способ электромагнитной дефектоскопии

Формула изобретения

1. Способ обнаружения дефектов, заключающийся в том, что контролируемое изделие облучают электромагнитными сигналами под углом к его поверхности, принимают отраженные электромагнитные сигналы, измеряют параметры отраженных электромагнитных сигналов и по результатам измерений определяют наличие дефектов, отличающийся тем, что облучение осуществляют через диэлектрическую пластину, которую устанавливают на поверхности контролируемого изделия, и с помощью приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины, облучают контролируемое изделие электромагнитными сигналами с эллиптической поляризацией, а в качестве параметров отраженных электромагнитных сигналов используют величины изменения параметров, характеризующих состояние эллипса поляризации излучаемого электромагнитного сигнала.

2. Способ обнаружения дефектов по п.1, отличающийся тем, что диаграмму направленности (ДН) приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации в области боковых лепестков периодически модулируют по амплитуде при условии сохранения неизменности ширины основного лепестка ДН, дополнительно выделяют и измеряют параметры электромагнитных сигналов с амплитудной модуляцией.

3. Способ обнаружения дефектов по п.1 или 2, отличающийся тем, что облучение поверхности контролируемого изделия осуществляют электромагнитными сигналами эллиптической поляризации при изменении угла ориентации эллипса по линейно-частотному периодическому закону.

4. Способ обнаружения дефектов по п.1 или 2, отличающийся тем, что облучение поверхности контролируемого изделия осуществляют электромагнитными сигналами эллиптической поляризации при одновременном дискретном по периодическому закону изменении несущей частоты облучающего электромагнитного сигнала и угла ориентации поляризационного эллипса, дополнительно измеряют значение несущих частот электромагнитных сигналов и соответствующие им параметры состояния эллипса поляризации, а наличие дефектов определяют с учетом указанных дополнительных измерений.

5. Способ обнаружения дефектов по п.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что дополнительно ведут прием отраженных электромагнитных сигналов под углом к поверхности контролируемого изделия с помощью первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации с низким уровнем боковых лепестков, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины за апертурой приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, при этом ось основного лепестка ДН первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации располагают в одной плоскости с осью основного лепестка ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, перпендикулярной поверхности контролируемого изделия так, чтобы основной лепесток ДН первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации был направлен на тот же участок поверхности контролируемого изделия, что и основной лепесток ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, и апертура приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации на затеняла апертуру первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, и измеряют величины изменения параметров отраженных электромагнитных сигналов и сравнивают их с результатами измерения параметров отраженных электромагнитных сигналов, принятых приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, а наличие дефектов определяют по результатам сравнения.

6. Способ обнаружения дефектов по п.1, или 2, или 3, или 4, или 5, отличающийся тем, что дополнительно ведут прием на согласованные нагрузки отраженных электромагнитных сигналов под углом к поверхности контролируемого изделия с помощью второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины перед апертурой приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, при этом ось основного лепестка ДН второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации располагают в одной плоскости с осью основного лепестка ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, перпендикулярной поверхности контролируемого изделия, так, чтобы основной лепесток ДН второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации был направлен на тот же участок поверхности контролируемого изделия, что и основной лепесток ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации.

7. Способ обнаружения дефектов по п.1, или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, отличающийся тем, что дополнительно ведут прием на согласованные нагрузки отраженных электромагнитных сигналов вспомогательными приемными двухкомпонентными антеннами эллиптической поляризации, размещенными по периметру приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации и по периметру первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к методам и технике неразрушающего контроля, например с помощью сверхвысоких частот, и предназначен для обнаружения дефектов в стенах и перекрытиях строительных сооружений при одностороннем доступе и может найти применение для обнаружения инородных металлических или диэлектрических предметов искусственного или естественного происхождения, в том числе расположенных за металлической арматурой, или закрепленных непосредственно на арматуре, или расположенных между прутками арматуры, со стороны противоположной направлению облучения электромагнитным сигналом, и в частности, в стенах строительных сооружений, выполненных по технологии цельнозаливных железобетонных конструкций.

