высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах

Классы МПК:H03H9/00 Схемы с электромеханическими или электроакустическими элементами; электромеханические резонаторы
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Науменко Наталья Федоровна,
Орлов Виктор Семенович
Приоритеты:
подача заявки:
1996-01-10
публикация патента:

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в диапазоне высоких частот для частотной и временной обработки сигналов в радиотелефонах, мобильных системах связи, телевидении и т.д. Технической задачей, решаемой в изобретении, является уменьшение вносимых потерь и улучшение термостабильности. При подаче электрического сигнала на передающий электроакустический преобразователь (ЭАП) 2 в пьезоэлектрическом звукопроводе 1, выполненном из силикогаллата лантана, возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся в направлении, составляющем угол с нормалью к электродам ЭАП 2. Ориентация рабочей поверхности и нормали к электродам ЭАП относительно кристаллофизических осей X, Y, Z выбраны из условия снижения вносимых потерь, обусловленных преобразованием ПАВ, дифракцией и отклонением потока энергии при одновременном улучшении температурной стабильности. 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

Формула изобретения

Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод из кристалла силикогаллата лантана, на рабочей поверхности которого размещены передающий и приемный электроакустические преобразователи в виде возбуждающих и отражающих электродов, отличающееся тем, что рабочая поверхность пьезоэлектрического звукопровода выполнена перпендикулярно оси Z", электроды электроакустического преобразователя размещены перпендикулярно оси X", а продольная ось электродов электроакустического преобразователя совпадает с осью Y", при этом оси X", Y", Z", связанные с кристаллофизическими осями кристалла X, Y, Z, ориентированы так, что угол высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 между кристаллофизической осью X и вспомогательной осью X"" поворота исходной кристаллофизической плоскости XY до совмещения ее с плоскостью рабочей поверхности звукопровода выбран в пределах от -15 до 10o, угол q между кристаллофизической осью Z и осью Z", совпадающей с нормалью к рабочей поверхности звукопровода, выбран в пределах 120 165o, а угол j между вспомогательной осью X"" и осью X", совпадающей с нормалью к электродам электроакустического преобразователя, выбран в пределах 20 - 45o.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для частотной и временной обработки высокочастотных сигналов в радиотелефонах, мобильных системах связи, телевидении и т.д.

Известно устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной и выходной электроакустические преобразователи (ЭАП). С целью повышения стабильности в качестве материала звукопровода используется кварц термостабильного ST-среза [1] ориентация которого относительно кристаллофизических осей X, Y, Z в соответствии с международными стандартами описывается углами Эйлера высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 0высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 132,75высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 0высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857. Для этого среза температурный коэффициент частоты (ТКЧ) составляет 0 (1/oC).

Недостатком известного устройства на ПАВ являются большие вносимые потери aвн, обусловленные потерями на преобразование ПАВ aп из-за малости коэффициента электромеханической связи (КЭМС) k2s = 0,116 % и потерями на распространение aр на высоких частотах (более 3,1 дБ/мкс на частоте 1 ГГц). Это ведет к существенному росту вносимых потерь в устройстве (до 15-20 дБ) и делает невозможным его использование, например, в качестве фильтров для мобильных систем связи. Фильтры для подобных систем должны иметь вносимые потери не более 3-4 дБ на промежуточных частотах 70-250 МГц или на радиочастотах 800-1800 МГц.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является устройство на ПАВ, содержащее пьезоэлектрический звукопровод из монокристалла силикогаллата лантана, на рабочей поверхности которого размещены передающий и приемный ЭАП ПАВ, содержащие системы электродов, например встречно-штыревые и при необходимости отражательные электроды [2] Использование монокристалла силикогаллата лантана в качестве материала звукопровода обеспечивает по сравнению с кварцем снижение потерь на распространение до 1 дБ/мкс на частоте 1 ГГц [3] С целью уменьшения вносимых потерь на преобразование ап углы Эйлера, определяющие ориентацию рабочей поверхности звукопровода и нормали к электродам ЭАП относительно кристаллофизических осей материала звукопровода, выбраны из условия высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 90высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 10высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 0высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857.

