способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)

Классы МПК:C30B29/30 ниобаты; ванадаты; танталаты
C30B29/22 сложные оксиды
Автор(ы):, , , , , , , , ,
Патентообладатель(и):Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья
Приоритеты:
подача заявки:
2000-02-18
публикация патента:

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономический рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов. Для этого при твердофазном способе синтеза осуществляют смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы монокристалла лантангаллиевого ниобата в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Nb2O5 = 7,35 : (7,77-7,79) : 1, последующий нагрев их до температуры синтеза 1410-1430oC и спекание в течение 6 часов. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (La3Ga5,5Nb0,5O14), включающий смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы монокристалла, взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза 1410 - 1430oC и спекание, отличающийся тем, что смешивание исходных оксидов происходит в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Nb2O5 = 7,35 : (7,77 - 7,79) : 1, а спекание осуществляют в течение 6 ч.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Известен способ синтеза шихты для выращивания галлийсодержащих оксидных соединений монокристаллов путем нагрева смесей, соответствующих химически чистых оксидов, взятых в стехиометрическом соотношении до температуры 1150-1200oС с последующей выдержкой при этой температуре в течение 4-5 часов (Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях-сдвига /Сахаров С.А., Ларионов И.М., Медведев А.В./ Зарубежная радиоэлектроника, N 9-10, 1994).

Недостатком данного способа является то, что получают многофазную смесь, содержание в которой конечного продукта составляет менее 5%, а более 90% - смесь галлата лантана и оксида галлия, что при последующем направлении способствует улетучиванию оксида галлия, а, следовательно, нарушению стехиометрического состава используемых для синтеза оксидов, что значительно снижает качество получаемых монокристаллов.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (La3Ga5,5Nb0,5O14) (Милль Б. В. и др. "Доклады АН СССР", 1982, т. 264, N 6, с. 1385-1389), согласно которому смешивают исходные оксиды, прессуют, нагревают до 1410-1430o и спекают.

Недостатком данного способа является трудоемкость процесса из-за использования промежуточных операций, а, следовательно, использование дополнительного оборудования и соответственно дополнительных веществ, что приводит к загрязнению шихты; невозможность получения профилированных таблеток шихты лантангаллиевого ниобата.

Задачей предлагаемого изобретения является получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономичный рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов.

Указанная техническая задача решается за счет того, что в известном способе твердофазного синтеза шихты, включающем смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы выращиваемого монокристалла (La3Ga5,5Nb0,5 O14), взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза 1410-1430oC и спекание, смешивание исходных оксидов происходит в соотношении, La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35:(7,77-7,79):1, а спекание осуществляют в течение 6 часов.

Сопоставительный анализ заявляемого решения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что смешение исходных оксидов лантана, галлия и ниобия происходит в соотношении La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35: (7,77-7,79): 1, а спекание осуществляют в течение 6 часов. Использование в способе определенного соотношения исходных оксидов, а именно La2O3: Ga2O3: Nb2O5 = 7,35: (7,77-7,79):1 позволяет избежать нарушение стехиометрии в расплаве при последующем выращивании монокристаллов, а, следовательно, получить высококачественные монокристаллы лантангаллиевого ниобата. Спекание же смеси в течение 6 ч позволяют получить профилированные таблетки шихты лантангаллиевого ниобата, которые дают возможность при выращивании монокристаллов проводить наплавление шихты за один прием и получать более качественные кристаллы за счет меньшего нарушения стехиометрического состава шихты. Спекание смеси менее 6 часов не дает возможности получать таблетированную шихту, которая влияет на качество монокристаллов, а выдержка более 6 часов экономически нецелесообразна.

Примеры конкретного выполнения (см. табл. 1): 330 г исходной смеси, в которой соотношение La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35:(7,77-7,79):1 смешивали в полиэтиленовой банке с использованием смесителя типа "пьяной бочки", загружали в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовой трубкой, установленной в центральной части тигля. Диаметр алундового тигля был 60 мм, равный диаметру иридиевого тигля, из которого в дальнейшем выращивали монокристалл лантангаллиевого ниобата. Тигель устанавливали в печь и проводили нагрев до 1420oC и выдержку в течение 6 ч. В результате спекания получали профилированную таблетку с отверстием вдоль ее оси. Результаты опытов представлены в таблице. Спекание трех навесок исходной смеси оксидов, массой 330 г каждая, позволяет получить три профилированных таблетки, общий вес которых дает возможность сразу наплавить полный объем иридиевого тигля, из которого в дальнейшем будет выращиваться монокристалл.

Таким образом, заявленный способ позволяет получать качественную поликристаллическую шихту в рациональном (таблетированном), компактном виде для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата. Из синтезированной шихты были выращены монокристаллы лантангаллиевого ниобата диаметром 1,5 и 2 дюйма.

Предложенный способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата позволяет:

- сократить количество предварительных операций;

- получить профилированные таблетки необходимой массы и размеров для заполнения всего объема иридиевого тигля при выращивании из него монокристалла;

- избежать нарушения стехиометрии расплава, так как синтезированные таблетки полностью используются при наплавлении их в тигель, а, следовательно, получать однородные по своему составу монокристаллы.

Класс C30B29/30 ниобаты; ванадаты; танталаты

способ определения мольной доли li2o в монокристаллах linbo3 -  патент 2529668 (27.09.2014)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой -  патент 2485222 (20.06.2013)
сложный танталат редкоземельных элементов -  патент 2438983 (10.01.2012)
способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата -  патент 2413041 (27.02.2011)
способ поляризации монокристалла танталата лития -  патент 2382837 (27.02.2010)
способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации -  патент 2367730 (20.09.2009)
способ получения монокристаллов linbo3 и устройство для его осуществления -  патент 2330903 (10.08.2008)
устройство для выращивания монокристаллов оксидов тугоплавких металлов -  патент 2320790 (27.03.2008)
способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния -  патент 2296824 (10.04.2007)

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)
Наверх