полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Классы МПК:H01C7/04 имеющие отрицательный температурный коэффициент 
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский институт "Гириконд"
Приоритеты:
подача заявки:
1992-10-15
публикация патента:

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления терморезисторов (ТР) с отрицательным ТКС различного конструктивного исполнения и функционального назначения. Предложенный материал, обладая повышенной стойкостью к тепловым и электрическим нагрузкам, обеспечивает широкие пределы значений удельного сопротивления от единиц до тысяч Омполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274см при отрицательном (ТКС25) не менее 3,4%/К. Указанные электрические параметры, согласно изобретению, обеспечиваются тем, что в качестве материала ТР использован твердый раствор со структурой кристаллической решетки типа шпинели, отвечающий формуле:

CO3-x-y-zMnzMyCrxO4,

где М - один из ряда Сu, Fe, Mg; 0,9полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274z<1,5,00,5,0<x<0,2, причем х+y+zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732742. Применение материала позволяет, в частности, изготовить мощные дисковые ТР с номинальным сопротивлением от 0,5 Ом до ед. кОм при отрицательном (ТКС25), не менее 3,4%/К, предназначенных для защиты от пусковых токов импульсных источников питания, источников питания мониторов и дискетов с ЭЛТ, цветных телевизоров, видеомагнитофонов, ламп накаливания и других сильноточных устройств. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой, типа шпинели, содержащей катионы кобальта и марганца, отличающийся тем, что он дополнительно содержит хром и катион, выбранный из ряда: медь, железо, магний с общей формулой

Co3-x-y-z Mnz My CrxO4,

где М один из ряда Cu, Fe, Mg;

0,9полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732741,5;

0<yполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,5;

0<xполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,2,

причем x+y+zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732742.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении терморезисторов (ТР) с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).

ТР широко используются в технике в режимах слабых и сильных токов. К числу сильноточных применений ТР относится их возможное использование в качестве пусковых элементов.

Широко известны и применяются для массового производства различных типов ТР полупроводниковые материалы на основе двойных и тройных окислов марганца, кобальта, никеля и меди [1]

Большая номенклатура составов позволяет в широких пределах варьировать удельное сопротивление от единиц до 106 Ом.см. при ТКС25 от -2 до -(5oC6)% /К.

Однако, при этом соблюдается закономерность: большой ТКС соответствует материалам с большим полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425; чем меньше полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425; тем меньше ТКС. Для материалов c /TKC25/полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732743,4%/K-полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425>103полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274cм.. Кроме того, эти материалы, как правило, неоднофазны, что заметно снижает стойкость керамики, спеченной из этих материалов, и электрическим и тепловым нагрузкам.

Известен материал для ТР со структурой кристаллической решетки типа шпинели, выполненный в виде твердого раствора содержащего марганец и катионы, выбранные из ряда кобальт, никель, медь, хром и цинк [2]

Недостатком этого материала является относительно высокое удельное сопротивление составов с большим ТКС (полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425>5000 Oмполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274cм.) В том случае, когда удельное сопротивление мало (полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425<15 Oмполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274cм.) ТКС снижается до недопустимо малых значений [(ТКС25)<3,4%К] В качестве прототипа, как наиболее близкий по технической сущности к изобретению, выбран материал, выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой типа шпинели, с общей формулой:

Co3-x-y-zNixCuyMnzO4, (1)

где 0,05полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274xполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,40

0,01полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274yполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,50

0,95полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732741,50, причем x+y+zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732742. (3)

Обладая достаточно высоким ТКС, необходимой стойкостью керамики к тепловым и электрическим нагрузкам, материал-прототип не охватывает всего спектра номинальных значений полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425, необходимых для производства серии ТР, предназначенных для пусковых защитных элементов.