Известен способ СВЧ-дефектоскопии при одностороннем доступе к контролируемому изделию, заключающийся в том, что воздействуют на контролируемый объект поверхностной электромагнитной волной и измеряют изменение мощности этой волны при взаимодействии с дефектом на двух фиксированных частотах СВЧ-диапазона, а глубину залегания дефекта определяют аналитически по эмпирическому выражению (А.С.СССР N 1748029 A1, кл. G 01 N 22/02, 1992 г.).

Способ применим для обнаружения дефектов и глубины их залегания в проницаемой для электромагнитных волн среде, размеры которых больше длины волны и находятся в подповерхностном слое контролируемого изделия и не затененных никакими другими дефектами.

Наиболее близким к изобретению - прототипом является способ СВЧ-дефектоскопии при одностороннем доступе к контролируемому объекту, заключающийся в том, что контролируемый объект облучают плоской СВЧ электромагнитной волной, измеряют коэффициент отражения плоской электромагнитной волны от контролируемого объекта и по его величине определяют наличие и параметры дефекта, в том числе и координаты залегания этого дефекта. Измерения коэффициента отражения проводят в широком диапазоне частот (от 30 до 40 ГГц). В результате обработки на микропроцессорном устройстве частотной зависимости коэффициента отражения определяют глубину залегания дефекта (Потапов А.И. и др. Технологический неразрушающий контроль пластмасс/ Л.: Химия, 1979, с. 61-127).

Способ применим для обнаружения дефектов, размеры которых больше длины волны. Точное определение глубины залегания дефекта возможно лишь при использовании для зондирования плоских электромагнитных волн и очень широкого частотного диапазона. В реальных условиях использованием неплоских волн и конечного широкого частотного диапазона приводит к появлению значительной ошибки в определении глубины залегания дефекта и однозначности его идентификации. Кроме того, данный способ не позволяет выявлять дефекты, затененные радионепрозрачными конструктивными эламентами контролируемого объекта.

Технической задачей данного изобретения является обеспечение возможности обнаружения в объеме стен, стыков стен, в углах, в перекрытиях строительных сооружений, и в частности армированных арматурой или выполненных по технологии цельнозаливных железобетонных конструкций, в которых прутки арматуры расположены или вертикально, или горизонтально, или вертикально и горизонтально, образуя ячейки квадратной или прямоугольной формы, а места пересечения арматуры либо провариваются электросваркой, либо провязываются стальной монтажной проволокой, с высокой степенью точности, с высокой разрешающей способностью и высокой вероятностью, инородных металлических или диэлектрических дефектов - предметов искусственного или естественного происхождения с небольшой эффективной поверхностью рассеяния или расположенных за металлической арматурой, или закрепленных непосредственно на арматуре, или расположенных между прутками арматуры со стороны противоположной направлению облучения электромагнитным сигналом.

Техническая задача достигается тем, что контролируемое изделие облучают электромагнитными сигналами под углом к его поверхности через диэлектрическую пластину, которую устанавливают на поверхности контролируемого изделия, и с помощью приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины, облучают контролируемое изделие электромагнитными сигналами с эллиптической поляризацией, а в качестве параметров отраженных электромагнитных сигналов используют величины изменения параметров, характеризующих состояние эллипса поляризации излучаемого электромагнитного сигнала по результатам сравнения которых судят о наличии дефектов.

Облучение поверхности контролируемого изделия электромагнитным сигналом через диэлектрическую пластину сводит до минимума отражения от ее внешней поверхности и соответственно к минимальному уровню возбуждения поверхностных волн, что позволяет повысить разрешающую способность обнаружения дефектов.

