ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

микроэлектронная структура на основе "кремний-диэлектрик" для изготовления полупроводниковых приборов и способ ее получения

Классы МПК:H01L21/18 приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
Автор(ы):, , , , , , ,
Патентообладатель(и):Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
Центр технологий микроэлектроники
Приоритеты:
подача заявки:
2002-01-08
публикация патента:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. Технический результат изобретения - обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия, а также упрощение технологии его изготовления. Сущность: микроэлектронная структура включает кремнийсодержащую полупроводниковую подложку, неорганический и органический полиимидный диэлектрики. Органический диэлектрик сформирован из полиимида с жесткоцепной структурой. Подложка и диэлектрики сформированы с образованием трехслойной планарной сэндвич-композиции с последовательно расположенными на подложке слоями неорганического диэлектрика и органического полиимидного диэлектрика. Толщина слоя органического полиамидного диэлектрика с жесткоцепной структурой составляет 1-40 нм. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Рисунки к патенту РФ 2193255

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники и могут быть использованы при изготовлении различных микроэлектронных приборов - микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др.

Известна микроэлектронная структура (МЭС) на основе "кремний-диэлектрик" для изготовления полупроводниковых приборов, содержащая кремниевую подложку и планарно нанесенные на нее локальные области неорганического диэлектрика - диоксида кремния (см., например, US 5966617, H 01 L 21/465, 1999). Для использования в электретных интегральных приборах на кремнийсодержащую подложку планарно нанесен слой оксида кремния с разорванными микроэлектронная структура на основе Siмикроэлектронная структура на основе или микроэлектронная структура на основе Siмикроэлектронная структура на основе - связями, служащими в качестве центров захвата заряда (JP 9283373, H 01 G 7/02, 1997).

Однако данные структуры нестабильны: их электрические характеристики подвержены флуктуациям не только при изменении температуры и влажности окружающей среды, но и при нормальных условиях эксплуатации.

С целью уменьшения флуктуации в динамике работы слой неорганического диэлектрика, выполненный из окисла кремния, покрыт слоем кремнийорганического диэлектрика - полисилоксана - продукта разложения гексаметилдисилазана (ГМДС) - с образованием сэндвич-композиции (US 5486423, В 32 В 15/04, Н 05 Н 1/24, 1996; US 5950101, H 01 L 21/469, 1999). Слой полисилоксана гидрофобизирует внешнюю поверхность микроэлектронной структуры, что имеет следствием снижение и стабилизацию ее поверхностной проводимости.

Однако нанесенный слой полисилоксана является непрочным, что может привести к разрушению целевого изделия. Кроме того, данная структура имеет узкий интервал рабочих температур.

Наиболее близкой к заявляемой является МЭС для изготовления полупроводниковых приборов, включающая кремнийсодержащую полупроводниковую подложку, на которую нанесены локальные области неорганического кремнийсодержащего и органического полиимидного диэлектриков с образованием планарной композиции (US 6150274, H 01 L 21/47, 2000).

Однако информации, содержащейся в описании прототипа, недостаточно для изготовления данной микроэлектронной структуры, поскольку в данном источнике не указан используемый класс полиимидов, что существенно для получения целевого изделия с требующимися значениями технических характеристик надежности, диапазона рабочих температур, электрической стабильности и т.д. Очевидно, что химическая формула используемого в прототипной МЭС полиимида является объектом ноу-хау.

Технической задачей предлагаемой МЭС является обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия.

Решение указанной технической задачи заключается в том, что в микроэлектронную структуру для изготовления полупроводниковых приборов, включающую кремнийсодержащую полупроводниковую подложку, неорганический и органический полиимидный диэлектрики, вносятся следующие изменения:

1) органический диэлектрик сформирован из полиимида с жесткоцепной структурой;

2) подложка и диэлектрики сформированы с образованием трехслойной планарной сэндвич-композиции с последовательно расположенными на подложке слоями неорганического диэлектрика и органического полиимидного диэлектрика;

3) толщина слоя органического полиимидного диэлектрика с жесткоцепной структурой составляет 1-40 нм.