Настоящее изобретение решает задачу по созданию материала, обладающего стойкостью к тепловым и электрическим нагрузкам, обеспечивающего широкие пределы значений удельного сопротивления от полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327410 Ом.см. до полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274 ед. кОм. см. при отрицательном (ТКС25)полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732743,45%К.

Указанный технический результат достигается тем, что заявляемый материал, выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой типа шпинели, содержащей катионы кобальта и марганца дополнительно содержит хром и катион, выбранный из ряда медь, железо, магний, с общей формулой:

CO3-x-y-zMnzMyCrxO4, (2)

где М один из ряда Сu, Fe, Mg.

0,9полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732741,5

0<yполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,5

0<xполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732740,2, причем х+y+zполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 20732742.

Заявленный материал образует ряд твердых растворов со структурой кристаллической решетки типа кубической шпинели, его удельное сопротивление целиком определяется катионным составом и лежит в расширенных, по сравнению с прототипом, пределах при одновременном увеличении значения ТКС. Примеры зависимости электрических свойств от катионного состава заявляемого материала приведены в таблице.

В качестве исходных материалов используют углекислые соли кобальта, меди и марганца, окислы хрома, магния и железа.

Исходные реактивы в соответствии со структурой формулой смешиваются, подвергаются предварительному синтезу при 700oC, а затем высокотемпературному обжигу при 1150-1250oC.

Рентгенофазовый анализ подтверждает образование однофазного материала с кристаллической структурой типа кубической шпинели.

В качестве примера конкретного исполнения рассмотрим состав, отвечающий средним значением содержания компонентов:

CO1,35Mn1,30Cu0,30Cr0,05 (3)

Для получения состава по формуле (3) берут 154,19 г углекислого основного кобальта ГОСТ 5407-78; 161,11 г марганца углекислого основного ГОСТ 7205-77; 34,11 г меди углекислой основной ГОСТ 8927-71; 3,64 г окиси хрома ТУ 6-09-4272-76. Реактивы смешивают в шаровой мельнице "мокрым" способом в течение 20 час. Полученную смесь высушивают в термостате при 100-120oC. Высушенный порошок подвергают изотермическому обжигу (предварительный синтез) в течение 4 часов, охлаждают в режиме естественного остывания печи. После этого материал вновь подвергают "мокрому" помолу в течение 20 часов и высушивают при 100-120oC. Для приготовления пресс-порошка шихту смешивают с органической связкой (5% -раствор поливинилового спирта) в количестве 20% от веса шихты. Из пресс-порошка методом прессования изготавливают заготовки терморезисторов необходимой формы и размеров. Заготовки обжигают при 1050oC в течение 2 часов. После высокотемпературного синтеза материал представляет собой практически однофазный твердый раствор со структурой кристаллической решетки типа кубической шпинели. Его полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 207327425= 25 Oмполупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274cм. при ТКС25=-3,49%/К.

Изобретение может быть применено для изготовления всевозможных типов ТР с широким спектром электрических параметров и в различном конструктивном оформлении. В частности, он может быть использован для производства мощных дисковых ТР с номинальным сопротивлением от 0,5 до единиц кОм при отрицательном полупроводниковый керамический материал для терморезисторов   с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, патент № 2073274, предназначенных для защиты от пусковых токов импульсных источников питания, источников питания мониторов и дисплеев с электронно-лучевыми трубками, цветных телевизоров, видеомагнитофонов, ламп накаливания и других сильноточных устройств.

Класс H01C7/04 имеющие отрицательный температурный коэффициент 

полупроводниковый керамический материал -  патент 2279729 (10.07.2006)
высокоомный резистор для заземления нейтрали -  патент 2176832 (10.12.2001)
тонкопленочный резистор -  патент 2126183 (10.02.1999)
способ изготовления терморезистора -  патент 2064700 (27.07.1996)
терморезистор -  патент 2058053 (10.04.1996)
материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления -  патент 2042220 (20.08.1995)
датчик температуры -  патент 2013814 (30.05.1994)
Наверх