способ формирования мягкой диафрагмы

Классы МПК:H01S3/10 устройства для управления интенсивностью, частотой, фазой, поляризацией или направлением стимулированного излучения, например переключением, стробированием, модуляцией или демодуляцией
G02B27/58 оптика для аподизации или сверхразрешающей способности; синтетические апертурные системы
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1998-04-24
публикация патента:

Изобретение относится к лазерной аподизирующей оптике и может быть использовано при работе с твердотельными и газовыми лазерами, применяемыми в лазерной технологии, научных исследованиях, лазерных установках, разрабатываемых по программе лазерного термоядерного синтеза. Способ формирования мягкой диафрагмы на основе прозрачной диэлектрической пластины для аподизации световых пучков в ближнем ультрафиолетовом, видимом или ближнем инфракрасном диапазонах длин волн способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 заключается в том, что в апертуре диэлектрической пластины с характерным размером ro, поперечной координатой r и толщиной l создают рассеивающую, отражающую или поглощающую излучение зону шириной способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r, состоящую из дискретных ячеек с контролируемыми формой и размерами способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc, расположенных на поверхности или в объеме пластины в соответствии с заданным профилем пропускания диафрагмы T(r). При этом суммарное удельное эффективное поперечное сечение этих ячеек, определяющее диссипацию энергии излучения, нарастает от оси к краю пластины по закону способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695(r) ~ I-T(r), а размеры отдельных ячеек связаны с глубиной обработки диэлектрической пластины способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l и с расстоянием Lmin до границы области формирования гладкого распределения интенсивности в пучке. Технический результат изобретения состоит в повышении эффективности процесса изготовления мягких апертур с требуемыми оптическими параметрами. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

Способ формирования мягкой диафрагмы на основе прозрачной диэлектрической пластины для аподизации световых пучков в ближнем ультрафиолетовом, видимом или ближнем инфракрасным диапазонах длин волн способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695, включающий обработку полированной поверхности пластин с поперечной координатой r или объема пластины толщиной l на глубину способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l с созданием в апертуре диафрагме рассеивающей, отражающей или поглощающей излучение зоны шириной способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r с результирующим гладким пространственным профилем пропускания диафрагмы T(r), нарастающим от края диафрагмы к ее оси, отличающийся тем, что рассеивающую, отражающую или поглощающую излучение зону в апертуре диафрагмы с характерным размером ro создают из дискретных ячеек с контролируемыми формой и размерами способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc, расположенных на поверхности или в объеме пластины в соответствии с заданным профилем пропускания диафрагмы T(r), при этом суммарное удельное эффективное поперечное сечение этих ячеек нарастает от оси к краю пластины по закону способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695(r) ~ I-T(r), а размеры отдельных ячеек определяются соотношением способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695, где Lmin - расстояние по направлению распространения светового пучка от пластины до границы области формирования гладкого распределения интенсивности в пучке.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к лазерной оптике и может быть использовано при работе с твердотельными и газовыми лазерами, применяемыми в лазерной технологии, научных исследованиях, в лазерных установках, разрабатываемых по программе лазерного термоядерного синтеза.

Мягкие диафрагмы были предложены для использования в оптическом тракте мощных лазеров в связи с необходимостью аподизации (сглаживания) пространственного распределения интенсивности в лазерных пучках [1]. В отличие от обычных "жестких" апертур (например, отверстие в непрозрачном металлическом экране) мягкие апертуры в ближней (Френелевой) зоне распространения пучка устраняют резкие перепады интенсивности, связанные с дифракцией излучения на краях диафрагм. Этим обусловлено применение мягких апертур, например, в мощных лазерных установках на неодимовом стекле, где их использование в оптическом тракте способствует подавлению самофокусировки излучения и улучшает эффективность съема энергии в активной среде лазера [1, 2, 3].