Использование жесткоцепного полиимида является новым, поскольку слой такого полиимида толщиной 40 нм и менее нельзя сформировать без дефектов на твердой поверхности путем нанесения под действием центробежной силы, как это описано в (US 6150274, H 01 L 21/47, 2000) из-за плохой способности жесткоцепного полиимида образовывать сплошное тонкопленочное покрытие. Именно поэтому в прототипе слой полиимида наносят толщиной не менее 500 нм (5000 микроэлектронная структура на основе ).

Предлагаемое техническое решение основано на впервые установленном авторами неизвестном ранее явлении стабилизации электрических характеристик переходным барьером, образованным между неорганическим и органическим полиимидным с жесткоцепной структурой диэлектриками сэндвич-композиции. Это явление наблюдается для диапазона толщин органического диэлектрика с жесткоцепной структурой от 1 до 40 нм. Нанесение меньших толщин для данной композиции нетехнологично в отношении надежности и воспроизводимости целевого изделия. Увеличение толщины слоя органического полиимидного диэлектрика свыше 40 нм сложно в технологическом отношении и приводит к ухудшению степени адгезии данного слоя к неорганическому диэлектрику. Кроме того, при использовании предлагаемой структуры в электретных элементах начальное распределение центроида электрического заряда находится также в данном диапазоне толщин используемого органического диэлектрика.

При техническом осуществлении предлагаемой структуры подложка может быть выполнена из Si или SiC. В качестве неорганического кремнийсодержащего диэлектрика могут использоваться SiO, SiO2 и Si2N4, а в качестве органического полиимидного диэлектрика, как проиллюстрировано в приведенных ниже примерах, наиболее целесообразно использовать имидизированную пленку Ленгмюра-Блоджетт из полиимидного преполимера - алкиламмонийной соли полиамидокислоты. Данный диэлектрик известен из (Polyamic Acids and Polyimids // Ed. by Bessonov M. I. and Zubkov V. A. London; Tokyo; Boca Raton: CRS Press. 1993). Он является жесткоцепным полиимидом со структурной формулой:

микроэлектронная структура на основе

В полиимиде формулы (1) жесткоцепная структура обусловлена отсутствием гибкой, например, атомарной кислородной, развязки между ароматическими ядрами в цепях.

Возможно также использование других полиимидов с жесткоцепной структурой, например:

микроэлектронная структура на основе

(Soon-Wook Jeong, Hyun-Sung Lim. A study on the preparation of aromatic polyimide Langmuir-Blodgett films.//Synthetic Metals 123, 2001, 183-187).

Единственно известный способ получения микроэлектронной структуры на основе "кремний-диэлектрик" для изготовления полупроводниковых приборов, включающей кремнийсодержащую полупроводниковую подложку, неорганический и органический полиимидный диэлектрики, является (US 6150274, H 01 L 21/47, 2000). Согласно данному способу целевое изделие получают последовательным нанесением неорганического и органического полиимидного диэлектриков на кремнийсодержащую полупроводниковую подложку с последующим твердением и планаризацией. При этом полиимидный диэлектрик наносят под действием центробежной силы, а операцию планаризации производят с помощью плазмохимической, а затем химико-механической обработки.

Однако известный способ является весьма трудоемким и, как пояснено выше, принципиально неприемлемым для нанесения тонкопленочного слоя полиимида.

Технической задачей способа является его упрощение, а также обеспечение возможности нанесения тонкопленочного слоя полиимида.

Для решения указанной технической задачи в способ получения микроэлектронной структуры, предусматривающий последовательное нанесение неорганического кремнийсодержащего и органического полиимидного диэлектриков на кремнийсодержащую полупроводниковую подложку с последующим твердением и планаризацией целевого изделия, вносятся следующие изменения:

1) органический диэлектрик наносят в виде пленки Ленгмюра-Блоджетт (ПЛБ), выполненной из полиимида с жесткоцепной структурой;

2) операцию планаризации и твердения проводят совместно путем имидизации нанесенной пленки Ленгмюра-Блоджетт.

Режимный параметр толщины ПЛБ от 1 до 40 нм, существенный для целевого изделия, в формуле изобретения на способ не указан, поскольку надежно нанести ПЛБ можно только в данном диапазоне толщин.