Использование приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации и электромагнитного сигнала с эллиптической поляризацией, позволяет с высокой разрешающей способностью и высокой степенью вероятности обнаружить дефекты.

Диаграмму направленности (ДН) приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации в области боковых лепестков ДН периодически модулируют по амплитуде при условии сохранения неизменности ширины основного лепестка ДН, что позволяет распознавать электромагнитные сигналы, принятые боковыми лепестками ДН - "ложные сигналы", и электромагнитные сигналы, принятые основным лепестком ДН, что позволяет значительно повысить достоверность принимаемого решения о наличии или отсутствии дефектов в облучаемой основным лепестком ДН поверхности контролируемого изделия.

Облучение поверхности контролируемого изделия осуществляют электромагнитными сигналами эллиптической поляризации при изменении угла ориентации поляризационного эллипса по линейно-частотному периодическому закону, что позволяет повысить разрешающую способность обнаружения дефектов.

Облучение поверхности контролируемого изделия осуществляют электромагнитными сигналами эллиптической поляризации при одновременном дискретном, по периодическому закону, изменении несущей частоты облучающего электромагнитного сигнала и угла ориентации поляризационного эллипса, что позволяет дополнительно измеряя значение несущих частот электромагнитных сигналов и соответствующие им параметры состояния эллипса поляризации отраженных электромагнитных сигналов, сравнивая их с соответствующими параметрами излученных электромагнитных сигналов, позволяет повысить разрешающую способность обнаружения дефектов.

Дополнительно ведут прием отраженных электромагнитных сигналов под углом к поверхности контролируемого изделия с помощью первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации с низким уровнем боковых лепестков, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины за апертурой приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, при этом ось основного лепестка ДН первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации располагают в одной плоскости с осью основного лепестка ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, перпендикулярной поверхности контролируемого изделия, так, чтобы основной лепесток ДН первой приемной двухкомпонентной антенной эллиптической поляризации был направлен на тот же участок поверхности контролируемого изделия, что и основной лепесток ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, и апертура приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации не затеняла апертуру первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, и измеряют величины изменения параметров отраженных электромагнитных сигналов и сравнивают их с результатами измерения параметров отраженных электромагнитных сигналов, принятых приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, а наличие дефектов определяют по результатам сравнения. Это позволяет повысить разрушающую способность и вероятность обнаружения дефектов.

Дополнительно ведут прием на согласованные нагрузки отраженных электромагнитных сигналов под углом к поверхности контролируемого изделия с помощью второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, апертуру которой размещают внутри диэлектрической пластины перед апертурой приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, при этом ось основного лепестка ДН второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации располагают в одной плоскости с осью основного лепестка ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации, перпендикулярной поверхности контролируемого изделия, так, чтобы основной лепестков ДН второй приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации был направлен на тот же участок поверхности контролируемого изделия, что и основной лепестков ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации. Это позволяет повысить помехозащищенность и тем самым повысить разрешающую способность и вероятность обнаружения дефектов.

Дополнительно ведут прием на согласованные нагрузки отраженных электромагнитных сигналов вспомогательными приемными двухкомпонентными антеннами эллиптической поляризации, размещенными по периметру апертуры приемопередающей двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации и по периметру апертуры первой приемной двухкомпонентной антенны эллиптической поляризации. Это позволяет повысить помехозащищенность и тем самым повысить разрешающую способность обнаружения дефектов.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1 приведена структурная электрическая схема устройства, реализующего способ обнаружения дефектов в стенах и перекрытиях строительных сооружений, например армированных: на фиг. 2 схематически представлен разрез армированного строительного сооружения с расположением диэлектрической пластины и расположением приемопередающей антенны, первой и второй приемных антенн и ориентации основных лепестков ДН этих антенн на поверхность строительного сооружения; на фиг. 3 схематически представлены варианты расположения дефектов в строительном сооружении с металлической арматурой; на фиг . 4 представлены эпюры изменения угла ориентации поляризационного эллипса по линейно-частотному периодическому закону; на фиг. 5 представлены эпюры дискретного, по периодическому закону, изменения несущей частоты облучающего электромагнитного сигнала и соответствующего ей угла ориентации поляризационного эллипса.