Недостатком известного технического решения [2] является низкая температурная стабильность (ТКЧ 12высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 209985710-6 (1/oC)), а также высокие потери aп на преобразование ПАВ, на отклонение потока энергии aо и на дифракцию aд, определяемые соответственно коэффициентом электромеханической связи k2s, углом отклонения потока энергии высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 и параметром анизотропии g. Для известного решения k2s = 0,26%, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = - 5,7высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = -2,859.

Технической задачей изобретения является уменьшение вносимых потерь и улучшение термостабильности.

Решение поставленной задачи достигается тем, что в высокочастотном устройстве на ПАВ, содержащем пьезоэлектрический звукопровод из монокристаллического силикогаллата лантана, рабочая поверхность пьезоэлектрического звукопровода выполнена перпендикулярно оси Z", электроды электроакустического преобразователя размещены перпендикулярно оси X", а продольная ось электродов совпадает с осью Y", при этом оси X", Y", Z" в системе углов Эйлера (высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857) ориентированы относительно кристаллофизических осей X, Y, Z силикогаллата лантана таким образом, что угол высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 изменяется от -15 до +10o, угол q выбран в пределах от 120 до 165o, а угол j составляет от 20 до 45o.

На фиг. 1 и 2 представлено высокочастотное устройство на ПАВ. На фиг. 3 приведены зависимости скорости v ПАВ, угла отклонения потока энергии f, коэффициента электромеханической связи k2s и ТКЧ от угла Эйлера высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 при некоторых значениях угла q для предлагаемого устройства в случае, когда угол высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 0высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857. На фиг. 4 показаны зависимости характеристик ПАВ от угла высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 при высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 145высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 и нескольких различных значениях угла высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857.

Устройство на ПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 из монокристаллического силикогаллата лантана, передающий 2, приемный 3 электроакустические преобразователи соответственно в виде систем возбуждающих 4, детектирующих 5 и (при необходимости) отражающих 6 электродов. Нормаль Z" к рабочей поверхности звукопровода, нормаль X" к электродам 4, 5, 6 ЭАП и продольная ось этих электродов Y" ориентированы относительно кристаллофизических осей X, Y, Z монокристалла таким образом, что углы Эйлера составляют v -15 +10o, q 120-165o, j 20-45o. Здесь углы Эйлера имеют следующую физическую суть:

v угол между кристаллофизической осью X и вспомогательной осью X" поворота исходной кристаллофизической плоскости XY до совмещения ее с плоскостью рабочей поверхности звукопровода 1;

q угол между кристаллофизической осью Z и осью Z", совпадающей с нормалью к рабочей поверхности звукопровода 1;

j угол между вспомогательной осью X" и осью X", совпадающей с нормалью к электродам ЭАП 2, 3.

Устройство на ПАВ работает следующим образом. При подаче электрического сигнала от генератора с внутренней проводимостью Gr на передающий ЭАП 2 в пьезоэлектрическом звукопроводе 1 возбуждается ПАВ, поток энергии которой распространяется в направлении X""", составляющем угол f с нормалью X" к электродам 3 ЭАП 2. Распространяющаяся ПАВ достигает электродов 5 приемного ЭАП 3 и преобразуется в электрический сигнал, выделяющийся на проводимости нагрузки Gн. Вносимые потери aвн устройства на ПАВ (без учета потерь на двунаправленность излучения) складываются из нескольких составляющих:

потерь на преобразование aп aп1 + aп2 ПАВ передающим и приемным ЭАП, определяемых коэффициентом электромеханической связи k2s

потерь aр на распространение ПАВ в звукопроводе;

потерь aд на дифракционное расхождение распространяющего пучка ПАВ;

потерь aо из-за отклонения потока энергии на угол высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 от нормали X" к электродам 4, 5, совпадающей с направлением распространения фазового фронта ПАВ.

Таким образом, вносимые потери устройства на ПАВ

aп aп1 + aп2 + aр + aд + aо, дБ. (1)

В свою очередь каждая из компонент вносимых потерь связана с электрофизическими параметрами материала звукопровода 1 и геометрическими характеристиками ЭАП 2 и 3 следующими соотношениями.

