способ получения монокристаллов соединения сложного висмутсодержащего оксида

Классы МПК:C30B9/06 с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции
C30B11/02 без использования растворителей
C30B29/22 сложные оксиды
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова
Приоритеты:
подача заявки:
1994-05-12
публикация патента:

1. Способ получения монокристаллов соединения сложного висмутсодержащего оксида, включающий смешивание оксида висмута с оксидным соединением металла, нагрев смеси до плавления, выдержку расплава и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения металла используют оксидное соединение щелочно-земельного элемента при мольном соотношении оксида висмута к оксидному соединению щелочно-земельного элемента, равном 2 : 1, расплав выдерживают при 1050oС в течение 1 ч, а охлаждение ведут до 650oС со скоростью 2 град/ч до 550oС со скоростью 10 град/ч, далее вместе с отключенной печью.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения щелочно-земельного элемента используют пероксид бария BaO2.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения щелочно-земельного элемента используют карбонат стронция SrCO3.

Описание изобретения к патенту

Класс C30B9/06 с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

подложка для эпитаксии (варианты) -  патент 2312176 (10.12.2007)
способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития -  патент 2262556 (20.10.2005)
способ получения монокристаллов калий титанил арсената ktioaso4 -  патент 2128734 (10.04.1999)
способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 -  патент 2119976 (10.10.1998)
способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе bi2sr2cacu2o8 -  патент 2090665 (20.09.1997)
способ выращивания монокристаллов yba2cu3o7- -  патент 2064023 (20.07.1996)
высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения -  патент 2051210 (27.12.1995)
способ безтигельного получения монокристаллов yba2cu3o 7- -  патент 2038430 (27.06.1995)

Класс C30B11/02 без использования растворителей

способ получения кристаллов галогенидов таллия -  патент 2522621 (20.07.2014)
способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира -  патент 2520472 (27.06.2014)
способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия -  патент 2487202 (10.07.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
способ изготовления монокристаллов фторидов кальция и бария -  патент 2400573 (27.09.2010)
способ получения полупроводниковых кристаллов типа aiibvi -  патент 2380461 (27.01.2010)
лазерное вещество -  патент 2369670 (10.10.2009)
способ получения оптического материала для квантовой электроники на основе кристаллов двойных фторидов -  патент 2367731 (20.09.2009)
лазерное вещество -  патент 2362844 (27.07.2009)
инфракрасная лазерная матрица на основе кристаллов калия и рубидия пентобромплюмбита -  патент 2354762 (10.05.2009)

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)
Наверх