Известно несколько различных способов создания мягких апертур как с использованием в качестве основы прозрачной диэлектрической пластины (например, фотографические, напыленные металлические или диэлектрические слои переменной толщины, на основе наведенного поглощения и др.), так и без нее (например, зубчатые металлические диафрагмы, ячейки Поккельса и Фарадея с неоднородными электрическим и магнитным полями и др.), см. обзор [4]. Для аподизации световых пучков используются мягкие диафрагмы как с круглой, так и с прямоугольной апертурой [1-4]. Общей характеристикой мягких диафрагм, применяемых для аподизации световых пучков в ближнем УФ, видимом или ближнем ИК-диапазонах длин волн, является наличие в их апертуре с поперечной координатой r рассеивающей, отражающей или поглощающей излучение зоны шириной способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r с результирующим гладким пространственным профилем пропускания диафрагмы T(r), нарастающим от края диафрагмы к ее оси (фиг. 1). При этом для пучка излучения с равномерным пространственным распределением фазы и интенсивности I(r)=Io=const, падающего на пластину с характерным размером ro и толщиной l, рис. 1 на расстоянии L от нее способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 в области дифракции Френеля, формируется пространственное распределение интенсивности I(r)=Io T(r) с гладким (мягким) профилем. В перечне требований, предъявляемых к мягким апертурам для мощных лазерных установок, весьма существенными являются:

- стойкость по отношению к действию мощного лазерного излучения;

- высокий контраст (отношение пропускания в центре T(o) к пропусканию на краях k = T(0)/T(ro) > 102);

- простота, низкая стоимость изготовления, надежность в эксплуатации;

- высокое оптическое качество.

Рассмотрим несколько примеров способов создания мягких диафрагм на основе прозрачных диэлектрических пластин.

В способе, описанном в работе [5], область поглощения в пластине из неодимового стекла марки ЛГС-41 создается с помощью воздействия на периферийные участки образца проникающей радиацией ( способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 - излучением). Полученные для пластинки с 2ro = 30 мм и толщиной l=12 мм за счет применения свинцового фильтра область размытия способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r > 2 мм и коэффициент пропускания в периферийных участка при способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 = 0,63 способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695м < 1% обеспечивали для излучения с этой длиной волны функцию пропускания пластинки T(r) с мягким профилем и высоким контрастом. В способе, описанном в обзоре [4], для получения мягких диафрагм на длине волны неодимового лазера 1,06 способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695м использовались пластины из кристалла CaF2, активированные ионами Pr3+, которые облучались способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 - лучами или на источнике быстрых электронов. Полученные значения коэффициентов наведенного поглощения способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 позволили сформировать в этих образцах мягкие диафрагмы с способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 при толщине l= 20 мм. Экспериментально была зарегистрирована стойкость диафрагм [4, 5] к мощному лазерному излучению, а также их достаточно высокое оптическое качество и контраст k > 102. Помимо радиационного окрашивания диэлектрических пластин для целей получения мягких апертур применяется также метод аддитивного восстановления редкоземельных ионов - активаторов в кристаллах. Для этого используется нагрев (t > 600oC) образцов кристаллов в парах щелочноземельного металла [4]. Таким образом, например, были получены диафрагмы с рабочими диаметрами 1-3 мм из цилиндрических образцов CaF2: Sm2+ диаметром 10 мм. Пропускание образцов в центре диафрагмы составляло 94%, а коэффициент поглощения на краях для способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 = 0,63 мкм превышал 8 см-1 [4].

Основными недостатками рассмотренных способов [4, 5] является их высокая трудоемкость при реализации, связанная с условиями применения источников проникающей радиации или агрессивной восстанавливающей среды (пары металла), высокая стоимость материалов, из которых изготавливаются мягкие диафрагмы (активированные редкоземельными ионами кристаллы или стекло), а также ограниченность спектральной области излучения, для которой может быть использована полученная таким образом диафрагма.

В работе [4] дан краткий обзор характеристик мягких апертур, изготовленных путем нанесения на прозрачные диэлектрические подложки поглощающих или отражающих излучение слоев. Фотографические мягкие апертуры просты в изготовлении, но обладают низкой лучевой прочностью, 0,05 Дж/см2. Также невысокая оптическая прочность (0,4 Дж/см2) и у диафрагм, изготовленных путем напыления в вакууме на подложки металлических слоев переменной толщины. Мягкие диафрагмы, изготовленные путем нанесения многослойных диэлектрических покрытий, имеют высокую оптическую прочность > 5 Дж/см2, но отличаются спектральной селективностью, свойственной таким покрытиям.