Техническое решение, относящееся к способу, основано на впервые установленном авторами вышеуказанном явлении стабилизации электрических характеристик сформированного таким образом целевого изделия. При этом упрощение способа достигается тем, что технология Ленгмюра-Блоджетт принципиально является планаризующей, вследствие чего нет необходимости в проведении плазмохимического и химико-механического полирования. Кроме того, толщина одного слоя пленки Ленгмюра-Блоджетт здесь ~0,4 нм, что обеспечивает возможность регулирования толщины полиимидного покрытия изменением количества наносимых слоев.

Для формирования органического диэлектрика из полиимида со структурной формулой (1) пленку Ленгмюра-Блоджетт наносят из гребнеобразного полиимидного преполимера - алкиламмонийной соли полиамидокислоты.

При использовании получаемой МЭС для изготовления электрета ее электризуют из расчета разности потенциалов подложки и внешней поверхности слоя полиимида до -700 В.

На фиг. 1 приведена схема предлагаемой микроэлектронной структуры; на фиг. 2 приведены графики изменения поверхностного сопротивления вариантов предлагаемых МЭС и их аналогов в зависимости от изменения влажности; на фиг. 3 приведена схема микроэлектронного микрофона с использованием предлагаемой МЭС в конструкции звуковой мембраны.

В табл. 1 и 2 приведены результаты испытания динамики снижения поверхностного потенциала МЭС в зависимости от влажности окружающей среды.

Предлагаемая микроэлектронная структура (фиг. 1) состоит из кремнийсодержащей полупроводниковой подложки 1, слоя неорганического кремнийсодержащего диэлектрика 2 и слоя органического полиимидного диэлектрика 3 с жесткоцепной структурой, последовательно нанесенных на подложку 1 с образованием планарной сэндвич-композиции. Толщина слоя органического полиимидного диэлектрика 3 составляет от 1 до 40 нм.

Изготовление и результаты использования вариантов предлагаемой структуры по разному назначению иллюстрируются нижеследующими примерами.

Пример 1. Полупроводниковые подложки 1 толщиной 0,2-0,4 мм, выполненные из Si, SiC и ZnS, планарно покрывают слоем неорганического диэлектрика 2 из SiO, SiO2, Si3N4, Al2О3 и A1N толщиной 0,5-1,0 мкм. При этом слой из SiO формируют плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилоксана при температуре подложки 150oС, слой SiO2 формируют термическим окислением при 1100o С в течение 1 ч в комбинированном режиме "сухой" - "влажный" - "сухой", а слои из Si3N4 и A1N - реактивным ВЧ-магнетронным распылением при температуре подложки 600oС.

На слой 2 наносят слой органического полиимидного диэлектрика 3 с жесткоцепной структурой. Для этого на наружной поверхности неорганического диэлектрика 2 первоначально формируют пленку Ленгмюра-Блоджетт из алкиламмонийной соли полиамидокислоты со структурой:

микроэлектронная структура на основе

Поверхность неорганического диэлектрика 2 предварительно очищают кипячением в аммиачно-перекисном растворе и споласкивают деионизованной водой с удельным сопротивлением 18 МОммикроэлектронная структура на основе см. Очищенные подложки погружают в ванну установки Ленгмюра-Блоджетт (RU 2137250, H 01 L 21/208, 1999), заполненную деионизованной водой с указанным удельным сопротивлением. Процесс ведут при комнатной температуре в помещении класса 100 полупроводникового производства. На поверхность воды наносят раствор алкиламмонийной соли полиамидокислоты в смеси растворителей диметилацетамида и бензола в объемном соотношении 1: 1 с концентрацией 0,33 ммоль/л. Время испарения растворителя - 30 мин. Скорость сжатия монослоя барьерами установки Ленгмюра-Блоджетт составляет 1 см/мин. Монослой сжимают до поверхностного давления 35 мН/м. При этом в течение 30 мин происходит стабилизация монослоя. Далее монослой переносят на наружный слой неорганического диэлектрика при движении подложки вверх-вниз через поверхность воды, покрытую монослоем наносимого материала. Скорость движения подложки - 0,2 см/мин. Поверхностное давление в процессе переноса монослоев регулируют в диапазоне 35микроэлектронная структура на основе 0,2 мН/м. Количество перенесенных монослоев в пленке 3 равно количеству проходов подложки через поверхность воды, покрытую монослоем. В данном примере наносят 5 монослоев пленки Ленгмюра-Блоджетт, что обеспечивает после проведения операции имидизации толщину пленки 3, равную 2 нм. Нанесенную пленку Ленгмюра-Блоджетт имидизируют с помощью термической обработки при температуре 350o С в течение 30 минут. После имидизации получают партии целевых изделий фиг. 1 с подложками 1 и неорганическими диэлектриками 2, в которых слой органического полиимидного диэлектрика 3 имеет структурную формулу (1).