Потери aпi на преобразование обратно пропорциональны коэффициенту электромеханической связи k2s Для встречно-штыревого преобразователя (ВШП), содержащего N пар возбуждающих электродов, в режиме согласования с катушкой индуктивности на средней частоте [1]

aпi -10 lg[2b/(1+b)2] дБ, (2)

где b Gн/Gа; Gн проводимость нагрузки, Сим; Ga проводимость излучения ВШП, Сим. Например, для неаподизованного ВШП на средней частоте f0 проводимость излучения высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 ф/м емкость пары электродов на единицу длины при диэлектрической проницаемости материала звукопровода высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857тpr, W апертура ВШП, м; N число пар электродов ВШП, которое определяется из заданной полосы пропускания устройства на ПАВ следующим образом: N = 0,632(высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3/fo)-1, где (высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3/fo) относительная полоса пропускания по уровню -3 дБ.

Потери на распространение линейно зависят от расстояния между передающим и приемным ЭАП и составляет [1]

aр bf2 + cf, дБ/мкс, (3)

где b и c константы, зависящие от материала звукопровода 1; f рабочая частота, ГГц.

Потери вследствие отклонения потока энергии пропорциональны углу высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857:

ao= - 20lg(1 - Btgвысокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857), дБ, (4)

где B геометрический параметр, равный отношению расстояния l между центрами преобразователей 2, 3 к их апертуре W.

Потери из-за дифракционного расхождения пучка ПАВ в зоне Френеля определяются по формуле [4]

высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857

где высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857

Ci(t) и Si(t) интегралы Френеля, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 параметр анизотропии материала звукопровода в направлении распространения ПАВ, l длина волны.

Дифракционные потери зависят от знака и величины g и минимальны при значении g = -1, соответствующем срезам с самофокусированием ПАВ.

Таким образом, снижение потерь в устройстве может быть достигнуто за счет выбора ориентации (среза) пьезоэлектрического звукопровода с большим коэффициентом электромеханической связи k2s для ПАВ, малым углом отклонения потока энергии высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 и параметром анизотропии, близким к -1. При типичных значениях апертуры преобразователей ПАВ W = (20 - 30)высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 и расстояния между излучающим и приемным преобразователями l = (200 - 300)высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 дифракционные потери связаны с искажением формы акустического луча и не превышают 1,6 дБ [1] Поэтому вносимые потери устройства будут, в основном, определяться потерями на преобразование и на отклонение потока энергии.

Оценим преимущества предлагаемого устройства по сравнению с известным техническим решением [2]

Для устройства-прототипа с ориентацией (90o, 10o, 0o) известны следующие значения электрофизических параметров, характеризующие температурную стабильность и вносимые потери [2] ТКЧ 12высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 209985710-6 (1/oC), k2s = 0,26 % , высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = -5,7высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857.

Как видно из фиг. 3 и 4, в предложенном устройстве со звукопроводом из силикогаллата лантана для любых углов Эйлера, выбранных в пределах высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 значения ТКЧ не превышают по модулю 10высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 209985710-6 (1/oC), а для ориентации с углами Эйлера около 0o, 144o, 22,75o значение ТКЧ близко к нулю.

В результате в предлагаемом устройстве обеспечивается улучшение температурной стабильности по сравнению с известным техническим решением.

Из фиг. 3, 4 также видно, что для предлагаемого устройства угол отклонения потока энергии высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 не превышает 5o, а коэффициент электромеханической связи больше 0,2% и достигает максимального значения для силикогаллата лантана k2макс = 0,45% . Следовательно, для подавляющего числа возможных ориентаций, принадлежащих к семейству в предлагаемом устройстве, коэффициент электромеханической связи k2s больше, а угол высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 отклонения потока энергии меньше, чем у устройства-прототипа. Поэтому соответствующие потери на преобразование и отклонение потока энергии меньше, чем у прототипа. В тех же ориентациях для предложенного устройства 30высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 45высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, где k2s несколько меньше, чем у прототипа (0,2% < k2s < 0,26%), некоторое увеличение потерь на преобразование компенсируется снижением по сравнению с прототипом потерь на отклонение потока энергии.

Таким образом, для любого фиксированного значения одного из углов Эйлера в пределах семейства ориентаций предложенного устройства всегда имеются значения двух других углов Эйлера, обеспечивающие улучшение температурной стабильности и уменьшение вносимых потерь по сравнению с прототипом.

Таким образом, в предложенном устройстве обеспечивается решение поставленной технической задачи.

