла до соответствующего сечения. Таким образом, измерив концентрацию углерода в одном сечении слитка, можно рассчитать концентрацию углерода в другом его сечении по формуле:

C12=[(1-M1/Mзагрузки)/(1-M2/Mзагрузки)]k-1 (8).

Так как концентрация углерода является максимальной на нижнем торце слитка, то измерение концентрации углерода производят после отрезания нижнего конуса на нижнем торце слитка.

Если концентрация углерода в торце слитка после отрезания нижней конической части выше заданной, то согласно указанной формуле (8) выполняют расчет длины части слитка (L), которую необходимо отрезать.

Определив M2 = способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611D2Lспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611/4,

где D - средний диаметр слитка,

L - длина слитка, которую необходимо отрезать,

способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - плотность кремния,

получают из формулы (8) следующее, указанное выше, выражение

L={M1-Mзагрузки[1-(C2/C1)l/k-l(1-M1/Mзагрузки)]}/0,25способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611D2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, (1)

где C1, C2, M1, Мзагрузки имеют значения, указанные выше.

Чтобы учесть случайные факторы, имеющие место в производственном процессе, расчет длины согласно формуле (1) необходимо скорректировать. Это достигается посредством сравнения расчетных и экспериментальных данных и определения соответствующей погрешности и доверительного интервала. Для оценки вероятности попадания случайной величины С (концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка после выполнения операции отрезания части слитка) в заданный интервал без использования конкретного вида функции плотности вероятности, если известны средние значения С2 и дисперсия способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112, использовали неравенство Чебышева. Вероятность того, что случайная величина С не отличается от своего среднего значения С2 на величину, большую способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, то есть, что она находится внутри интервала C2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, оценивается согласно неравенства (2):

P(C2-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611Cспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611C2+способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611)способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111-1/способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112,

где способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 - положительное число, указанное выше.

Для каждой вероятности P = способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 определяют такое число способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611a>0, когда будет выполняться указанное неравенство, из которого следует, что способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611a = 1/(1-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112)1/2.

Задав определенную величину вероятности и зная дисперсию, вычисляют величину С2 с учетом доверительного интервала как C2=Cзаданное-способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611.

Подставив полученное значение С2 и измеренные C1, M1, Мзагрузки и D в формулу (1), определяют длину слитка, которую будут отрезать и в которой концентрация примеси углерода превышает заданную.

Экспериментально подтверждено, что для вычисленной дисперсии и заданной вероятности в результате выполнения отрезания части слитка, согласно заявленной формуле, в которой концентрация примеси углерода превышает заданную, концентрация углерода на нижнем торце слитка находится в пределах доверительного интервала в соответствии с заданной вероятностью и не превышает заданную.

Благодаря этому может быть также осуществлен расчет длин слитка, которые имеют концентрацию углерода, соответствующую различным заданным величинам, то есть монокристалл можно сразу разрезать на несколько частей с заданными величинами концентрации углерода в каждой.

Способ осуществляют следующим образом.

В слитке монокристалла кремния, выращенном по методу Чохральского, удаляют нижнюю коническую часть. На образовавшемся торце слитка определяют концентрацию углерода, например спектральным методом. Затем определяют средний диаметр цилиндрической части слитка и массу слитка от его начала до нижнего торца слитка.

Величину С2 вычисляют как разницу между Сзаданным и произведением способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, определенным для заданной вероятности. Коэффициент k равен 0,07. Подставив необходимые величины в формулу (1), вычисляют длину части слитка, которую затем отрезают.

Суть способа поясняется примером конкретного выполнения.

Пример.

Предварительно из сравнения расчетных данных согласно формуле (8), где M2 = способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611D2Lспособ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611/4 и экспериментальных данных, которые представляют собой измеренные значения концентрации углерода С2 и С1, а также измеренные значения M1, D - средний диаметр слитка, L - длина части слитка, которую отрезали, нашли для массива из 30 полученных экспериментальных данных дисперсию, корень квадратный из которой равен способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611=0,2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 ат/см3. Эту величину использовали при дальнейшем определении доверительного интервала.

Задали вероятность правильного выполнения операции отрезания части слитка, в которой концентрация примеси выше заданной, равной 90% или 0,9.

Из уравнения (3) находим способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611a=1/(1-0,9)2)1/2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936113, и доверительный интервал в этом случае будет способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611=способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936110,2способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936113=способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936110,6способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 ат/cм3.

