способ формирования энергетического сгустка

Классы МПК:H05H1/18 со сверхвысокочастотными полями, например в диапазоне сантиметровых волн 
H05H1/46 с использованием внешних электромагнитных полей, например высокой или сверхвысокой частоты
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Воронежское конструкторское бюро антенно-фидерных устройств
Приоритеты:
подача заявки:
1995-12-25
публикация патента:

Использование: радиосвязь, создание отражающей области, например, для ионосферной ретрансляции. Сущность изобретения: способ формирования энергетического сгустка включает одновременное излучение из различных точек пространства в заданную область первичных электромагнитных импульсов, излучение после первого первичного электромагнитного импульса в эту же область электромагнитных импульсов накачки с длительностью, периодом следования и частотой несущего колебания, не кратными соответствующим параметрам первичных импульсов. Длительность импульсов накачки не менее половины периода их несущего колебания. Период следования равен времени прохождения импульса по замкнутой траектории наибольшей протяженности вокруг облучаемой области. Частота несущего колебания кратна частоте облучения электронов для предполагаемой реализации их запрещенного перехода или частоте, соответствующей энергии электрона в невозбужденном состоянии на одном из полностью заполненных энергетических уровней атомов вещества в облучаемой области. Мощность излученной пачки импульсов и количество импульсов в пачке определяются в соответствии с установленными математическими зависимостями.

Формула изобретения

Способ формирования энергетического сгустка, включающий одновременное излучение из различных точек пространства в заданную область первичных электромагнитных импульсов, отличающийся тем, что после излучения первого первичного электромагнитного импульса в эту область излучают электромагнитные импульсы накачки с длительностью, периодом следования и частотой несущего колебания, не кратными соответствующим параметрам первичных импульсов, длительностью импульсов не менее половины периода их несущего колебания, периодом следования, равным времени прохождения импульса по замкнутой траектории наибольшей протяженности вокруг облучаемой области, частотой несущего колебания, кратной частоте облучения электронов для предполагаемой реализации их запрещенного перехода или частоте, соответствующей энергии электрона в невозбужденном состоянии на одном из полностью заполненных энергетических уровней атомов вещества в облучаемой области, мощностью излученной пачки импульсов Р и количеством импульсов в пачке i, определяемыми из соотношений

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

Е"" < Е" способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532 W,

где Р" значение мощности электромагнитной волны, прошедшей сквозь облучаемую область пространства без искажения фронта;

L" безразмерная величина, численно равная длине замкнутой траектории прохождения радиоимпульса на облучаемой области;

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532 диэлектрическая проницаемость внешнего слоя облучаемой области;

m магнитная проницаемость внешнего слоя облучаемой области;

e1 диэлектрическая проницаемость вещества облучаемой области;

способ формирования энергетического сгустка, патент № 20745321 магнитная проницаемость вещества облучаемой области;

Sл энергия, необходимая для перевода электронов из одного слоя в другой слой в атомах облучаемого химического элемента;

m масса предполагаемой части области пространства, на которую осуществляют воздействие со значением мощности не менее P-способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532;

Е энергия, соответствующая выбранной частоте, необходимая для предполагаемой реализации запрещенного перехода или невозбужденного состояния электрона на полностью заполненном энергетическом уровне;

i число радиоимпульсов в пачке;

К номер гармоники несущего колебания, соответствующий выбранной частоте;

Nа число Авогадро;

t длительность радиоимпульса;

М молярная масса, исчисляемая для атомов вещества, включающего заданный химический элемент;

Q электрическая добротность вещества, включающего заданный химический элемент;

А характеристика огибающей радиоимпульса в пачке;

Рн единичная, нормированная характеристика мощности;

c затухание радиосигнала на трассе распространения до облучаемой области;

Wэ волновая характеристика облучаемой области, в объеме которой образуется энергетический сгусток;

L(t) параметрическая индуктивность облучаемой области;

Нн(t) магнитная напряженность поля накачки в облучаемой области;

Нп(t) магнитная напряженность поля первичного излучения в облучаемой области;

W количество свободной энергии, сосредоточенной в облучаемой области;

Wвг энергия ван-дер-ваальсовских газов или коллоидных растворов в облучаемой области;

Wкр энергия кристаллической решетки (энергия нулевой осцилляции атомов, расположенных в узлах кристаллической решетки) в облучаемой области;

Wиг энергия идеальных газов в облучаемой области;

Wси энергия, привносимая в облучаемую область солнечным излучением;

Wсэ суммарная кинетическая энергия свободных электронов (ионов) в облучаемой области.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для создания отражающей области, например, для ионосферной ретрансляции.

Известен способ формирования энергетического сгустка, включающий одновременное излучение из различных точек пространства в заданную область первичных электромагнитных импульсов.

Известный способ не дает возможности сохранять полученный сгусток после прекращения излучения.

Целью изобретения является увеличение времени существования стабилизированного энергетического сгустка.