Пример 1. Рассмотрим два примера фильтр для бесшнуровых радиотелефонов общеевропейского стандарта DECT на промежуточную частоту f0 110,6 МГц с полосой пропускания высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3 = 0,965 МГц или (высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3/fo) = 0,88%. В качестве звукопровода выбран срез силикогаллата лантана, определяемый углами Эйлера (0o, 146o, 22,5o) со следующими параметрами ПАВ: k2s = 0,42%, высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 = 0,9высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, ТКЧ 2высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 209985710-6 (1/oC). При числе электродов в каждом из двух преобразователей, близком к оптимальному Nопт 72, обеспечивающем минимально возможные потери на преобразование при согласовании с 50-омным трактом, апертуре преобразователей W 3,5 мм и расстоянии между их центрами l 10 мм, для предлагаемого технического решения потери на преобразование без учета двунаправленности излучения ВШП близки к нулю, в то время как потери на отклонение потока энергии составят 0,4 дБ.

Для устройства-прототипа с аналогичными геометрическими параметрами соответствующие значения потерь будут 0,6 дБ и 2,9 дБ. Таким образом, суммарный выигрыш по вносимым потерям составит 3,1 дБ. При этом температурная стабильность предлагаемого устройства существенно лучше, чем у прототипа.

Пример 2. Рассмотрим высокочастотный фильтр, предназначенный для селекции несущих радиочастот в бесшнуровых радиотелефонах общеевропейского стандарта DECT. Рабочая частота фильтра f0 1,89 ГГц, полоса пропускания высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3 20 МГц или (высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857f-3/fo) высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 1% При N 65, типичной апертуре W = 0,14 мм (100высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857) и расстоянии между центрами l 1 мм для предлагаемого технического решения с ориентацией звукопровода, определяемой углами Эйлера (0o, 144o, 22,75o) и имеющей параметры ПАВ: k2s высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 0,37 высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 0высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857, ТКЧ высокочастотное устройство на поверхностных акустических   волнах, патент № 2099857 0 (1/oC), потери на отклонение потока энергии равны нулю, а потери на преобразование без учета двунаправленности излучения ВШП составят 1,2 дБ.

Для прототипа с аналогичными геометрическими параметрами соответствующие значения потерь будут 2,6 дБ и 10,8 дБ. Суммарный выигрыш по вносимым потерям составит 12,2 дБ. Кроме того, в отличие от прототипа предлагаемое устройство термостабильно.

Следует отметить, что реализация указанных фильтров с малыми вносимыми потерями с использованием термостабильного ST-среза кварца невозможна.

Литература.

1. Поверхностные акустические волны. /Под ред. А.Олинера: Пер. с англ. М. Мир, 1981, 390 с.

2. Науменко Н. Ф. Оптимальные срезы лангасита для устройств на ПАВ. //Материалы конференции "Акустоэлектронные устройства обработки информации на поверхностных акустических волнах". Черкассы. 1990, с. 18, 19.

3. Mansfeld G.D. Measurements of acoustic wave attenuation in La3Ga5SiO14 using Hbar technique. // IEEE Frequency Control Symposium. 1994, p.35-39.

4. Penunuri D. Numerical Technique for SAW Diffraction Simulation. //IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 1978, v. MTT-26, p.288-294.

Класс H03H9/00 Схемы с электромеханическими или электроакустическими элементами; электромеханические резонаторы

термостабильный узкополосный фильтр на поверхностных акустических волнах -  патент 2523958 (27.07.2014)
многоканальная отражательная линия задержки на поверхностных акустических волнах -  патент 2522886 (20.07.2014)
полосовой пьезоэлектрический фильтр -  патент 2522295 (10.07.2014)
преобразователь с "естественным" однонаправленным излучением поверхностных акустических волн -  патент 2522035 (10.07.2014)
способ фильтрации и обнаружения импульсных сигналов робастной системой парциальных каналов -  патент 2520431 (27.06.2014)
режекторный lc-фильтр -  патент 2520422 (27.06.2014)
система многомембранной гибкой стенки для фильтров и мультиплексоров с технологией температурной компенсации -  патент 2519536 (10.06.2014)
полосовой перестраиваемый lc-фильтр -  патент 2516756 (20.05.2014)
полосовой перестраиваемый lc-фильтр -  патент 2516707 (20.05.2014)
полосовой lс-фильтр с компенсацией отражений в полосе задерживания -  патент 2513764 (20.04.2014)
Наверх