Наиболее близким к изобретению является способ формирования мягкой диафрагмы, описанной в работе [6]. Для обработки полированной поверхности подложки из стекла БК-7, установленной на вращающемся столике, авторы использовали пескоструйный аппарат. В зависимости от высоты расположения и угла наклона сопла пескоструйного аппарата по отношению к подложке, величины давления и скорости потока песчинок, их размеров и общего количества авторы могли варьировать ширину кольцевой зоны матирования поверхности подложки и крутизну профиля функции пропускания T(r). За счет прохождения излучения в матированной кольцевой зоне лазерный пучок на выходе полученной мягкой диафрагмы приобретал гладкий профиль. Авторы отмечают относительную дешевизну изготавливаемых диафрагм, а также их стойкость к условиям эксплуатации в лазерной установке. Основным недостатком рассмотренного способа изготовления мягких апертур является эмпирический характер применяемой методики, сложность ее количественного описания (которое авторы не приводят) и, как следствие этого, трудность перестройки и наладки экспериментальной установки для изготовления мягких апертур с заранее заданным профилем пропускания.

Техническая задача изобретения - формирование на основе прозрачной диэлектрической пластины мягкой диафрагмы с заданным профилем пропускания для аподизации световых пучков в видимой, ближней ультрафиолетовой и ближней ИК-областях спектра, возможность управления профилем пропускания диафрагм при их изготовлении. Одновременно изобретением предусматривается использование дешевых оптических материалов (стекол) для изготовления диафрагм, высокая стойкость мягких диафрагм к воздействию мощного лазерного излучения.

Предлагаемый способ формирования мягкой диафрагмы с характерным диаметром 2ro на основе прозрачной полированной диэлектрической пластины толщиной l < ro предусматривает обработку полированной поверхности или объема пластины с созданием в них в соответствии с заданной функцией пропускания диафрагмы T(r) рассеивающей, отражающей или поглощающей излучение зоны шириной способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r , состоящей из дискретных ячеек конечных размеров способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc, производящих амплитудную или фазовую модуляцию излучения. В отличие от рассмотренных выше известных способов создания мягких апертур, для которых характерной является непрерывная функция распределения поглощающих центров - ячеек атомных размеров [4, 5], или непрерывный характер функции пропускания T(r) наносимых на диэлектрическую пластину отражающих или поглощающих излучение слоев, или случайный характер распределения и невоспроизводимость размеров и формы отдельных центров рассеяния [6] , в предлагаемом способе форма, размеры и функция распределения отдельных ячеек способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc воспроизводятся в процессе изготовления в соответствии с заданной функцией пропускания. При этом суммарное удельное эффективное поперечное сечение ячеек способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695(r) нарастает от оси к краю пластины по закону способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695(r) ~ 1-T(r). Размер способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc ячеек связан соотношением способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 с параметром Lmin, ограничивающим во френелевой зоне дифракции вдоль координаты L по направлению распространения светового пучка область способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 где формируется гладкое пространственное распределение интенсивности вида Ir)=IoT(r) в световом пучке, прошедшем через диафрагму. Здесь Io=const - интенсивность в пучке с плоским распределением фазы, падающем на диафрагму. Размер способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc определяет также допустимую глубину способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l , на которой в диэлектрической пластинке могут быть сформированы рассеивающие или поглощающие излучение ячейки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l < способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc/способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695.