Устройство содержит приемопередающую двухкомпонентную антенну 1 эллиптической поляризации, диэлектрическую пластину 2, первую приемную двухкомпонентную антенну 3 эллиптической поляризации, вторую приемную двухкомпонентную антенну 4 эллиптической поляризации, поляризационный селектор 5 приемопередающей двухкомпонентной антенны 1 эллиптической поляризации, поляризационный селектор 6 первой приемной двухкомпонентной антенны 3 эллиптической поляризации, блок 7 модуляции амплитудного распределения по апертуре приемопередающей двухкомпонентной антенны 1 эллиптической поляризации, генераторный блок 8 перестраиваемый по частоте, поляризационный приемник 9, приемный блок 10, блок 11 обработки и индикации, дополнительную приемную двухкомпонентную антенну 12 эллиптической поляризации, согласованную нагрузку 13, контролируемое изделие 14, металлическую арматуру 15, гипотетический дефект 16.

Способ обнаружения дефектов в стенах и перекрытиях строительных сооружений, например железобетонных, реализуют следующим образом.

Электромагнитные сигналы линейно поляризованные с генераторного блока 8 в поляризационном селекторе 5 приемопередающей двухкомпонентной антенны 1 эллиптической поляризации, преобразуются в эллиптически поляризационный электромагнитный сигнал с углом ориентации поляризационного эллипса и определенным коэффициентом эллиптичности излучается приемопередающей двухкомпонентной антенной 1 эллиптической поляризации под углом к поверхности контролируемого изделия 14 через диэлектрическую пластину 2, которую устанавливают на поверхность контролируемого изделия 14. При этом апертура приемопередающей двухкомпонентной антенны 1 размещена внутри диэлектрической пластины 2. Принятые приемопередающей двухкомпонентной антенной 1, эллиптической поляризации, отраженные от внутреннего объема контролируемого изделия 14 электромагнитные сигналы на несущей частоте поступают в поляризационный селектор 7 приемопередающей антенны 1, где производится на несущей частоте преобразование электромагнитного сигнала на ортогональные составляющие - вертикальную и горизонтальную. Полученные ортогональные составляющие электромагнитного сигнала поступают в поляризационный приемник 9. В поляризационном приемнике 9 на несущей частоте определяются параметры, характеризующие различие поляризационного эллипса отраженного электромагнитного сигнала и поляризационного эллипса излученного электромагнитного сигнала. С выхода поляризационного приемника 9 на несущей частоте электромагнитные сигналы поступают в приемный блок 10. В приемном блоке 10 происходит преобразование электромагнитных сигналов в электрические сигналы. Дальнейшая обработка электрических сигналов с приемного блока 10 производится в блоке 11 обработки и индикации, где и принимается решение о наличии или отсутствии дефекта в облучаемом основным лепестком ДН приемопередающей антенны 1 объеме контролируемого сооружения 14 и здесь же осуществляется визуализация конечной информация (фиг. 1).

Первая приемная двухкомпонентная антенна 3 эллиптической поляризации, основной лепесток ДН которой направлен на ту же поверхность контролируемого изделия 14, что и основной лепесток ДН приемопередающей антенны 1 (фиг. 2), принимает отраженные электромагнитные сигналы эллиптически поляризованные, которые в поляризационном селекторе 6 первой двухкомпонентной антенны 3 на несущей частоте преобразовываются на ортогональные составляющие - вертикальную и горизонтальную. Полученные ортогональные составляющие поступают в поляризационный приемник 9. В поляризационном приемнике 9 на несущей частоте определяются параметры, характеризующие различие поляризационного эллипса отраженного электромагнитного сигнала принятого приемопередающей антенной 1, принятого приемной антенной 3 и поляризационного эллипса излученного электромагнитного сигнала. С выхода поляризационного приемника 9 на несущей частоте электромагнитные сигналы поступают в приемный блок 10. Дальнейшая обработка сигналов осуществляется по вышеуказанному алгоритму.

