способ травления монокристаллов лангасита

Классы МПК:C30B7/10 применением давления, например гидротермическими способами
C30B29/34 силикаты
Автор(ы):, , , , , ,
Патентообладатель(и):Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова
Приоритеты:
подача заявки:
1993-01-11
публикация патента:

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике. Цель изобретения заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2 способ травления монокристаллов лангасита, патент № 2052546 10 способ травления монокристаллов лангасита, патент № 2052546 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а так же отпадает необходимость употребления дорогостоящих материалов, таких как платина, иридий, позволяющих удешевить процесс и повысить скорость травления. Сущность способа состоит в обработке монокристаллов лангасита в гидротермальных условиях при температуре 150 - 300oС и давлении не менее 50 атм, а в качестве травильного раствора используются водные растворы одной из кислот H3PO4 MeOH и одной из солей и MeNO3, где Me - щелочной металл, или водные растворы щелочей MeOH, или солей Me2CO3 или водные растворы смеси одной из щелочей CH3COOH или смесь водных растворов H3PO4 Me2CO3, где Me - щелочной металл.

Формула изобретения

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНГАСИТА, заключающийся в том, что их травят в гидротермальных условиях при температуре 150 - 300oС и давлении не менее 50 атм., а в качестве травильного раствора используют раствор следующего состава, мас.%:

H3PO4 - 10 - 70,

MeNO3 - 10 - 70, где Me - щелочный металл,

H2O - Остальное

или MeOH > 10, - где Me - щелочный металл

H2O - Остальное

или Me2CO3 > 10, - где Me - щелочной металл

H2O - Остальное

или MeOH - 10 - 70

Me2CO3 - 10 - 70, где Me - щелочный металл

H2O - Остальное

или H3PO4 > 10

H2O - Остальное

или CH3COOH > 10,

H2O - Остальное

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способу гидротермального метода травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита размером более 15х15х3 мм, используемых в электронной технике.

Известен способ травления природных силикатов для определения микроструктур и дефектов, включающий последовательные стадии предварительную полировку образцов с помощью алмазной пасты, травление в растворах различных кислот при Т24оС, а затем кипячение промытых образцов в растворе 20%-ной лимонной кислоты.

Недостатком способа является многостадийность процесса травления, низкая экологичность и недостаточно высокая скорость травления.

Преимущество предлагаемого способа гидротермального травления заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2х10х10 мм (кристалл не растворяется при травлении), а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивных температурно-устойчивых материалов, таких как платина, иридий.

Технический эффект заключается в экологически чистой методике гидротермального травления, позволяющий повысить скорость травления и удешевления процесса травления.

Способ реализуется следующим образом.

Образцы монокристаллов лангасита со шлифованными поверхностями 15х15х3 мм помещают в автоклав в раствор травителя. Для приготовления травильного раствора использовались реактивы марок ХЧ или ЧДА. Растворы готовят последовательно в отдельном бюксе, разбавляют 90% Н3РО4 до 25% В другом 25 г NaO3 раcтворяют в 50 г H2О, т.е. приготовляетcя 25%-ный раствор NaNO3. Полученные растворы сливаются и перемешиваются при комнатной температуре. Полученный состав заливают в футерованный фторопластом автоклав периодического действия. Автоклав герметизируют и устанавливают в печь сопротивления, где его нагревают до температуры 150-300оС при давлении не менее 50 атм. При более низких параметрах скорость травления резко падает. Более высокие параметры требуют создания более сложной аппаратуры. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травления поверхность образца стала прозрачной, скорость травления равна 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 1. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% NaOН, нагревался до температуры 200оС при давлении 300 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной. Скорость травления равна 0,7 мкм/мин.

П р и м е р 2. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% LiCO3, нагревался до температуры 250оС при давлении 500 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 0,7 мкм/мин.

П р и м е р 3. Образец заливался водным раствором, содержащим 20% КОН и 20% Na2CO3, нагревался до температуры 150оС и давлении 50 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 1,0 мкм/мин.

П р и м е р 4. Образец заливался водным раствором, содержащим 50% Н3РО4, нагревался до температуры 270оС и давлении 60 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной, скорость травления 0,9 мкм/мин.

П р и м е р 5. Образец заливался водным раствором, содержащим 40% СН3СООН нагревался до температуры 200оС и давления 100 атм. В результате матовая поверхность образца стала более прозрачной. Скорость травления 0,8 мкм/мин.

Класс C30B7/10 применением давления, например гидротермическими способами

способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2460830 (10.09.2012)
деталь из искусственного кварца, способ ее изготовления и включающий ее оптический элемент -  патент 2441840 (10.02.2012)
способ выращивания монокристаллов кварца -  патент 2320788 (27.03.2008)
способ выращивания кристаллов оксида цинка -  патент 2320787 (27.03.2008)
способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты) -  патент 2296189 (27.03.2007)
затравка для выращивания монокристалла кварца (варианты) -  патент 2261294 (27.09.2005)
диафрагма автоклава для гидротермального выращивания кристаллов -  патент 2248417 (20.03.2005)
способ синтеза алмаза -  патент 2243153 (27.12.2004)
способ получения искусственных кристаллов кварца -  патент 2236489 (20.09.2004)

Класс C30B29/34 силикаты

сырьевая смесь для получения искусственного камня -  патент 2480541 (27.04.2013)
сырьевая смесь для получения искусственного камня -  патент 2418112 (10.05.2011)
сырьевая смесь для получения искусственного камня -  патент 2418111 (10.05.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
сцинтилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката -  патент 2357025 (27.05.2009)
сцинтилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката -  патент 2315136 (20.01.2008)
способ получения муллита из каолина -  патент 2312940 (20.12.2007)
способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката -  патент 2301141 (20.06.2007)
способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния -  патент 2296824 (10.04.2007)
способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката -  патент 2287621 (20.11.2006)
Наверх