Пространственную структуру дискретных рассеивающих излучение ячеек на поверхности или в объеме пластины можно сформировать, например, обрабатывая пластину сфокусированным лазерным излучением. Порог разрушения поверхности ряда прозрачных диэлектриков (стекол, кристаллов) при обработке их лазерным излучением с длиной волны способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 при длительности лазерного импульса способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 с около 10 Дж/см2 [7]. Поэтому при фокусировке на поверхность, например, пластины из стекла БК-7 импульса с энергией всего 10-3 Дж можно за счет испарения вещества при лазерной абляции сформировать отдельный рассеивающий центр с размерами способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 см2 [7]. Перемещая пластинку перед фокусом лазера (например, на координатном столике, управляемом компьютером) от вспышки к вспышке можно "записать" на поверхности пластинки пространственную структуру дискретных рассеивающих центров с любой наперед заданной функцией распределения. Подобным же образом с помощью сфокусированного лазерного излучения можно произвести "запись" структуры и в объеме пластины, причем перемещая пластину вдоль направления сфокусированного лазерного пучка в пределах допустимой глубины обработки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l < способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc/способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 , можно разместить структуру рассеивающих ячеек в нескольких слоях. С ростом длительности лазерного импульса порог разрушения оптических поверхностей Ip увеличивается по закону Ip ~ способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695, где способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 длительность лазерного импульса, а способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 - показатель, изменяющийся в диапазоне значений 0,2-0,7 для различных материалов [7]. Аналогичные соотношения существует и для объемного разрушения. В соответствии с этими законами может быть определен уровень плотности энергии излучения, необходимый для обработки диэлектрической пластины.

Вместо лазерного излучения для создания структуры дискретных ячеек рассеивающих, отражающих или поглощающих излучение можно использовать также процессы травления поверхности, нанесения тонких пленок металла или диэлектрика через маску на поверхность пластины и другие.

В отличие от способа формирования мягкой диафрагмы с помощью пескоструйного аппарата [6], в предлагаемом в данном изобретении способе заложена возможность управления профилем пропускания диафрагмы за счет изменения размеров, формы и функции распределения создаваемых в пластине ячеек. С другой стороны, создание в пластине центров рассеяния (поглощения) с конечными размерами способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc накладывает некоторые ограничения на область применения мягких диафрагм, изготовленных в соответствии с предлагаемым способом. Действительно, на расстояниях от диафрагмы (по ходу распространения прошедшего диафрагму пучка) 0 < L < Lmin, где Lmin = 2roспособ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc/способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 на профиль прошедшего диафрагму пучка будет накладываться высококонтрастная спекл-структура, связанная с интерференцией излучения, прошедшего через систему дискретных ячеек. На расстояниях L > Lmin вкладом спекл-структуры в пространственное распределение интенсивности в пучке можно пренебречь. Заметим, что поскольку во многих приложениях мягкие диафрагмы применяются в сочетании с системами трансляции пучка, включающими пространственные фильтры, высокочастотные компоненты в пространственном распределении интенсивности пучка, проходящего через такую систему, эффективно подавляются [3]. Это позволяет существенно уменьшить Lmin (фактически Lmin будет определяться длиной пространственного фильтра).

Предлагаемый способ формирования мягкой диафрагмы рассмотрен в следующих трех примерах, иллюстрируемых фиг. 2, 3.

На фиг. 2a представлено устройство мягкой диафрагмы с круглой апертурой на основе пластинки с диаметром 2ro и толщиной l в которой зона размытия у края диафрагмы шириной способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r образована за счет обработки поверхности пластины или ее объема лазерным излучением. Размер отдельной дискретной рассеивающей ячейки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc , способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l глубина обработки. На фиг. 2б представлены профили интенсивности излучения, падающего на диафрагму Io=const и прошедшего диафрагму I(r)=Io T(r) толщиной l на расстоянии L < Lmin и в зоне формирования гладкого распределения интенсивности способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695

Пример 1. Круглая диафрагма с ro=5 мм и толщиной l=4 мм, зона обработки поверхности лазерным излучением способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r = 0,5 мм, способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 0. Поперечный размер элементарной ячейки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc = 20 мкм, ячейки расположены на поверхности пластины и производят амплитудную и фазовую модуляцию излучения. Полное расчетное число ячеек, сформированных на поверхности пластины, N = 25122. Вид функции пропускания:

способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695

Здесь rg = 0,38 способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r соответствует уменьшению пропускания в 103 раз.

Границы области формирования гладкого распределения интенсивности для излучения с длиной волны способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 Lmin способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 20 см, Lmax способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 5 м.

Пример 2. Круглая диафрагма с радиусом ro=10 см и толщиной l= 2 см, ширина зоны обработки у края способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r = 5 мм, размер отдельной ячейки 100 мкм, допустимая глубина обработки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695l < 1 см. Расчетное значение общего количества ячеек - 81287. Функция пропускания имеет вид:

способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695

Здесь rg = 0,785 способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r. Границы области формирования гладкого распределения интенсивности для способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 Lmin способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 20 м, Lmax способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 840 м.