Поляризационные селекторы 5 и 6 обеспечивают двухкомпонентным антеннам 1 и 3 эллиптической поляризации, соответственно, изучение и прием электромагнитных сигналов с любым видом эллиптической поляризации без поляризационных потерь. Структурные и электрические схемы поляризационных селекторов, двухкомпонентные антенны эллиптической поляризации и алгоритмы обработки эллиптически поляризационных сигналов описаны в монографии (Гусев К.Г., Филатов А. Д., Сополев А.П. Поляризационная модуляция/ М.: Сов. радио, 1974, 288 с.).

Вторая приемная двухкомпонентная антенна 4, эллиптической поляризации, основной лепесток ДН которой направлен на тот же участок поверхности контролируемого изделия, что и основной лепесток ДН приемопередающей двухкомпонентной антенны 1 (фиг. 2), нагружена на согласованную нагрузку 13, что обеспечивает прием рассеянных электромагнитных сигналов с любым видом поляризации в широком угловом секторе и полное их поглощение.

Приемопередающая двухкомпонентная антенна 1 и правая двухкомпонентная антенна 3 должны иметь уровень боковых лепестков менее -40 дБ. Например, создать антенну с таким низким уровнем боковых лепестков можно используя принцип (W. T. Patton, "Low Sidelobe Antennas for Tactical Radars". IEEE 1980 Intl. Radar Cjnf., Arlington 28-30 April 1980, pp. 243-244.).

Параметры диэлектрической пластины выбирают так, чтобы ее относительная диэлектрическая проницаемость равнялась относительной диэлектрической проницаемости материала контролируемого изделия и тангенс угла диэлектрических потерь был минимален. Так, например, для бетона величина относительной диэлектрической проницаемости в диапазоне частот от 10⁵ Гц до 10¹⁰ Гц, изменяется в пределах от 10 до 4 (Подповерхностная радиолокация/ Под ред. М.И. Финкельштейна. - М.: Радио и связь, 1994. - 216 с., стр. 25, рис. 1.4.). В этом случае внешняя граница контролируемого изделия становится неотражающей, т. е. среда для распространения электромагнитных волн становится однородной, и вся излученная антенной электромагнитная энергия проходит в объем контролируемого изделия практически без потерь. Поверхностные волны практически не возбуждаются, что обеспечивает повышение чувствительности и разрешающей способности данного способа. В случае установки первой приемной двухкомпонентной антенны 3 обеспечивается достаточно высокая пространственная развязка с апертурой приемопередающей двухкомпонентной антенной 1.

Блок 7, модуляции амплитудного распределения по апертуре приемопередающей двухкомпонентной антенны 1, реализует метод селекции сигналов, принимаемых по боковым лепесткам ДН, рассмотренный, например, в статье "О повышении достоверности радиолокационного измерения параметров движения отдельных транспортных средств в общем потоке"/ А.Б.Стасюнас, Ю.М.Егоров, В.А. Родзивилов и др. // В сб.: Технические средства управления и контроля за дорожным движением/ ВНИИБД МВД СССР, 198, с. 31-36). Метод селекции основан на использовании антенн с периодически изменяемыми параметрами, например (I.J. Bahl and P. Bharia. Microstrip Antennas. Dedham, MA:. Artech House, 1980). Сущность данного метода состоит в том, что параметры антенной системы периодически модулируются таким образом, чтобы структура ДН антенны изменялась только в области боковых лепестков. Этого можно достичь различными путями, например, изменением распределения электромагнитного поля в апертуре антенны ("Analysis and Design of a Linear Arrey of Electrotically Coupled Microstrip Patches", IEEE Trans. Antennas and Propag., 1990, v. 38, N 5, pp. 754-759). При этом сигналы по боковым лепесткам приобретают "окраску", т.е. модулируются по амплитуде с частотой изменения параметров антенны, в отличие от сигналов, принимаемых основным лепестком. Это позволяет распознать "ложные" сигналы и значительно повысить достоверность принимаемого решения о наличие или отсутствие дефекта в исследуемом сооружении.