Партии по 10 изделий каждого из полученных вариантов площадью 25 мм2 испытывают на электрическую стабильность в электретном состоянии. С этой целью изделия электризуют в коронном разряде до величины поверхностного потенциала -300 В. Половину изделий каждой партии выдерживают при комнатной температуре и низкой относительной влажности микроэлектронная структура на основе н = 30микроэлектронная структура на основе 5%, а другую половину - при той же температуре и высокой относительной влажности микроэлектронная структура на основе в = 95микроэлектронная структура на основе 5%. Результаты испытаний приведены в табл. 1.

Из таблицы видно, что:

1) у образцов, сформированных с кремнийсодержащими (Si и SiC) подложкой 1 и неорганическим (SiO, SiO2 и Si3N4) слоем 2, в условиях нормальной влажности поверхностный потенциал снижается не более чем на 0,4 и 11,2% в течение 1 и 60 суток соответственно, а в условиях высокой влажности поверхностный потенциал снижается, соответственно, не более чем на 1,2 и 24,3%;

2) у образцов, сформированных с кремнийсодержащей подложкой 1 и неорганическим слоем 2, выполненным из A1N, поверхностный потенциал снижается в условиях нормальной влажности на 10,2 и 27,3% в течение 1 и 60 суток соответственно, а в условиях высокой влажности поверхностный потенциал снижается, соответственно, на 18,2 и 36,7%;

3) у образцов, сформированных с некремнийсодержащей подложкой 1 (из ZnS) и диэлектрическим слоем 2, выполненным из кремнийсодержащего (SiO) и некремнийсодержащего (Al2O3), поверхностный потенциал снижается в условиях нормальной влажности не более чем на 9,7 и 45,9% в течение 1 и 60 суток соответственно, а в условиях высокой влажности поверхностный потенциал снижается, соответственно, на 16,1 и 58,6%.

Пример 2. Целевые изделия получают как в примере 1 на кремниевой подложке 1 с использованием диоксида кремния в качестве диэлектрика 2. Слой органического диэлектрика 3 формируют толщиной от 0,4 до 60 нм из полиимидов со структурными формулами (1) и (2). При этом полиимид структурной формулы (2) наносят в виде пленки Ленгмюра-Блоджетт из алкиламмонийной соли полиамидокислоты со структурой:

микроэлектронная структура на основе

Скорость сжатия монослоя барьерами установки Ленгмюра-Блоджетт составляет 1 см/мин. Монослой сжимают до поверхностного давления 27 мН/м. Поверхностное давление в процессе переноса монослоев регулируют в диапазоне 27микроэлектронная структура на основе 0,2 мН/м. Количество перенесенных монослоев - из расчета требуемой толщины элемента 3. Нанесенную пленку Ленгмюра-Блоджетт имидизируют с помощью термической обработки при температуре 250o С в течение 30 минут.

В качестве контролей изготавливают трехслойную планарную сэндвич-структуру согласно фиг. 1, где слой 3 выполнен из полисилоксановой пленки, полученной из паров диметилдихлорсилана (ДМДХС) и ГМДС.

Испытания проводят как в примере 1 после электризации изделий (по 5 шт. в партии) в коронном разряде до величины поверхностного потенциала -500 В.