Пример 3. На фиг. 3 представлено устройство мягкой диафрагмы с круглой апертурой диаметром 2ro = 10 мм на основе пластинки толщиной l=4 мм, обработанной с поверхности лазерным излучением. Ячейки структуры равномерно распределены по азимуту диафрагмы, максимальный размер ячейки вдоль радиуса (ширина зоны обработки) способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r = 1 мм. Общее количество ячеек N=209. Поперечный размер ячейки способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc изменяется в зависимости от r по закону:

способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc(r) = способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695rc(ro){1-exp{-[(r+способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r-ro)/rg]4}},

rg = 0,62 способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695r, при этом способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695

Функция пропускания диафрагмы имеет вид

способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695

Границы области формирования гладкого распределения интенсивности для способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 Lmin способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 1,5 м, Lmax способ формирования мягкой диафрагмы, патент № 2140695 10 м.

Отметим, что рассмотренные в примере ячейки могут быть составлены из более мелких ячеек, расположенных вплотную друг к другу, если это целесообразно из технологических или иных соображений, например, для уменьшения Lmin, т.е. расширения рабочей области.

Литература

1. Н. Б. Баранова, Б.Я. Зельдович, Н.Е. Быковский, Ю.В. Сенатский. Дифракция и самофокусировка излучения в усилителе мощных световых импульсов. Квантовая электроника, 1, 11, 2435-2458 (1974).

2. J. McMahon et al. JEEE J. QE, 17, 9, 1629 (1981).

3. В.Van Wonterghem. J. Murray, J. Campbell et al. Performance of a prototype for a large aperture multipass Nd: glass laser for inertial confinement fusion. Appl. Opt., 36, 21, 4932-4953 (1997).

4. С. Г. Лукишова, И.К. Красюк, П.П. Пашинин, А.М. Прохоров. Аподизация световых пучков как метод повышения яркости лазерных установок на неодимовом стекле. Труды ИОФАН, 7, стр. 92-147 (1987).

5. В. Н. Беляев, Н.Е. Быковский, Ю.В. Сенатский, Б.В. Соболев. Формирование проникающей радиацией поглощающих слоев в оптической среде неодимового лазера. Квантовая электроника, 3, 10, 2286-2288 (1976).

6. N. Rizvi, O. Rodkiss, C. Danson. Apodiser development. Rutherford Appleton Laboratory. Annual report to the Laser Facility Committee, RAL-87-041, pp. 113-114 (1987).

7. L. Chase. Laser Ablation and Optical Surface Damage. In the book Laser Ablation. J.C. Miller (Ed), Springer-Veralg, Berlin Heidelberg (1994), pp. 53-84.2

Класс H01S3/10 устройства для управления интенсивностью, частотой, фазой, поляризацией или направлением стимулированного излучения, например переключением, стробированием, модуляцией или демодуляцией

компенсатор термонаведенной деполяризации в поглощающем оптическом элементе лазера -  патент 2527257 (27.08.2014)
способ вывода и регулирования энергии/мощности выходного излучения лазера и устройство для его реализации -  патент 2525578 (20.08.2014)
система для лазерной хирургической офтальмологии -  патент 2506938 (20.02.2014)
способ оптической накачки лазера -  патент 2494533 (27.09.2013)
генератор импульсов тока -  патент 2494532 (27.09.2013)
способ когерентного сложения лазерных пучков с синхронным детектированием и устройство для когерентного сложения лазерных пучков с синхронным детектированием -  патент 2488862 (27.07.2013)
способ изменения диаметра перетяжки выходного лазерного пучка на фиксированном расстоянии от лазера -  патент 2488861 (27.07.2013)
оптоэлектронный усилитель -  патент 2487450 (10.07.2013)
модулятор лазерного излучения -  патент 2477914 (20.03.2013)
источник импульсного лазерного излучения -  патент 2477553 (10.03.2013)

Класс G02B27/58 оптика для аподизации или сверхразрешающей способности; синтетические апертурные системы

Наверх