Это достигается тем, что в известном способе формирования энергетического сгустка, включающем одновременное излучение из различных точек пространства в заданную область первичных электромагнитных импульсов, после излучения первого первичного электромагнитного импульса в эту область излучают электромагнитные импульсы накачки с длительностью, периодом следования и частотой несущего колебания, не кратными соответствующим параметрам первичных импульсов, длительностью импульсов не менее половины периода их несущего колебания, периодом следования, равным времени прохождения импульса по замкнутой траектории наибольшей протяженности вокруг облучаемой области, частотой несущего колебания, кратной частоте облучения электронов для предполагаемой реализации их запрещенного перехода, или частоте, соответствующей энергии электрона в невозбужденном состоянии на одном из полностью заполненных энергетических уровней атомов вещества в облучаемой области, мощностью излученной пачки импульсов Р и количеством импульсов в пачке i определяемыми из соотношений:

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532, где

E""<E"способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532W

P" значение мощности электромагнитной волны, прошедшей сквозь облучаемую область пространства без искажения фронта;

L" безразмерная величина, численно равная длине замкнутой траектории прохождения радиоимпульса на облучаемой области,

способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532 диэлектрическая проницаемость внешнего слоя облучаемой области,

m магнитная проницаемость внешнего слоя облучаемой области

e1 диэлектрическая проницаемость вещества облучаемой области,

способ формирования энергетического сгустка, патент № 20745321 магнитная проницаемость вещества облучаемой области,

m масса предполагаемой части области пространства, на которую осуществляют воздействие со значением энергетической характеристики не менее P-способ формирования энергетического сгустка, патент № 2074532,

Е энергия, соответствующая выбранной частоте, необходимая для предполагаемой реализации запрещенного перехода, или невозбужденного состояния электрона на полностью заполненном энергетическом уровне,

i число радиоимпульсов в пачке,

k номер гармоники несущего колебания, соответствующий выбранной частоте;

Na число Авогадро;

t длительность радиоимпульса,

М молярная масса, исчисляемая для атомов вещества, включающего заданный химический элемент;

Q электрическая добротность вещества, включающего заданный химический элемент;

А характеристика огибающей радиоимпульса в пачке;

Рн единичная, нормированная энергетическая характеристика,

c затухание радиосигнала на трассе распространения до облучаемой области,

Sл энергия, необходимая для перевода электронов из одного слоя в другой слой в атомах облучаемого химического элемента,

We волновая характеристика облучаемой области, в объеме которой образуется энергетический сгусток;

L(t) параметрическая индуктивность облучаемой области;

Нн(t) магнитная напряженность поля накачки в облучаемой области;

Нп(t) магнитная напряженность поля первичного излучения в облучаемой области;

W количество свободной энергии, сосредоточенной в облучаемой области;

Wвг энергия ван-дер-ваальсовских газов или коллоидных растворов в облучаемой области;

Wкр энергия кристаллической решетки (энергия нулевой осцилляции атомов, расположенных в узлах кристаллической решетки) в облучаемой области;

Wиг энергия идеальных газов в облучаемой области;

Wси энергия, привносимая в облучаемую область, солнечным излучением;

Wсэ суммарная кинетическая энергия свободных электронов (ионов) в облучаемой области.

Способ формирования энергетического сгустка осуществляют следующим образом. Излучают из различных точек пространства в заданную область первичные электромагнитные импульсы. После излучения первого первичного импульса в эту область излучают электромагнитные импульсы накачки с длительностью, периодом следования и частотой несущего колебания, не кратными соответствующим параметрам первичных импульсов. Длительность импульсов накачки должна быть не менее половины периода их несущего колебания, период их следования должен быть равным времени прохождения импульса по замкнутой траектории наибольшей протяженности вокруг облучаемой области, частота несущего колебания должна быть кратной частоте облучения электронов для предполагаемой реализации их запрещенного перехода, или частоте, соответствующей энергии электрона в невозбужденном состоянии на одном из полностью заполненных энергетических уровней атомов вещества в облучаемой области, мощностью излученной пачки импульсов Р и количеством импульсов в пачке i, определяемых из приведенных выше соотношений.

Физические основы протекающего процесса описаны в [1]

При внешнем перекрестном облучении выбранной области пространства эта область приобретает свойства, отличные от свойств окружающего пространства, вследствие чего импульсами накачки энергия, сосредоточенная в данной области, может быть удержана в ней после прекращения внешнего воздействия, т.к. электромагнитное поле накачки создает в энергетическом сгустке, заключенном в выбранной области пространства, внутренние поля (поля, создаваемые поверхностным током и трубкой тока, полученными при расщеплении электромагнитной волны накачки на границе энергетического сгустка).

Способ может быть реализован, например, на установке, состоящей из двух параболических рефлекторов с совмещенными главными оптическими осями, между которыми находится область, содержащая пары жидкого азота. Излучатели импульсов первичного облучения и накачки могут быть установлены на отражающей поверхности одного из рефлекторов и попадать в заданную область при распространении как в прямом направлении, так и после отражения от другого рефлектора, создавая тем самым множественность излучений. В этом случае энергетический сгусток может быть получен излучением 109 электромагнитных импульсов первичного облучения с длительностью 100 пс, периодом следования 263,8 пс, частотой несущего колебания 9,999 ГГц, мощностью 1002, 4803 кВт и импульсов накачки с длительностью 10 нс, периодом следования 15 нс, частотой несущего колебания 2 ГГц, мощностью 1,68 кВт.

Класс H05H1/18 со сверхвысокочастотными полями, например в диапазоне сантиметровых волн 

Класс H05H1/46 с использованием внешних электромагнитных полей, например высокой или сверхвысокой частоты

свч плазменный конвертор -  патент 2522636 (20.07.2014)
оптимизация частоты возбуждения радиочастотной свечи -  патент 2516295 (20.05.2014)
трансформаторный плазматрон низкого давления для ионно-плазменной обработки поверхности материалов -  патент 2505949 (27.01.2014)
способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса -  патент 2504042 (10.01.2014)
способ очистки, деструкции и конверсии газа -  патент 2486719 (27.06.2013)
сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке -  патент 2480858 (27.04.2013)
устройство для возбуждения и поддержания свч-разрядов в плазмохимических реакторах -  патент 2468544 (27.11.2012)
энергетическая установка для выработки тепла плазмохимическими реакциями с дожиганием -  патент 2426944 (20.08.2011)
устройство для стерилизации газоразрядной плазмой -  патент 2388195 (27.04.2010)
устройство плазменной обработки -  патент 2368032 (20.09.2009)
Наверх