Результаты систематизированы в табл. 2. Как видно из таблицы, при толщине слоя 3 менее 1 нм происходит интенсивное стекание заряда (до 19 и 52% в течение 2 мес при нормальной и высокой влажности соответственно), из-за имеющих место нарушений целостности данного слоя. При толщине слоя 3 более 40 нм снижение поверхностного потенциала резко увеличивается, достигая в течение 2 мес 13 и 29% в сухом помещении и 37 и 52% в условиях высокой влажности для образцов, покрытых полиамидной пленкой 3 с использованием материалов по формулам (1) и (2) соответственно. При этом, как отмечено выше, получение пленки 3 с толщиной более 40 нм нетехнологично из-за резкого снижения адгезионной способности и локализации заряда. При толщине слоя 3 в заявленных пределах 1-40 нм снижение поверхностного потенциала предлагаемых структур в течение 2 мес составляет 9 и 17% в сухом помещении и 26 и 36% в условиях высокой влажности для образцов, покрытых полиимидной пленкой 3 с использованием материалов по формулам (1) и (2) соответственно.

Из сопоставительного анализа изделий со слоем 3, выполненным из полиимида и полсилоксана, в адекватных условиях (при толщине слоя 3, равной 5 нм), согласно критерию Стьюдента, наблюдается статистически значимое различие падения поверхностного потенциала предлагаемых и контрольных образцов. В этом случае через 2 мес поверхностный потенциал предлагаемой микроэлектронной структуры падает не более чем на 9 и 28% при относительной влажности 30 и 95% соответственно, тогда как падение поверхностного потенциала в контрольных образцах соответственно составляет 14-16 и 36-44%.

Из сравнения образцов со слоем полиимида 3, выполненным согласно формулам (1) и (2), видно, что первые из них на 10-33% более стабильны.

Пример 3. Предлагаемые МЭС получают на кремниевой подложке как в примере 2 с толщиной слоя 3, равной 5 нм. Слой 2 формируют из SiO2. В качестве контрольных образцов изготавливают трехслойные планарные сэндвич-структуры, в которых слой 3 выполнен из полисилоксановой пленки, полученной из паров ДМДХС и ГМДС.

Испытания проводят на стабильность удельного поверхностного сопротивления микроэлектронная структура на основе (R/микроэлектронная структура на основе ) в зависимости от изменения относительной влажности окружающей среды. Поверхностное сопротивление образцов измеряют в геометрии электродов встречно-штыревых преобразователей при комнатной температуре и относительной влажности от 30 до 95%. Результаты приведены в виде графиков на фиг. 2.

На фиг. 2 приняты следующие обозначения кривых изменения удельного поверхностного сопротивления: 1 - МЭС со слоем 3 из полиимида формулы (1); 2 - то же со слоем 3 из полсилоксана, полученного из паров ГМДС; 3 - то же из паров ДМДХС; 4 - то же без слоя 3. По оси абсцисс указана относительная влажность, по оси ординат - значения lgмикроэлектронная структура на основе . Размерность микроэлектронная структура на основе - [Ом].

Как видно из графиков фиг. 2, образцы предлагаемых МЭС являются наиболее стабильными: у них lgмикроэлектронная структура на основе равен 16,2 и 15,8 при относительной влажности 30 и 90% соответственно; дифференциал изменения поверхностного сопротивления (в lg) микроэлектронная структура на основе =16,2-15,8=0,4. У образцов с ГМДС и ДМДХС микроэлектронная структура на основе = 0,7 и 1,3 соответственно, а у образцов без слоя 3 этот показатель дрейфует от 15,9 до 14,1 (микроэлектронная структура на основе =15,9-14,1=1,8).

Пример 4. Из образцов предлагаемой МЭС изготавливают звуковоспринимающие мембраны микромеханического микрофона. В их конструкции используют МЭС со слоем 2 из SiО2 толщиной 500 нм и слоем 3 из полиимида с жесткоцепной структурой формулы (1) толщиной 20 нм. В контрольных образцах используют МЭС тех же значений размерных параметров, в которой слой 3 выполнен из полиимида, не обладающего жесткоцепной структурой. Такой полиимид наносят в виде ПЛБ из соли полиамидокислоты - [4] октадецилдиметиламина полипиромеллитамида, где циклические кольца связаны через кислород (Климов Б.Н., Науменко Г. Ю., Воронцова Н.Н. и др. Получение и исследование физико-химических свойств пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе соли полиамидокислоты. - "Материалы электронной техники", 2001, 1, с. 35-38).

