ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой кюри

Классы МПК:C01B19/00 Селен; теллур; их соединения
C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия
C01G37/00 Соединения хрома
C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Приоритеты:
подача заявки:
2000-06-08
публикация патента:

Изобретение относится к неорганической химии. Результат изобретения: получение нового соединения тройного теллурида хрома и индия, которое может найти применение как ферромагнитный материал при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах. Ферромагнитный полупроводниковый материал включает хром, теллур и индий и представляет собой тройное соединение теллурида индия и хрома формулы In7Сr6Те16. Для соединения In7Сr6Те16 температура Кюри равна 330К. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств делает его перспективным материалом для широкого практического использования.

Формула изобретения

Ферромагнитный полупроводниковый материал, включающий хром, теллур и индий, который представляет собой тройное соединение теллурида индия и хрома и отвечает формуле In7Сr6Те16.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам хрома и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах.

Вышеуказанные тройные теллуриды хрома и индия относятся к классу халькохромитов элементов шестой группы Периодической системы.

Наиболее интересным с практической точки зрения из этого класса веществ являются халькохромиты меди [Белов К. П., Третьяков Ю.Д. и др. Магнитные полупроводниковые халькогенидные шпинели, М. , Изд-во МГУ, 1981, с. 279], обладающие температурой магнитного упорядочения (температура Кюри) выше комнатной. Эти халькохромиты характеризуются тем, что они кристаллизуются в кубической сингонии с кристаллической структурой типа шпинели. Данные халькохромиты могут быть получены многократной прокалкой при соответствующих количествах элементарных веществ в эвакуированных кварцевых ампулах.

К недостаткам описанных выше халькохромитов меди относится то, что они не могут быть использованы при создании элементов памяти, поскольку не обладают полупроводниковой проводимостью, что не позволяет при использовании их в электронных приборах применять для их управления одновременно электрическое и магнитное поле.

Ближайшим техническим решением поставленной задачи является ферримагнитный полупроводниковый материал - тетротеллуридтрихрома и железа, имеющий температуру Кюри выше комнатной (SU 2142521, 1999 г.).

Этот материал обладает одновременно полупроводниковыми и ферримагнитными свойствами и содержит в твердом растворе дителлурид железа.

К недостаткам прототипа относятся:

- он является ферримагнетиком, а не ферромагнетиком;

- низкая температура Кюри из-за высокого содержания железа;

- тетрателлуридтрихрома и железа представляет собой твердый раствор, что не обеспечивает стабильные эксплуатационные характеристики полупроводникового материала.

До настоящего времени не было найдено халькохромита элементов третьей группы, обладающего ферромагнитными свойствами при температуре выше комнатной.

Согласно изобретению указанная цель достигается тем, что предлагается ферромагнитный полупроводниковый материал, включающий хром, теллур и индий, который представляет собой тройное соединение теллурида индия и хрома и отвечает формуле In7Cr6Te16.

Тройной теллурид индия и хрома получают путем взаимодействия стехиометрических количеств в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре 950oС с последующим отжигом при 600oС в течение 800 часов. Выход поликристаллического продукта 99,9%.

Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что ферромагнитный материал представляет собой тройное соединение индия, хрома и теллура при вышеуказанном соотношении компонентов.

Пример.

Тройной теллурид индия и хрома In7Cr6Te16 имеет перитектоидный характер образования и может быть получен следующим образом.

Навески 0,02546 г индия, 0,0988 г хрома и 0,6466 г теллура (что соответствует стехиометрическому составу тройного теллурида индия и хрома, содержащего 30 мол.% Cr2Te3 и 70 мол.% InTe) загружают в кварцевые ампулы. Ампулы откачивают до остаточного давления 2ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 218031610-3 Па, отпаивают и помещают в печь, температуру которой медленно (20 град/час) повышают до 950oС и выдерживают при этой температуре 170 час, затем медленно охлаждают до комнатной. После синтеза образцы растирают в агатовой ступке, вновь загружают в кварцевые ампулы, которые затем откачивают, отпаивают и отжигают при 600oС 800 час. Выход тройного теллурида индия и хрома составляет 0,9990 г (99,9%).