Изменение угла ориентации поляризационного эллипса излучаемого электромагнитного сигнала по линейно-частотному периодическому закону (фиг. 4) осуществляется генераторном блоком 8 и поляризационным селектором 5 приемопередающей двухкомпонентной антенны 1, который строится по принципу, например, изложенному в монографии (Гусев К.Г., Филатов А.Д., Сополев А.П. Поляризационная модуляция/ М.: Сов. радио, 1974, 288 с.). Кроме того, поляризационный селектор 5 устанавливает заданный коэффициент эллиптичности поляризационного эллипса излучаемого электромагнитного сигнала и может его изменять по периодам, в зависимости от реакции отраженного от контролируемого изделия эллипса поляризации электромагнитного сигнала. Облучение поверхности контролируемого изделия электромагнитными сигналами с таким видом поляризации позволяет, кроме обнаружения дефектов с высокой разрешающей способностью, также определять глубину их расположения.

Поляризационный селектор 5, приемопередающей двухкомпонентной антенны 1, и генераторный блок 8, перестраиваемый по частоте, реализует метод частотно-поляризационной селекции электромагнитных сигналов, например (Goldhirnish J., Rowland J., Musiani B. Rain Measurement Results Derived from a Two-Polarization Frequency-Deversity S-Band at Wallops Island, Virginia/ IEEE Trans. Geosci. and Remote Sens, 1987, v. 25, N 6 pp. 654-661). Сущность данного метода состоит в том, что осуществляется дискретное изменение, по периодическому закону, несущей частоты излучаемого электромагнитного сигнала и угла ориентации поляризационного эллипса (фиг. 5), вследствие чего мощности отраженных от контролируемого изделия электромагнитных сигналов не зависят друг от друга. В данном методе частотное разнесение излучаемого электромагнитного сигнала эллиптической поляризации с соответствующим углом ориентации поляризационного эллипса и коэффициентом эллиптичности позволяет существенно повысить разрешающую способность обнаружения дефектов.

Облучение поверхности контролируемого изделия электромагнитными сигналами эллиптической поляризации позволяет существенно расширить спектр обнаружения возможных дефектов с различными электродинамическими свойствами, расположенных в армированной структуре исследуемой железобетонной конструкции строительного сооружения. Это происходит благодаря некоторым свойствам эллиптически поляризованного электромагнитного сигнала, например - затягивание эллипса поляризации (Radar Target Identification of Aircraft Using Polarization Diverse Features. Neil E. Chamberlain, E.K.Walton, E.D.Garber, "IEEE Trans. Aerospace and Electronic Siystems", 1991, v. 27, N 1, pp. 58-66.), и например - свойства резонанса эллиптически поляризационного сигнала (M.Fossi et elit, "Experimental Results of Discrisination of Radar Signals by Polarization", Pros. of the 1984 Intl. Symp. on Nouse and Clutter Rejection in Radar and Imaging Sensors, Tokio, pp. 501-505).

Целесообразно разместить на внешней и торцевых поверхностях диэлектрической пластины поглощающие электрмогнитные сигналы элементы. Это позволяет обеспечить помехозащищенность поверхности исследуемого изделия, засвечиваемой основным лепестком ДН приемопередающей антенны, от воздействия внешних промышленных и атмосферных электромагнитных помех, а также поглощение электромагнитных сигналов внутри диэлектрической пластины, образовавшихся в результате всевозможных внутренних переотражений.