Для проведения испытаний изготавливают микромеханические микрофоны фиг. 3 следующим образом:

В подложке 1 образца МЭС формируют звуковоспринимающую мембрану 4 толщиной 3 мкм путем жидкостного травления раствором КОН с последующим нанесением наружного алюминиевого покрытия 5 толщиной 200 нм.

Параллельно изготавливают основание микрофона. Для этого в кремниевой пластине 6, покрытой слоем 7 диэлектрика SiO2, сверху формируют МДП-транзисторный усилитель 8, включающий области стока 9 и истока 10, индуцированный канал 11 и алюминиевый затвор 12. Снизу пластины 6 формируют решетчатую мембрану 13 с дренажными отверстиями 14 путем жидкостного травления раствором КОН.

Обработанный образец МЭС заряжают из расчета поверхностного потенциала -500 В с помощью коронного разряда и устанавливают на изготовленном основании таким образом, чтобы мембраны 4 и 13 были соосны. При этом между мембранами 4 и 13 формируют микрокамеру 15 с помощью установленной между мембранами диэлектрической прокладки 16 толщиной 4 мкм, выполненной из фоторезиста. Алюминиевое покрытие 5 мембраны 4 электрически соединяют с затвором 12 МДП-транзисторного усилителя 6 с помощью проводника 17.

Под действием звуковой волны происходит колебание мембраны 4, что приводит к изменению потенциала между элементами 5 и 13, которое усиливается узлом 8.

При подаче звукового сигнала частотой 512 Гц чувствительность микрофона с предлагаемой МЭС составляет 9-12 мВ/Па при уровне помехи 0,7-1,8 дБ. При использовании МЭС с полиимидным диэлектриком нежесткоцепной структуры (контроль) чувствительность составляет 2-5 мВ/Па, а уровень помехи - 1,5-6,5 дБ.

Как видно из примеров, новая МЭС по сравнению с прототипом обладает большей стабильностью электрических характеристик поверхностного сопротивления, сохранения заряда в электретной цепи и дает минимальный дрейф выходного сигнала при ее использовании в конструкции микроэлектронного микрофона, что имеет следствием повышение надежности соответствующих микроэлектронных схем и приборов. Предлагаемый способ не только обеспечивает получение новой МЭС с приведенными значениями технических характеристик, но и является более технологичным по сравнению с прототипным, так как он дает возможность получения тонкого (1-40 нм) слоя полиимидного диэлектрика и исключает необходимость проведения операции планаризации целевого продукта.

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Микроэлектронная структура для изготовления полупроводниковых приборов, включающая кремнийсодержащую полупроводниковую подложку, неорганический кремнийсодержащий и органический полиимидный диэлектрики, отличающаяся тем, что подложка и диэлектрики сформированы с образованием трехслойной планарной сэндвич-композиции с последовательно расположенными на подложке слоями неорганического кремнийсодержащего и органического полиимидного диэлектрика, при этом органический диэлектрик сформирован толщиной 1 - 40 нм из полиимида с жесткоцепной структурой.

2. Способ получения микроэлектронной структуры, предусматривающий последовательное нанесение неорганического кремнийсодержащего и органического полиимидного диэлектриков на кремнийсодержащую полупроводниковую подложку с последующим твердением и планаризацией целевого изделия, отличающийся тем, что органический диэлектрик наносят в виде пленки Ленгмюра-Блоджетт, выполненной из полиимида с жесткоцепной структурой, а операцию твердения проводят имидизацией нанесенной пленки Ленгмюра-Блоджетт.

3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что пленку Ленгмюра-Блоджетт наносят из полиимидного преполимера - алкиламмонийной соли полиамидокислоты.

Патентный поиск по классам МПК-8:

Класс H01L21/18 приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками



Наверх