Параметры полученной фазы контролируют по данным дифференциально-термического анализа и рентгенофазового анализа (на рентгенограмме отсутствовали линии, характерные для InTe и Cr2Те3, а также линии, характерные для In, Те и Cr). Эти данные свидетельствуют о том, что полученный тройной теллурид индия и хрома однофазен.

В результате измерения электропроводности установлено, что при Т=300К электропроводность ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 2180316=3,2ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 2180316102 см/см, а при Т=77К ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 2180316 = 4,3 см/см.

Кривая температурной зависимости намагниченности тройного теллурида индия и хрома с составом In7Cr6Te16 свидетельствует о том, что полученные образцы являются ферромагнетиками с температурой Кюри 330 К. По сравнению с ближайшими аналогами тройной теллурид индия и хрома отличается тем, что он обладает и полупроводниковыми свойствами, что установлено по температурной зависимости удельного сопротивления при различных температурах.

Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств делает его перспективным материалом для широкого практического использования.

Класс C01B19/00 Селен; теллур; их соединения

способ синтеза монокристаллических селенидов железа -  патент 2522591 (20.07.2014)
способ стабилизации наночастиц биогенных элементов ферментами -  патент 2504582 (20.01.2014)
способ лечения неврологических нарушений -  патент 2492137 (10.09.2013)
магнитный, теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением -  патент 2454370 (27.06.2012)
способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой сфалерита -  патент 2378200 (10.01.2010)
способ переработки отходов селенида цинка -  патент 2376242 (20.12.2009)
способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой вюртцита -  патент 2374180 (27.11.2009)
способ экстрагирования неорганических форм ртути и селена из твердых образцов природных объектов -  патент 2358899 (20.06.2009)
способ получения соединения цинка селенита как средства, обладающего нейропротекторным действием -  патент 2333762 (20.09.2008)
способ обогащения изотопов селена -  патент 2307701 (10.10.2007)

Класс C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия

Класс C01G37/00 Соединения хрома

способ получения гидроксохроматов меди(+2) -  патент 2504517 (20.01.2014)
способ утилизации отработанных растворов, содержащих соединения шестивалентного хрома -  патент 2491232 (27.08.2013)
способ получения монохромата натрия -  патент 2466097 (10.11.2012)
магнитный полупроводниковый материал -  патент 2400850 (27.09.2010)
способ нейтрализации отработанных растворов, содержащих хром (+6) -  патент 2395463 (27.07.2010)
композиция для хроматирования металлических поверхностей и способы получения компонентов для ее изготовления -  патент 2393994 (10.07.2010)
способ выделения хрома ( vi ) из водных растворов -  патент 2383380 (10.03.2010)
способ получения бихромата трехвалентного хрома и композиция для хроматирования металлических поверхностей -  патент 2375310 (10.12.2009)
способ получения хромового ангидрида -  патент 2370446 (20.10.2009)
способ получения хромата щелочного металла -  патент 2349552 (20.03.2009)

Класс C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов -  патент 2519094 (10.06.2014)
способ выращивания кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов -  патент 2495968 (20.10.2013)
способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii) -  патент 2485217 (20.06.2013)
способ изменения обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла gase -  патент 2472876 (20.01.2013)
дисульфид хрома-меди-железа с анизотропией магнитосопротивления -  патент 2466093 (10.11.2012)
способ получения ag-au халькогенида -  патент 2458190 (10.08.2012)
способ получения монокристаллов и устройство для его осуществления -  патент 2456385 (20.07.2012)
монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной магнитострикцией -  патент 2435734 (10.12.2011)
легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения -  патент 2413042 (27.02.2011)
способ синтеза полупроводниковых квантовых точек -  патент 2381304 (10.02.2010)
Наверх