Из шихты, с массой загрузки, равной 30 кг, методом Чохральского вырастили монокристалл кремния массой 25 кг (M1).

Сначала отрезали нижнюю коническую часть слитка и на образовавшемся торце измерили спектральным методом концентрацию примеси углерода (C1).

Для полученного монокристалла С1 равно 7способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 ат/см3.

Согласно заданию из этого слитка необходимо выделить ту его часть, в которой концентрация примеси углерода была бы ниже 5способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 ат/см3. Для этого сначала измерили средний диаметр цилиндрической части слитка (D).

D составил 153 мм.

k - известное значение для коэффициента распределения примеси углерода, равное 0,07, способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 равно 2330 кг/см3, значение С2 выбирали равным заданной величине концентрации углерода, уменьшенной на величину способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611, то есть С2=5-0,6= 4,4способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 aт/cм3.

Подставили указанные величины в формулу (1) и вычислили L:

L = {25-30способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611[1-(4,4способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016/7способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016)1-0,07 способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 2193611 (1-25/30)]}/0,25способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936113,14способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111532способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936112330 = 75 мм.

Таким образом, отрезали на расстоянии 75 мм от нижнего торца часть слитка монокристалла, а затем спектральным методом измерили концентрацию углерода на образовавшемся после отрезания торце слитка. Она составила 4,9способ выделения части слитка выращенного монокристалла   кремния с заданной концентрацией примеси углерода, патент № 21936111016 aт/cм3.

Таким образом, заявляемый способ обеспечивает достаточно точное, в соответствии с заданной вероятностью, определение длины слитка монокристалла кремния, которую необходимо отрезать. При этом процесс значительно упрощается за счет снижения длительности и трудоемкости, а также снижаются возможные потери кремния.

Благодаря этому создается возможность одновременного разрезания слитка монокристалла кремния на несколько частей с заданной концентрацией примеси углерода в каждой, что также является существенным преимуществом способа.

Класс C30B33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором -  патент 2524941 (10.08.2014)
способ обработки цилиндрических поверхностей сапфировых деталей, сапфировая плунжерная пара и насос-дозатор на ее основе -  патент 2521129 (27.06.2014)
монокристаллический алмазный материал -  патент 2519104 (10.06.2014)
способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт -  патент 2497981 (10.11.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза -  патент 2489532 (10.08.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой -  патент 2485222 (20.06.2013)
лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения -  патент 2484187 (10.06.2013)

Класс C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля -  патент 2527790 (10.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
способ получения слоев карбида кремния -  патент 2520480 (27.06.2014)
устройство и способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений -  патент 2507320 (20.02.2014)
способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления -  патент 2507319 (20.02.2014)
способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) -  патент 2507318 (20.02.2014)
сцинтиллятор для детектирования нейтронов и нейтронный детектор -  патент 2494416 (27.09.2013)
способ выращивания кристалла методом киропулоса -  патент 2494176 (27.09.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)

Класс C30B15/04 с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
способ получения кристаллов кремния -  патент 2473719 (27.01.2013)
способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации -  патент 2367730 (20.09.2009)
способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната -  патент 2328561 (10.07.2008)
серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов -  патент 2324018 (10.05.2008)
способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов -  патент 2321689 (10.04.2008)
способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния -  патент 2250275 (20.04.2005)
способ выращивания кристаллов -  патент 2248418 (20.03.2005)
способ получения сцинтилляционного монокристалла лютеций- иттриевого алюмината -  патент 2233916 (10.08.2004)

Класс C30B29/06 кремний

способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля -  патент 2527790 (10.09.2014)
способ прямого получения поликристаллического кремния из природного кварца и из его особо чистых концентратов -  патент 2516512 (20.05.2014)
способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) -  патент 2507318 (20.02.2014)
аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния -  патент 2495164 (10.10.2013)
способ получения столбчатых монокристаллов кремния из песка и устройство для его осуществления -  патент 2488650 (27.07.2013)
способ получения поликристаллического кремния -  патент 2475570 (20.02.2013)
способ получения поликристаллического кремния -  патент 2475451 (20.02.2013)
способ получения кристаллов кремния -  патент 2473719 (27.01.2013)
способ получения нанокристаллического кремния -  патент 2471709 (10.01.2013)
реактор для поликристаллического кремния и способ получения поликристаллического кремния -  патент 2470098 (20.12.2012)

Класс B28D5/00 Способы и устройства для тонкой обработки драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов

Наверх